] 本发明提供一种晶圆表面平坦化工艺，工艺流程参见图5,具体包括W下步骤：
[0031] 步骤1、在有台阶的晶圆表面形成第一正娃酸己醋层6 ;
[0032] 如图6所示，在有台阶的晶圆表面W等离子体辅助化学气相沉积法（PECVD)沉积 第一正娃酸己醋层6,其中，所述第一正娃酸己醋层6的厚度为1000-3000A。
[0033] 在本实施例中，所指的有台阶的晶圆的结构组成为衬底1、场氧化层2、多晶娃层 3、介质层4W及金属5。
[0034] 步骤2、在所述第一正娃酸己醋层6上形成第一旋涂玻璃层7,所述第一旋涂玻璃 层7在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；
[00巧]如图7所示，在所述第一正娃酸己醋层6上旋涂所述第一旋涂玻璃层7,所述第一 旋涂玻璃层7的厚度为1500-3000A。其中，旋涂第一旋涂玻璃层7的厚度视台阶的高度 而定，一般应保证所述第一旋涂玻璃层7在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度。
[0036] 本实施例中指的"台阶"指的是金属5,相对于介质层4的凸起部分，"非台阶"指 的是在金属5之间的凹陷部分。
[0037] 步骤3、对形成的第一旋涂玻璃层7进行离子注入；
[0038] 利用高能离子注入工艺对旋涂玻璃层7进行固化处理，一般采用氮气或神对形成 第一旋涂玻璃层7后的晶圆进行离子注入。其中，离子注入的能量为70-200KEV。
[0039] 步骤4、在离子注入后的所述第一旋涂玻璃层7上形成第二旋涂玻璃层8,所述第 二旋涂玻璃层8在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；
[0040] 如图8所示，在所述第一旋涂玻璃层7上旋涂所述第二旋涂玻璃层8,所述第二旋 涂玻璃层8的厚度为1500-3000A。其中，旋涂第二旋涂玻璃层8的厚度视台阶的高度而 定，一般应保证所述第二旋涂玻璃层8在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度。在所述第 二旋涂玻璃层8旋涂W后晶圆表面平坦化已经趋于完全。
[0041] 步骤5、对形成第二旋涂玻璃层8后的晶圆进行烘烤；
[0042] 对形成第二旋涂玻璃层后的晶圆进行烘烤，其烘烤的温度为200-40(TC，烘烤的时 间为30-90min。高温烘烤的目的是为了解决旋涂玻璃吸潮的问题，在该温度范围内，可W使 旋涂玻璃中的有机物质的0-H键发生断裂，有效阻碍了 0-H和H原子结合成水分子，从而有 效的解决了旋涂玻璃吸潮的问题。
[0043] 步骤6、对所述第一旋涂玻璃层7和所述第二旋涂玻璃层8进行回刻；
[0044] 如图9所示，对所述第一旋涂玻璃层7和所述第二旋涂玻璃层8进行回刻，其回刻 量与所述第二旋涂玻璃层8的厚度相同，通过回刻的方式减少旋涂旋涂玻璃之后的晶圆表 面的台阶差，W获取满足要求的晶圆表面平整度。
[0045] 步骤7、在回刻后的旋涂玻璃层上形成第二正娃酸己醋层9 ;
[0046] 如图10所示，在有台阶的晶圆表面W等离子体辅助化学气相沉积法（PECVD)沉积 第二正娃酸己醋层9,其中，所述第二正娃酸己醋层9的厚度为3000-5000A。
[0047] 最后应说明的是；W上各实施例仅用W说明本发明的技术方案，而非对其限制； 尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其 依然可W对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征 进行等同替换；而该些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技 术方案的范围。
【主权项】
1. 一种晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，包括以下步骤： 在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层； 在所述第一正硅酸乙酯层上形成第一旋涂玻璃层，所述第一旋涂玻璃层在非台阶处的 厚度大于在台阶处的厚度； 对形成的第一旋涂玻璃层进行离子注入； 在离子注入后的所述第一旋涂玻璃层上形成第二旋涂玻璃层，所述第二旋涂玻璃层在 非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度； 对形成第二旋涂玻璃层后的晶圆进行烘烤； 对所述第一旋涂玻璃层和所述第二旋涂玻璃层进行回刻； 在回刻后的旋涂玻璃层上形成第二正硅酸乙酯层。
2. 根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述第一正硅酸乙酯层 和所述第二正硅酸乙酯层均采用等离子体辅助化学气相沉积法形成。
3. 根据权利要求1或2所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述第一正硅酸乙酯 层的厚度为1000-3000A，所述第二正硅酸乙酯层的厚度为3000-5000A。
4. 根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述第一旋涂玻璃层和 所述第二旋涂玻璃层的厚度均为丨500-3000A。
5. 根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述对形成的第一旋涂 玻璃层进行离子注入，具体为：采用氩气或砷对形成第一旋涂玻璃层后的晶圆进行离子注 入。
6. 根据权利要求1或5所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述离子注入的能量 为 70-200KEV。
7. 根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，所述烘烤的温度为 200-400°C，烘烤的时间为 30-90min。
8. 根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，采用干法刻蚀对所述第 一旋涂玻璃层和所述第二旋涂玻璃层进行回刻，其回刻量与所述第二旋涂玻璃层的厚度相 同。
【专利摘要】本发明提供一种晶圆表面平坦化工艺，包括以下步骤：在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层；在所述第一正硅酸乙酯层上形成第一旋涂玻璃层，所述第一旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；对形成的第一旋涂玻璃层进行离子注入；在离子注入后的所述第一旋涂玻璃层上形成第二旋涂玻璃层，所述第二旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；对形成第二旋涂玻璃层后的晶圆进行烘烤；对所述第一旋涂玻璃层和所述第二旋涂玻璃层进行回刻；在回刻后的旋涂玻璃层上形成第二正硅酸乙酯层。该平坦化工艺不但简化了工艺流程，极大程度的节约成本，而且大大降低了不同位置处介质层起伏波动状况的发生，极大程度的避免了金属残留。
【IPC分类】H01L21-31, H01L21-3115
【公开号】CN104810275
【申请号】CN201410037773
【发明人】由云鹏, 潘光燃, 王焜, 石金成
【申请人】北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2014年1月26日