鳍式场效应晶体管及其形成方法
【专利摘要】一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有至少两个分立的凸起结构；在所述相邻的凸起结构之间的半导体衬底上形成绝缘层，所述绝缘层低于所述凸起结构，所述绝缘层与所述凸起结构之间具有阻挡层；对所述凸起结构进行离子注入，形成沟道截止离子注入层。采用本发明的方法能够保证沟道截止离子注入层的离子浓度，进而保证后续形成的鳍式场效应晶体管的鳍部底部不发生穿通(punch through)现象，以提高后续形成的鳍式场效应晶体管的性能。
【专利说明】
鳍式场效应晶体管及其形成方法
技术领域
[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及鳍式场效应晶体管及其形成方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体产业向更低的技术节点的发展，渐渐开始从平面CMOS晶体管向三维鳍式场效应晶体管(FinFET)过渡。FinFET中，栅极结构至少可以从两侧对沟道进行控制，具有比平面MOSFET器件强得多的栅对沟道的控制能力，能够很好的抑制短沟道效应。而且相对其它器件具有更好的与现有的集成电路生产技术的兼容性。
[0003]参考图1至图3，现有技术中的鳍式场效应NMOS晶体管的形成方法如下:
[0004]参考图1和图2，提供硅衬底10，所述半导体衬底上具有至少两个分立的凸起结构101。
[0005]在相邻的凸起结构101之间的硅衬底10上具有绝缘层102，所述绝缘层102的高度低于所述凸起结构101。各绝缘层102的高度相等。所述绝缘层102的材料为氧化硅。
[0006]高于绝缘层102的凸起结构101为后续形成的鳍式场效应NMOS晶体管的鳍部103。
[0007]接着，参考图3，对凸起结构101和绝缘层102进行离子注入，所述注入离子为硼离子。在鳍部103的底部形成沟道截止离子注入层(channel stop layer)。
[0008]然而，采用现有技术的方法形成的鳍式场效应晶体管的性能不佳。
【发明内容】
[0009]本发明解决的问题是采用现有技术的方法形成的鳍式场效应晶体管的性能不佳。
[0010]为解决上述问题，本发明提供一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括:
[0011]提供半导体衬底，所述半导体衬底具有至少两个分立的凸起结构；
[0012]在所述相邻的凸起结构之间的半导体衬底上形成绝缘层，所述绝缘层低于所述凸起结构，所述绝缘层与所述凸起结构之间具有阻挡层；
[0013]对所述凸起结构进行离子注入，形成沟道截止离子注入层。
[0014]可选的，在所述相邻的凸起结构之间的半导体衬底上形成绝缘层，所述绝缘层低于所述凸起结构，所述绝缘层与所述凸起结构之间具有阻挡层的方法包括:
[0015]在所述半导体衬底、所述凸起结构的顶部和侧壁形成阻挡层；
[0016]在所述阻挡层上形成绝缘材料层，所述绝缘材料层高于所述凸起结构；
[0017]回刻所述绝缘材料层形成绝缘层，所述绝缘层低于所述凸起结构。
[0018]可选的，在所述凸起结构的顶部和侧壁形成阻挡层之前，还包括:在所述凸起结构的顶部和侧壁形成应力缓冲层，或者，
[0019]所述凸起结构顶部具有图形化的掩膜层，在所述凸起结构的顶部和侧壁形成阻挡层之前，还包括:在所述凸起结构的侧壁形成应力缓冲层。
[0020]可选的，所述阻挡层的材料为氮化硅。[0021 ] 可选的，所述应力缓冲层的材料为氧化硅。
[0022]可选的，在所述阻挡层上形成绝缘材料层的步骤之前，还包括在所述阻挡层上形成第一保护层的步骤。
[0023]可选的，所述第一保护层的材料为氧化硅。
[0024]可选的，所述绝缘层的材料为氧化硅。
[0025]可选的，所述离子注入的注入离子包括硼离子，所述鳍式场效应晶体管的类型为N型。
[0026]本发明还提供一种鳍式场效应晶体管，包括:
[0027]具有至少两个分立的凸起结构的半导体衬底；
