应（例如通过聚合交联）的抗蚀剂材料。该方法还包括通过由来自第一层的引发剂化合物 而引发和/或催化的反应来使抗蚀剂材料在与第二层中的缺口相邻处反应，由此形成覆盖 所述缺口的由经反应的抗蚀剂材料形成的补片。并且该方法还包括去除抗蚀剂材料的没有 反应（例如聚合）的部分，其中补片被保留为布置成用于在第一层与后续沉积在第二层或 补片上的层之间提供电绝缘和/或其他类型的绝缘。类似地，可W提供用于实现该方法的 系统。其他类型的绝缘可W包括例如热绝缘。可替代地或另外地，补片可W当作例如抵抗 环境因素（例如氧或水分）的绝缘阻挡物。
[0092] 最后，W上讨论旨在仅对本系统进行说明，并且不应被解释为将所附权利要求限 制为任何具体实施方案或实施方案的组。因而，虽然已经参考本系统的具体示例性实施方 案具体详细地描述了本系统，但是应当理解的是，在不脱离权利要求所阐述的本系统和方 法的范围的情况下，本领域的普通技术人员可W作出许多修改和替代性实施方案。因此，W 说明的方式来看待说明书和附图，并且说明书和附图非旨在限制所附权利要求的范围。
[0093] 在解释所附权利要求时，应当理解的是，词语"包括"不排除在给出的权利要求中 列出的那些元件或动作之外存在其他元件或动作；在元件之前的词语"一个"不排除存在多 个该样的元件；在权利要求中的任何附图标记不限制权利要求的范围；若干"装置"可W通 过相同或不同的一个或多个项或实现的结构或功能来表示；如果没有W另外的方式特别说 明，所公开的器件或器件的部分中的任何器件或器件的部分可W组合在一起或者分离为其 他部分；如果没有特别指出，旨在不要求动作或步骤的特定顺序；如果没有特别指出，旨在 不要求元件的特定次序。
【主权项】
1. 一种制造电光器件堆叠体（10)的方法，所述方法包括： -提供接触电光层（13)的电荷注入层（12)，所述电荷注入层（12)包含引发剂化合物 (12p、16); _在所述电光层（13)上沉积抗蚀剂层（14)，所述抗蚀剂层（14)包含与所述引发剂化 合物（12p、16)反应的抗蚀剂材料（14m); -通过由来自所述电荷注入层（12)的所述引发剂化合物（12p、16)而引发和/或催化 的反应来使所述抗蚀剂材料（14m)在与所述电光层（13)中的缺口相邻处进行反应，由此形 成覆盖所述缺口的经反应的抗蚀剂材料的补片（14p);以及 -去除所述抗蚀剂材料的没有反应的部分，其中，所述补片（14p)被保留为布置成用于 在所述电荷注入层（12)与后续沉积在所述电光层（13)和所述补片（14p)上的层（15)之 间提供电绝缘。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述电荷注入层（12)包括电极（16)并且所述引 发剂化合物包括包含在所述电极（16)中的氧化材料；并且所述方法包括： _在所述电光层（13)上沉积包含可自由基聚合的抗蚀剂材料的抗蚀剂层（14); -通过由来自所述电极（16)的氧化材料的自由基（12p)而引发的自由基聚合反应来 使所述抗蚀剂材料在与所述电光层（13)的缺口相邻处进行反应，由此形成覆盖所述缺口 (12'、13'）的经自由基聚合的抗蚀剂材料的补片（14p);以及 -去除所述抗蚀剂材料的没有聚合的部分，其中，所述补片（14p)被保留为布置成用于 在所述电荷注入层（12)与后续沉积在所述电光层（13)和补片（14p)上的层（15)之间提 供电绝缘。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述引发剂化合物包括包含在所述电荷注入层 (12)中的酸性化合物（12m);并且所述方法包括： _在所述电光层（13)上沉积抗蚀剂层（14)，所述抗蚀剂层（14)包含可阳离子交联的 抗蚀剂材料（14m); -通过由来自所述电荷注入层（12)的质子（12p)而引发的交联反应来使所述抗蚀剂材 料（14m)在与所述电光层（13)中的缺口（12'、13'）相邻处进行反应，由此形成覆盖所述缺 口（12'、13'）的经交联的抗蚀剂材料（14c)的补片（14p);以及 _去除所述抗蚀剂材料（14m)的没有交联的部分，其中，所述补片（14p)被保留为布置 成用于在所述电荷注入层（12)与后续沉积在所述电光层（13)和补片（14p)上的层之间提 供电绝缘。
4. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括： _在所述电光层（13)和补片（14p)上沉积阴极层（15)，其中所述补片（14p)布置成用 于在所述电荷注入层（12)与所述阴极层（15)之间提供电绝缘。
5. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述使所述抗蚀剂材料（14m)进行反 应（C)包括加热所述器件堆叠体并保持预定时间段期间（10)以生长所述补片（14p)。
6. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述电光层（13)的平均层厚为IOnm 至 500nm。
7. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述电荷注入层（12)包含聚（3, 4-亚 乙二氧基噻吩）聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT:PSS)。
8. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在所述电光层（13)上沉积抗蚀剂层 (14) (B)包括沉积包含可阳离子交联的抗蚀剂材料（14m)的溶剂以及蒸发所述溶剂。
9. 一种可通过权利要求3所述的方法获得的电光器件堆叠体（10)，所述器件堆叠体 (10)包括多层结构，所述多层结构包括： -包含酸性化合物（12m)的电荷注入层（12); _阴极层（15);以及 -布置在所述电荷注入层（12)与所述阴极层（15)之间的电光层（13)， -其中在所述电荷注入层（12)与所述阴极层（15)之间在所述电光层（13)中的缺口 (12'、13'）被包含经阳离子交联的抗蚀剂材料（14c)的电绝缘补片（14p)覆盖。
10. -种可通过权利要求2所述的方法获得的电光器件堆叠体（10)，所述器件堆叠体 (10)包括多层结构，所述多层结构包括： -包括含有氧化材料的电极（16)的电荷注入层（12); _阴极层（15);以及 -布置在所述电荷注入层（12)与所述阴极层（15)之间的电光层（13); -其中在所述电荷注入层（12)与所述阴极层（15)之间在所述电光层（13)中的缺口 (12'、13'）被包含经自由基聚合的抗蚀剂材料（14c)的电绝缘补片（14p)覆盖。
11. 一种包括根据权利要求9或10所述的电光器件堆叠体（10)的电子器件（10p、 10s)〇
12. -种用于制造电光器件堆叠体（10)的系统（100)，所述系统包括： _供应系统（21、31)，所述供应系统（21、31)布置成用于提供基底（11); -第一沉积装置（22)，所述第一沉积装置（22)布置成用于在所述基底（11)上沉积电 荷注入层（12)，所述电荷注入层（12)包含引发剂化合物（12p、16); -第二沉积装置（23)，所述第二沉积装置（23)布置成用于在所述电荷注入层（12)上 沉积电光层（13); -抗蚀剂层沉积装置（24)，所述抗蚀剂层沉积装置（24)布置成用于在所述电光层（13) 上沉积抗蚀剂层（14)，所述抗蚀剂层（14)包含与所述引发剂化合物（12p、16)反应的抗蚀 剂材料（14m); -控制器（20)，所述控制器（20)构造成用于控制所述供应系统（21、31)、所述第一沉 积装置（22)、所述第二沉积装置（23)以及所述抗蚀剂层沉积装置（24)以使所述基底（11) 具有多层结构，所述多层结构包括夹在所述电荷注入层（12)与所述抗蚀剂层（14)之间的 所述电光层（13); _所述系统还包括抗蚀剂层去除装置（24'），所述抗蚀剂层去除装置（24'）布置成用 于至少部分地去除所述抗蚀剂材料（14m)，其中所述控制器被配置成用于： _控制所述器件堆叠体，以用于通过由来自所述电荷注入层（12)的所述引发剂化合物 (12p)而引发和/或催化的反应来使所述抗蚀剂材料（14m)在与所述电光层（13)中的缺 口（12'、13'）相邻处进行反应，由此形成覆盖所述缺口（12'、13'）的经交联的抗蚀剂材料 (14c)的补片（14p);以及 _控制所述抗蚀剂层去除装置（24'），以用于去除所述抗蚀剂材料（14m)的没有反应的 部分，其中，所述补片（14p)被保留为布置成用于在所述电荷注入层（12)与后续沉积在所 述电光层（13)和补片（14p)上的层之间提供电绝缘。
13. 根据权利要求12所述的系统（100)，还包括电极层沉积装置（25)，其中所述控制器 被布置成用于： -控制所述电极层沉积装置（25)，以用于在所述电光层（13)和补片（14)上沉积阴极 层（15)，其中所述补片（14p)被布置成用于在所述电荷注入层（12)与所述阴极层（15)之 间提供电绝缘。
14. 根据权利要求12或13所述的系统，其中所述电荷注入层（12)包含酸性化合物 (12m)并且所述抗蚀剂层（14)包含通过交联反应与所述酸性化合物（12m)反应的可阳离子 交联的抗蚀剂材料（14m)。
15. 根据权利要求12或13所述的系统，其中所述电荷注入层（12)包括含有氧化材料 的电极（16)并且所述抗蚀剂层（14)包含通过聚合反应与所述电极（16)的所述氧化材料 的自由基（12p)反应的可自由基聚合的抗蚀剂材料。
【专利摘要】本发明提供了制造电光器件堆叠体(10)的方法，该方法包括：设置包括接触电荷注入层(12)的电光层(13)的多层结构，电荷注入层(12)包含酸性化合物(12m)；在电光层(13)上沉积抗蚀剂层(14)，抗蚀剂层(14)包含可阳离子交联的抗蚀剂材料(14m)；通过由来自电荷注入层(12)的质子(12p)而引发的交联反应来使抗蚀剂材料(14m)在与电光层(13)中的缺口(12’、13’)相邻处进行反应，由此用包含交联的抗蚀剂材料(14c)的补片(14p)来覆盖所述缺口(12’、13’)；以及去除抗蚀剂材料(14m)的没有交联的部分，其中补片(14p)被保留为布置成用于在电荷注入层(12)与后续沉积在电光层(13)和补片(14p)上的层之间提供电绝缘。
【IPC分类】H01L51-56, H01L51-50, H01L51-48
【公开号】CN104756274
【申请号】CN201380055543
【发明人】贾斯珀·约斯特·迈克尔, 保卢斯·威廉默斯·玛丽亚·布洛姆, 乔治·托马斯·雅各布·格茨
【申请人】荷兰应用自然科学研究组织Tno
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年6月14日
【公告号】EP2898554A1, US20150249226, WO2014046539A1