述透明电极层。
[0045]本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，该方法可以包括在基底上形成晶体管阵列和在所述晶体管阵列上形成电致发光元件阵列的步骤，其中，在所述晶体管阵列上形成电致发光元件阵列时，可以采用上述任一项所述的方法制作所述电致发光元件阵列的底电极。
[0046]具体的，在基底上形成晶体管阵列的步骤可以包括:提供一透明衬底，并对透明衬底采用标准方法进行清洗；之后用溅射工艺或蒸镀工艺沉积50?400nm Mo作为栅极材料层，之后进行图形化形成栅电极图形；之后在栅极图形之上利用化学气相沉淀工艺制备厚度为100?500nm的S1x (x为正整数)栅极绝缘层；在S1x栅极绝缘层之上采用派射工艺沉积厚度为10?SOnm的IGZ0，并根据需要进行光刻、刻蚀，形成有源层图形；在有源层图形之上采用化学气相沉淀工艺或溅射工艺沉积厚度为200nm的S1x、在S1x上沉积厚度为10nm的SiNy或S1mNn (y、m、η均为也为正整数)作为刻蚀阻挡层，根据需要进行图形化；在刻蚀阻挡层上采用溅射工艺制备厚度为50?400nmMo作为源漏电极膜，并根据所需图形进行光刻和刻蚀，形成源漏电极图形；之后在源漏电极图形之上采用化学气相沉淀工艺或溅射工艺沉积厚度为100?500nm的S1x或S1xNy作为钝化层，根据需要进行图形化；之后旋涂树脂层并图形化，以形成便于形成金属电极层的平坦表面并防止空气中的水汽进入到晶体管阵列。
[0047]在形成晶体管阵列之后，形成电致发光元件阵列的步骤可以具体包括:
[0048]在树脂层上形成金属电极层；
[0049]在金属电极层上形成ZnON材料层；
[0050]对所形成的ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层；
[0051]在所述微透镜结构层上形成透明电极层。
[0052]在具体实施时，在上述的树脂层中还可以形成有过孔，金属电极层通过所述过孔与晶体管阵列中的源漏电极图形相连。此时，所形成的金属电极层、微透镜结构层和透明电极层作为有机电致发光元件的阳极。
[0053]在实际应用中，在阵列基板上可能仅形成有机电致发光元件阵列的一部分，而不形成有机发射层和顶电极。在具体应用中，可以在另一透明衬底上形成顶电极图形之后形成有机发射层，将该另一透明衬底以及其上形成的结构作为盖板对上述形成的阵列基板进行密封，从而形成完整的有机电致发光元件阵列。当本发明提供的方法用于制作这样的阵列基板时，不包括形成有机发射层和顶电极的步骤。
[0054]此时，本发明提供的制作方法可以不包括形成有机发射层和顶电极的步骤。
[0055]另一方面，本发明还提供了一种电极，如图3所示，该电极可以包括:金属电极层10、形成在所述金属电极层上的微透镜结构层11、形成在所述微透镜结构层上的透明电极层12 ;其中，所述微透镜结构层11采用ZnON材料制作。
[0056]由于本发明提供的电极中微透镜结构层采用ZnON材料制作，能够在制作时，采用碱性溶液或者酸性较弱的溶液对ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层，能够减缓或者避免电极中的金属电极层被刻蚀。
[0057]在具体实施时，这里的微透镜结构层11中微透镜结构的高度可以具体为50-500nm。这样的高度能够使得反射电极的具有更佳的反射率。
[0058]在具体实施时，所述透明电极层12可以采用ITO材料、IZO材料、ITZO材料或IGZO材料制作。
[0059]另一方面，本发明还提供了一种阵列基板，如图4所示，该阵列基板可以包括透明衬底1、以及形成在透明衬底I上的晶体管阵列和有机电致发光元件阵列，其中晶体管阵列包括:形成在基底衬底I上的栅极图形2，形成在栅极图形2上方的栅绝缘层3，形成在栅绝缘层3上方的有源层图形4，形成在有源层图形4和栅绝缘层3之上的刻蚀阻挡层5，形成在刻蚀阻挡层5上方的源漏电极图形6。形成在源漏电极图形6之上的钝化层7，以及形成在钝化层7之上的树脂层8。有机电致发光元件阵列包括形成在树脂层8之上的底电极9，该底电极9包括金属电极层10、形成在底电极上的微透镜结构层11、形成在所述微透镜结构层上的透明电极层12。
[0060]实际应用中，上述的阵列基板可以为W0LED(White 0LED，白光OLED)+COA(ColorOn Array，彩膜制作在基板上)基板，或者也可以为PLED (polymer light-emitting d1de，高分子发光二极管)等阵列基板。
[0061]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但是，本发明的保护范围不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替代，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种电极，其特征在于，包括:金属电极层、形成在所述金属电极层上的微透镜结构层、形成在所述微透镜结构层上的透明电极层；其中，所述微透镜结构层采用ZnON材料制作。
2.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述微透镜结构层中微透镜结构的高度为50_500nm。
3.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述透明电极层采用ITO材料、IZO材料、ITZO材料或IGZO材料制作。
4.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，形成在所述衬底上的晶体管阵列，形成在所述晶体管阵列之上的电致发光元件阵列；其中，所述电致发光元件阵列中的底电极为如权利要求1-3任一项所述的电极。
5.一种电极的制作方法，其特征在于，包括: 在金属电极层上形成ZnON材料层； 对所形成的ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层； 在所述微透镜结构层上形成透明电极层。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述金属电极层上形成的ZnON材料层的厚度为50-500nm。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所形成的ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层包括: 使用碱性溶液对ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层。
8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所形成的ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层包括: 使用质量占比为0.1% -5%的盐酸、醋酸或者草酸溶液对ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层。
9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在金属电极层上形成ZnON材料层包括: 在所述金属电极层上沉积ZnON材料； 在200-500摄氏度的温度下对沉积的ZnON材料退火得到ZnON材料层。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在金属电极层上沉积ZnON材料包括: 通过溅射工艺在所述金属电极层上沉积ZnON材料。
11.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述透明电极层采用ITO材料、IZO材料、ITZO材料或IGZO材料制作。
12.—种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在衬底上形成晶体管阵列和在所述晶体管阵列上形成电致发光元件阵列的步骤； 其中，在所述晶体管阵列上形成电致发光元件阵列时，采用如权利要求6-11任一项所述的方法制作所述电致发光元件阵列的底电极。
【专利摘要】本发明提供了一种电极及其制作方法、阵列基板及其制作方法，电极的制作方法包括：在金属电极层上形成ZnON材料层；对所形成的ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层；在所述微透镜结构层上形成透明电极层。本发明中，由于采用ZnON材料作为用于形成微透镜结构层的材料，能够在通过刻蚀的方式形成微透镜结构时，使用碱性或者酸性较弱的溶液，从而能够阻止金属电极层被腐蚀。
【IPC分类】H01L27-32, H01L51-56, H01L51-52
【公开号】CN104701350
【申请号】CN201510094993
【发明人】王东方, 闫梁臣, 上官荣刚
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年3月3日