[0028]位于所述相邻的凸起结构之间的半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层低于所述凸起结构；
[0029]所述凸起结构内部具有沟道截止离子注入层，
[0030]所述绝缘层与所述凸起结构之间具有阻挡层。
[0031]可选的，所述阻挡层的材料为氮化硅。
[0032]可选的，所述凸起结构与所述阻挡层之间具有应力缓冲层。
[0033]可选的，所述绝缘层与所述阻挡层之间具有保护层。
[0034]可选的，所述离子注入的注入离子包括硼离子，所述鳍式场效应晶体管的类型为N型。
[0035]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0036]沟道截止离子注入层中的注入离子与周围的绝缘层具有一定的固溶度。因此，沟道截止离子注入层中的注入离子容易扩散到绝缘层，阻挡层可以阻止沟道截止离子注入层中的注入离子扩散至周围的绝缘层中，从而保证沟道截止离子注入层的离子浓度，进而保证后续形成的鳍式场效应晶体管的鳍部底部不发生穿通(punch through)现象，以提高后续形成的鳍式场效应晶体管的性能。
【附图说明】
[0037]图1是现有技术的具有凸起结构和绝缘层的半导体衬底的立体结构示意图；
[0038]图2是图1沿AA方向的剖面结构示意图；
[0039]图3是对图2的结构进行离子注入形成沟道截止离子注入层的剖面结构示意图；
[0040]图4是本发明具体实施例中具有凸起结构的半导体衬底的立体结构示意图；
[0041]图5是图4沿BB方向的剖面结构示意图；
[0042]图6?图10是自图5步骤后继续形成鳍式场效应晶体管的流程步骤的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0043]采用现有技术的方法形成的鳍式场效应NMOS晶体管的性能不佳的原因如下:
[0044]参考图3，对凸起结构101和绝缘层102进行离子注入，所述离子注入的注入离子为硼离子。在鳍部103的底部形成沟道截止离子注入层。鳍部103的底部周围为绝缘层102。硼离子对于绝缘层102来说具有非常大的固溶度，这样，大量的硼离子会很容易的扩散至绝缘层102并溶解在绝缘层102中。而鳍部103的底部周围就是绝缘层。因此，所述图3中的离子注入操作后，注入在鳍部103底部的大量的硼离子会迅速的扩散至周围的绝缘层102中，从而使得沟道截止离子注入层的浓度迅速减小，无法发挥沟道截止作用。这样，后续形成的鳍式场效应NMOS晶体管的鳍部底部容易穿通，进而影响后续形成的鳍式场效应NMOS晶体管的性能。
[0045]为了解决上述技术问题，本发明提供一种鳍式场效应晶体管的形成方法，采用本发明的方法形成的鳍式场效应晶体管性能会有所提高。
[0046]为使本发明的上述目的和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0047]参考图4和图5，提供半导体衬底20，所述半导体衬底20具有至少两个分立的凸起结构201。具体形成方法如下:
[0048]本实施例中，半导体衬底20是硅衬底。其他实施例中，半导体衬底也可以为锗硅衬底、II1- V族元素化合物衬底、碳化硅衬底或其叠层结构，或金刚石衬底，或本领域技术人员公知的其他半导体材料衬底。
[0049]在半导体衬底20上形成图形化的掩膜层202，所述图形化的掩膜层202的材料为氮化硅。所述图形化的掩膜层定义出待形成的凸起结构的位置。以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀半导体衬底20，形成至少两个分立的凸起结构201。
[0050]此时，凸起结构201的顶部具有图形化的掩膜层202。
[0051]其他实施例中，形成凸起结构201后，可以将图形化的掩膜层202去除。
[0052]接着，参考图6，在所述半导体衬底20和凸起结构201的侧壁形成应力缓冲材料层203ao
