一种dmos产品碗口处多晶硅残留的处理方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制造技术领域，特别是指一种DM0S产品碗口处多晶娃残留的 处理方法。
【背景技术】
[0002] 目前，DM0S的两部二氧化娃湿刻分别是一次湿法刻蚀和二次湿法刻蚀，如图1所 示，前者是沿a轨迹做Body用，B0E湿刻后注入；后者是沿b轨迹做Well用、湿刻后注入， 两者均要求不损伤衬底（Si)所W要求湿法腐蚀、不容许干刻（Plasma化ch)。
[0003] DMOS产品在两步二氧化娃湿刻后侧壁凹进成碗口，多晶娃任oly-Si)淀积后此处 非常厚，刻蚀前如图1所示；干刻后往往留下残留C，如图2所示。刻蚀包括各向同性刻蚀 和各向异性刻蚀，湿法腐蚀或微波产生等离子体刻蚀均为各向同性刻蚀，如图3所示；电压 产生的等离子体刻蚀为各向异性，如图4所示，图3与图4中的d均为反应性离子，用于化 学反应刻蚀；e均为轰击离子，用于物理反应刻蚀；f均为光刻胶，用于防止不需要刻蚀的地 方被刻蚀掉；各向同性刻蚀与各向异性刻蚀相比化学反应刻蚀多于物理反应刻蚀。
[0004] 现有干刻技术采用的反应离子RIE各向异性刻蚀机台，比如P5000或Lam4400只 能做纵向（Y方向）刻蚀，增加过腐蚀时间的同时聚合物化lymer也会随着增加，反过来阻 止干刻的进行，碗口处始终有多晶娃残留，如图2所示，达不到消除碗口处多晶娃残留的目 的。
【发明内容】
[0005] 本发明要解决的技术问题是提供一种DM0S产品碗口处多晶娃残留的处理方法， 解决现有技术中DM0S产品碗口处多晶娃残留清除不彻底的问题。
[0006] 为解决上述技术问题，本发明的实施例提供一种DM0S产品碗口处多晶娃残留的 处理方法，包括如下步骤：
[0007] 使用各向同性的干刻机台对DM0S产品碗口处多晶娃残留进行刻蚀。
[0008] 上述的处理方法，其中，所述干刻机台在纵向刻蚀的同时也进行横向刻蚀。
[0009] 上述的处理方法，其中，进行刻蚀的步骤具体如下：
[0010] 在预设工艺压力的真空下，预设工艺时间内微波将四氣化碳CF4电离出反应性离 子氣F*和碳C*，所述F*和所述C*分别与多晶娃Si和氧气〇2发生化学反应而刻蚀。
[0011] 上述的处理方法，其中，所述预设工艺压力为2. 0巧。
[0012] 上述的处理方法，其中，所述微波的功率为1000瓦。
[0013] 上述的处理方法，其中，所述CF4的浓度为1. 5升/分钟。
[0014] 上述的处理方法，其中，所述〇2的浓度为0. 5升/分钟。
[0015] 上述的处理方法，其中，所述预设工艺时间为60砂。
[0016] 上述的处理方法，其中，所述干刻机台的型号为AE2001。
[0017] 本发明的上述技术方案的有益效果如下：
[001引上述方案中，所述处理方法的刻蚀速率快，可彻底清除DMOS产品碗口处多晶娃残 留，且刻蚀后的条宽损失和条宽均匀性满足产品的工艺要求。
【附图说明】
[0019] 图1为现有技术中DM0S广品碗口处多晶娃淀积刻蚀自U不意图；
[0020] 图2为现有技术中DM0S产品碗口处多晶娃进行刻蚀后残留示意图；
[0021]图3为现有技术中各向同性刻蚀示意图；
[0022] 图4为现有技术中各向异性刻蚀示意图。
【具体实施方式】
[0023]为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具 体实施例进行详细描述。
[0024] 本发明针对现有的DM0S产品碗口处多晶娃残留清除不彻底的问题，提供一种 DM0S产品碗口处多晶娃残留的处理方法，包括如下步骤：
[0025] 使用各向同性的干刻机台对DM0S产品碗口处多晶娃残留进行刻蚀。
[0026] 其中，所述干刻机台在纵向刻蚀的同时也进行横向刻蚀。
[0027] 本发明实施例提供的所述处理方法中的所述干刻机台优先选择型号为AE2001，当 然也可W选择其他能够达到技术目的的型号，在此不一一举例。
[002引具体的，进行刻蚀的步骤具体如下：
[0029] 在预设工艺压力的真空下，预设工艺时间内微波将四氣化碳CF4电离出反应性离 子氣F*和碳C*，所述F*和所述C*分别与多晶娃Si和氧气〇2发生化学反应而刻蚀。
[0030] 由于各向同性干刻机根据常规菜单进行操作时反应速度慢、条宽损失过大、条宽 均匀性差，所W本发明实施例提供的所述处理方法对菜单进行了改进：其中，所述预设工艺 压力为2. 0巧；所述微波的功率为1000瓦；所述CF4的浓度为1. 5升/分钟；所述〇2的浓 度为0. 5升/分钟；所述预设工艺时间为60砂。本发明实施例提供的所述处理方法的具体 执行菜单如表1所示：
[0031]
【主权项】
1. 一种DMOS产品碗口处多晶硅残留的处理方法，其特征在于，包括如下步骤： 使用各向同性的干刻机台对DMOS产品碗口处多晶硅残留进行刻蚀。
2. 根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述干刻机台在纵向刻蚀的同时也 进行横向刻蚀。
3. 根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，进行刻蚀的步骤具体如下： 在预设工艺压力的真空下，预设工艺时间内微波将四氟化碳CF4电离出反应性离子氟F*和碳C*，所述F*和所述C*分别与多晶硅Si和氧气O2发生化学反应而刻蚀。
4. 根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述预设工艺压力为2. 0托。
5. 根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述微波的功率为1000瓦。
6. 根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述CF4的浓度为1. 5升/分钟。
7. 根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述O2的浓度为0. 5升/分钟。
8. 根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述预设工艺时间为60秒。
9. 根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述干刻机台的型号为AE2001。
【专利摘要】本发明提供一种DMOS产品碗口处多晶硅残留的处理方法，涉及半导体制造技术领域，为解决现有技术中DMOS产品碗口处多晶硅残留清除不彻底的问题而发明；所述处理方法包括如下步骤：使用各向同性的干刻机台对DMOS产品碗口处多晶硅残留进行刻蚀。本发明提供的方案刻蚀速率快，可彻底清除DMOS产品碗口处多晶硅残留，且刻蚀后的条宽损失和条宽均匀性满足产品的工艺要求。
【IPC分类】H01L21-02
【公开号】CN104766782
【申请号】CN201410003410
【发明人】陈定平, 朱爱兵
【申请人】北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2014年1月3日