[0053]本实施例中，应力缓冲材料层203a的材料为氧化硅。应力缓冲材料层203a的主要作用为:后续工艺中，需要在应力缓冲材料层203a上形成阻挡材料层，该应力缓冲材料层203a为阻挡材料层的应力缓冲层。如果没有应力缓冲材料层203a的存在。阻挡材料层会对凸起结构201产生较大应力，再加上凸起结构201的尺寸较小，该较大应力会使凸起结构201中的硅产生位错，从而严重影响后续形成的鳍式场效应晶体管的性能。
[0054]本实施例中，应力缓冲材料层203a的厚度为大于等于25埃且小于等于40埃，如果应力缓冲材料层203a的厚度太大，后续工艺步骤中，相邻的凸起结构201之间的深宽比太大，在相邻的凸起结构201之间填充的绝缘材料层的内部会有空隙。如果应力缓冲材料层203a的厚度太小，对阻挡层的应力缓冲效果不佳，不能够有效的避免凸起结构201中产生的位错缺陷。
[0055]形成应力缓冲材料层203a的方法为现场水汽生成氧化法(in_situ steamgenerat1n，ISSG)。现场水汽生成氧化法，能够形成厚度非常薄的应力缓冲材料层203a。其他实施例中，也可以采用化学气相沉积法(CVD)。
[0056]其他实施例中，也可以采用原子沉积法(ALD)形成应力缓冲材料层，只是成本略尚O
[0057]其他实施例中，也可以采用高温氧化法(High Temperature Oxidat1n，HT0)形成应力缓冲材料层。但是该氧化法的温度太高会对衬底中的阱区的离子分布产生影响。
[0058]其他实施例中，如果将凸起结构顶部的图形化的掩膜层去除，则在凸起结构的顶部和侧壁形成应力缓冲材料层，也属于本发明的保护范围。
[0059]这是，形成应力缓冲材料层的方法较佳为现场水汽生成氧化法。现场水汽生成氧化法，不受凸起结构的顶部和侧壁的晶向限制，可以在凸起结构201的顶部和侧壁氧化形成厚度一致的应力缓冲材料层203a，进而可以使得缓冲作用均匀。再者，采用现场水汽生成氧化法，能够形成厚度非常薄的应力缓冲材料层203a。
[0060]其他实施例中，也可以采用化学气相沉积法(CVD)。但是，采用化学气相沉积法形成的应力缓冲材料层在凸起结构的顶部和侧壁的厚度不一致，因为，凸起结构的顶部和侧壁的晶向不同，而化学气相沉积法受凸起结构的顶部和侧壁的晶向的限制。因此，采用化学气相沉积法形成的应力缓冲材料层的缓冲作用不够均匀。
[0061]其他实施例中，也可以采用原子沉积法(ALD)形成应力缓冲材料层，只是成本略尚O
[0062]其他实施例中，也可以采用高温氧化法(HTO)形成应力缓冲材料层。但是该氧化法的温度太高会对衬底中的阱区的离子分布产生影响。
[0063]其他实施例中，不形成应力缓冲材料层也属于本发明的保护范围，只是后续形成鳍式场效应晶体管的性能欠佳。
[0064]接着，参考图7，在所述应力缓冲材料层203a、图形化的掩膜层202的顶部和侧壁形成阻挡材料层204a。
[0065]本实施例中，阻挡材料层204a的材料为氮化硅。
[0066]形成阻挡材料层204a的方法为原子层沉积。因为，原子层沉积的方法能够保证阻挡材料层204a的厚度足够薄，且，在如此薄的厚度情况下，还能保证阻挡材料层204a的均勾度。
[0067]本实施例中，阻挡材料层204a的厚度为大于等于30埃且小于等于50埃。
[0068]当然，其他实施例中，如果凸起结构的顶部没有图形化的掩膜层202，则在应力缓冲材料层203a上形成阻挡材料层204a。
[0069]接着，继续参考图7，在阻挡材料层204a上形成第一保护材料层205a。
[0070]本实施例中，第一保护材料层205a的材料为氧化硅。
[0071]第一保护材料层205a的作用为:在后续形成绝缘材料层的工艺中，第一保护材料层205a保护阻挡材料层204a的厚度不会被减小。具体为:后续工艺中，绝缘材料层的材料为氧化硅。在向相邻的凸起结构201之间填充绝缘材料层的方法为流动化学气相沉积法(Flowable Chemical Vapor Deposit1n，FCVD)，形成的绝缘材料层的表面平整且内部没有空隙。但是，形成的绝缘材料层的非常疏松，无法应用于鳍式场效应晶体管。相应的，为了增加填充绝缘材料层的致密度以增加绝缘材料层的机械性能，必须对绝缘材料层进行退火处理。如果不在阻挡材料层204a上形成第一保护材料层205a，所述退火处理过程中释放的水蒸气会阻挡材料层进行反应，从而会损伤材料为氮化硅的阻挡材料层204a，使阻挡材料层204a的厚度减小，进而使得阻挡材料层204a无法阻挡后续形成的沟道截止离子注入层的注入离子扩散进入绝缘层。
[0072]本实施例中，第一保护材料层205a的厚度为大于等于25埃且小于等于40埃，如果第一保护材料层205a的厚度太大，后续工艺步骤中，相邻的凸起结构201之间的深宽比太大，在相邻的凸起结构201之间形成的绝缘层的内部会有空隙。如果第一保护材料层205a的厚度太小，对其下的阻挡层不能进行有效的保护。
[0073]本实施例中，形成第一保护材料层205a的方法为快速热化学沉积(RTCVD)。形成的第一保护材料层205a均匀度好。且较薄。其他实施例中，也可以采用ALD氧化法，只是成本高，但是也属于本发明的保护范围。
[0074]需要说明的是，不能采用热氧化生长的方法形成第一保护材料层205a，因为第一保护材料层205a的底部为氮化硅。
[0075]接着，参考图8，在第一保护材料层205a上形成绝缘材料层206a，绝缘材料层206a高于凸起结构201。
[0076]本实施例中，绝缘材料层206a的材料为氧化硅。相邻的两个凸起结构201之间的深宽比很大。在向深宽比如此大的相邻的凸起结构201之间填充绝缘材料层206a的方法为流动化学气相沉积(Flowable Chemical Vapor Deposit1n，FCVD)。采用流动化学气相沉积形成的绝缘材料层的表面平整且内部没有空隙。但是，形成的绝缘材料层的非常疏松，无法应用于鳍式场效应晶体管。相应的，为了增加填充绝缘材料层的致密度以增加绝缘材料层的机械性能，必须对绝缘材料层进行退火处理。如果不在阻挡材料层204a上形成第一保护材料层205a，所述退火处理过程中释放的水蒸气会阻挡材料层进行反应，从而会损伤材料为氮化硅的阻挡材料层204a，使阻挡材料层204a的厚度减小，进而使得阻挡材料层204a无法阻挡后续形成的沟道截止离子注入层的注入离子扩散进入绝缘层。因此，需要在阻挡材料层204a的表面形成第一保护材料层205a。
[0077]其他实施例中，形成绝缘材料层的方法还可以为高纵深比填沟工艺(High AspectRat1 Process，HARP)，采用高纵深比填沟工艺形成绝缘材料层的过程中，也会对阻挡材料层造成损伤，使其厚度减小。因此，也需要第一保护材料层对其进行覆盖保护其在形成绝缘材料层的过程中不受损伤。
[0078]其他实施例中，如果采用高密度等离子体(High Density Plasma, HDP)的方法形成绝缘材料层206a，不会对阻挡材料层的厚度减小。但是，形成的绝缘材料层的内部会有空隙。也属于本发明的保护范围。
[0079]接着，结合参考图8和图9，回刻绝缘材料层206a，形成绝缘层206。绝缘层206的高度低于凸起结构201。
[0080]本实施例中，回刻绝缘材料层206a的方法包括:
[0081]首先采用湿法腐蚀的方法将绝缘材料层206a刻蚀去除高度H1，该高度Hl占需要去除总高度的20%?40%。接着，采用Siconi刻蚀方法继续刻蚀去除高度H2的绝缘材料层206a，该高度H2占需要去除总高度的60%?80%，形成绝缘层206。其中，湿法腐蚀的湿法腐蚀剂为稀氢氟酸。
[0082]需要说明的是，如果将绝缘材料层206a都采用湿法腐蚀的方法进行刻蚀形成绝缘层，则在整片晶圆上，器件分布密集区会刻蚀较少厚度的绝缘材料层206a。器件分布稀疏区会刻蚀较多厚度的绝缘材料层206a。因此，整片晶圆上，刻蚀去除部分绝缘材料层206a后，形成的绝缘层206的厚度不均匀，从而影响后续形成的鳍式场效应晶体管的性能。
[0083]如果将绝缘材料层206a都采用Siconi刻蚀方法刻蚀形成绝缘层206，则工艺成本太尚。
[0084]因此，采用本实施例的湿法腐蚀方法与Siconi刻蚀方法相结合的刻蚀条件形成的绝缘层206的厚度均匀，表面平整，且工艺生产成本最低。
[0085]本实施例中，在上述刻蚀条件去除部分高度的绝缘材料层206a的过程中，第一保护材料层205a、阻挡材料层204a和应力缓冲材料层203a也会被同时去除，剩下的第一保护材料层205a、阻挡材料层204a和应力缓冲材料层203a的高度相等，且都等于绝缘层206的高度。这样，剩余的第一保护材料层205a、阻挡材料层204a和应力缓冲材料层203a分别为第一保护层205、阻挡层204和应力缓冲层203。
[0086]形成绝缘层206后，高于绝缘层的凸起结构201为鳍部207。
[0087]接着，参考图9，在绝缘层206、鳍部207的顶部和侧壁形成第二保护层208。
[0088]第二保护层28的作用为:后续对鳍部207进行各种离子注入(包括沟道截止离子注入)的过程中，一方面第二保护层208可以减小离子注入过程对鳍部207表面的损伤。例如，第二保护层208可以减小离子注入过程对鳍部207内部晶格的破坏程度。另一方面，如果在鳍部207的表面没有第二保护层208的阻挡，离子被注入至鳍部晶界处的几率增加，相对于其他注入离子，注入至晶界处的离子的深度会非常大。这样，后续在各鳍部内形成相同的离子注入区的深度不均一。
[0089]第二保护层208的材料为氧化硅。第二保护层208的厚度为大于等于20埃且小于等于40埃。形成第二保护层208的方法为原子层沉积或快速氧化。因为，只有原子层沉积法或快速氧化法才能够形成如此薄的保护层。其中，快速氧化法的温度为700?1000°C。
[0090]形成第二保护层208的过程中会消耗鳍部207边缘的硅。第二保护层28的厚度如果太厚，会在第二保护层208内形成各离子注入区，从而使本应注入至鳍部207的各种离子注入的效果不佳。第二保护层208的厚度如果太薄，在后续的离子注入过程中，起不到上述保护和上述阻挡的作用。
[0091]其他实施例中，不形成第二保护层208也属于本发明的保护范围。
[0092]参考图10，对凸起结构201进行离子注入，形成沟道截止离子注入层209。
[0093]本实施例中，对凸起结构201进行离子注入为了在鳍部207的底部形成沟道截止离子注入层209。后续形成的晶体管为鳍式场效应NMOS晶体管，所述离子注入的注入离子为硼离子。
[0094]本实施例中，之所以在鳍部207的底部形成沟道截止离子注入层209，原因如下:鳍部207的尺寸非常小，因此，除了鳍部207底部以上的鳍部部分都被完全耗尽。但是，鳍部207的底部与衬底的距离最近，因此，在鳍部207的底部无法形成完全耗尽。因此，需要在鳍部207的底部形成沟道截止离子注入层209，否则非常容易使后续形成的鳍式场效应晶体管的鳍部底部发生穿通(punch through)现象。从而严重影响后续形成的鳍式场效应晶体管的性能。
[0095]对于鳍式场效应NMOS晶体管来说，注入离子为硼离子，硼离子在绝缘层206的固溶度高，硼离子非常容易扩散至周围的绝缘层206中。但是，本实施例中，阻挡层204可以阻止沟道截止离子注入层209中的大量的硼离子扩散至周围的绝缘层206中，从而保证沟道截止离子注入层209的离子浓度，进而保证后续形成的鳍式场效应NMOS晶体管的鳍部底部发生穿通现象，以提高后续形成的鳍式场效应NMOS晶体管的性能。
[0096]需要说明的是，本实施例中，阻挡层204的厚度为大于等于30埃且小于等于50埃。阻挡层204的厚度如果太大，后续工艺步骤中，相邻的凸起结构201之间的深宽比太大，即使采用流动化学气相沉积的方法，在相邻的凸起结构201之间形成的绝缘层的内部会有空隙。如果阻挡层204的厚度太小，对硼离子的阻挡效果不佳。
[0097]其他实施例中，如果鳍式场效晶体管的类型为P型，则形成沟道截止离子注入层的注入离子为砷离子。砷离子虽然在绝缘层的固溶度较小，但是阻挡层也能阻止砷离子的扩散，有利于提高后续形成的鳍式场效应晶体管的性能，也属于本发明的保护范围。
[0098]需要继续说明的是对凸起结构201进行离子注入的同时，也同时会对绝缘层206进行离子注入的。
[0099]参考图10，本发明还提供一种鳍式场效应晶体管，包括:
[0100]具有至少两个分立的凸起结构201的半导体衬底20 ；
[0101]位于所述相邻的凸起结构201之间的半导体衬底上的绝缘层206，所述绝缘层206低于所述凸起结构201 ；
[0102]所述凸起结构201内部具有沟道截止离子注入层209，
[0103]所述绝缘层206与所述凸起结构201之间具有阻挡层204。
[0104]本实施例中，所述阻挡层204的材料为氮化硅。
[0105]本实施例中，所述凸起结构201与所述阻挡层204之间具有应力缓冲层203。
[0106]本实施例中，所述绝缘层206与所述阻挡层204之间具有保护层205。
[0107]本实施例中，所述离子注入的注入离子包括硼离子，所述鳍式场效应晶体管的类型为N型。
[0108]其他实施例中，所述离子注入的注入离子包括砷离子，所述所述鳍式场效应晶体管的类型为P型。
[0109]具体请参考方法实施例。
[0110]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括: 提供半导体衬底，所述半导体衬底具有至少两个分立的凸起结构； 在所述相邻的凸起结构之间的半导体衬底上形成绝缘层，所述绝缘层低于 所述凸起结构，所述绝缘层与所述凸起结构之间具有阻挡层； 对所述凸起结构进行离子注入，形成沟道截止离子注入层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述相邻的凸起结构之间的半导体衬底上形成绝缘层，所述绝缘层低于所述凸起结构，所述绝缘层与所述凸起结构之间具有阻挡层的方法包括: 在所述半导体衬底、所述凸起结构的顶部和侧壁形成阻挡层； 在所述阻挡层上形成绝缘材料层，所述绝缘材料层高于所述凸起结构； 回刻所述绝缘材料层形成绝缘层，所述绝缘层低于所述凸起结构。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述凸起结构的顶部和侧壁形成阻挡层之前，还包括:在所述凸起结构的顶部和侧壁形成应力缓冲层，或者， 所述凸起结构顶部具有图形化的掩膜层，在所述凸起结构的顶部和侧壁形成阻挡层之前，还包括:在所述凸起结构的侧壁形成应力缓冲层。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化硅。5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述应力缓冲层的材料为氧化硅。6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述阻挡层上形成绝缘材料层的步骤之前，还包括在所述阻挡层上形成第一保护层的步骤。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一保护层的材料为氧化硅。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入的注入离子包括硼离子，所述鳍式场效应晶体管的类型为N型。10.一种鳍式场效应晶体管，包括: 具有至少两个分立的凸起结构的半导体衬底； 位于所述相邻的凸起结构之间的半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层低于所述凸起结构； 所述凸起结构内部具有沟道截止离子注入层， 其特征在于，所述绝缘层与所述凸起结构之间具有阻挡层。11.如权利要求10所述的晶体管，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化硅。12.如权利要求10所述的晶体管，其特征在于，所述凸起结构与所述阻挡层之间具有应力缓冲层。13.如权利要求10所述的晶体管，其特征在于，所述绝缘层与所述阻挡层之间具有保护层。14.如权利要求10所述的晶体管，其特征在于，所述离子注入的注入离子包括硼离子，所述鳍式场效应晶体管的类型为N型。
【文档编号】H01L21/336GK105845569SQ201510016512
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2015年1月13日
【发明人】周飞, 赵海, 李勇, 居建华
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司