面相连接。
[0035]在本实施例中，具体的，图3g为本实施例中介质层和接触孔的形成方式的示意图，如图3g所示，介质层由不掺杂二氧化硅和磷硅玻璃制成，其中，不掺杂的二氧化硅的厚度为0.2um ;磷硅玻璃的厚度为0.8um。
[0036]另外，图3h为本实施例中金属层的形成方式的示意图，如图3h所示，在介质层侧的金属层可以称之为正面金属层，其需要进行光刻和刻蚀处理。在N型衬底侧的金属层称之为背面金属层(或者钛镍银复合层)。由图3h可知，正面金属层与源区的侧面连接时，也同时与源区的表面的钛硅化物的侧面相连接，由于源区的表面的钛硅化物的电阻率极小，且覆盖了整个源区的上表面，这将相当于金属层延伸到了整个源区的表面，从而使得源区与金属层的接触面积变大，进而提高了源区与P+体区的短接效果。
[0037]在本实施例中，依次形成栅氧化层、多晶硅层、P-体区、N型源区、氮化硅层和P+体区；对该氮化硅层以及该栅氧化层进行刻蚀处理，以在该多晶硅层的侧壁形成侧墙；在该多晶硅层和N型源区的上表面形成一层钛的硅化物，并降低该钛的硅化物的电阻；再依次形成介质层、接触孔和金属层，以使得该金属层分别与该N型源区的侧面以及该N型源区的上表面的钛的硅化物的侧面相连接，由于金属层与该N型源区的侧面相连接的同时，与该N型源区的上表面的钛的硅化物的侧面相连接，且源区的上表面的钛硅化物的电阻率极小，且覆盖了整个源区的上表面，这将相当于金属层延伸到了整个源区的表面，因此使得源区与金属层的接触面积变大，从而提高了源区与P+体区的短接效果，进而提高了 EAS能力。
[0038]图4为本发明VDMOS管的制造方法的另一个实施例的流程图，在上述图2所示实施例的基础上，如图4所示，步骤103中在该多晶硅层和N型源区的表面形成一层钛的硅化物的一种具体实现方式为:
[0039]步骤201、在该多晶硅层和N型源区的上表面上形成钛层。
[0040]步骤202、对硅片进行第一预设温度的高温退火处理，以使得与该钛层接触的该多晶硅层和N型源区的上表面形成一层钛的硅化物。
[0041]步骤203、通过硫酸和双氧水的混合液，去除多余未反应的钛层。
[0042]在本实施中，该多晶硅层和N型源区的上表面上形成钛层，该钛层的厚度大于或等于0.02毫米，且小于或等于0.06毫米。并对硅片进行第一预设温度的高温退火处理，从而使得与钛层接触的多晶硅层和N型源区的上的表面都会形成一层钛的硅化物，而需要说明的是，钛与氮化硅，即在多晶硅层的侧壁所形成的侧墙表面不会形成钛的硅化物。然后通过硫酸和双氧水的混合液，去除多余未反应的钛层。其中，该第一预设温度大于或等于6000C，且小于或等于800°C。
[0043]优选地，步骤103中降低该钛的硅化物的电阻的一种具体实现方式为:
[0044]步骤204、对该硅片进行第二预设温度的高温退火处理，以降低该钛的硅化物的电阻。
[0045]在本实施例中，该第二预设温度大于或等于800°C，且小于或等于1000°C。
[0046]本发明还提供了一种VDMOS，包括:N型衬底，在该N型衬底上表面形成的N型外延层，在该N型外延层上表面形成的栅氧化层，在该栅氧化层上表面形成的多晶硅层，在该N型衬底上形成的P-体区、N型源区和P+体区，由对该多晶硅层上形成的氮化硅层以及该栅氧化层的刻蚀而形成的该多晶硅层的侧墙，在该多晶硅层和N型源区的上表面形成的钛的硅化物层，在该多晶硅层、该多晶硅层的侧墙和该硅化物层的表面形成的介质，在该P+体区上方形成的接触孔，以及在该介质层的上表面、该接触孔中以及该N型衬底的下表面形成的金属层；其中，该金属层分别与该N型源区的侧面以及该N型源区的表面的钛的硅化物的侧面相连接。
[0047]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体VDMOS管的制造方法，其特征在于，包括： 在硅片上依次形成栅氧化层、多晶硅层、P-体区、N型源区、氮化硅层和P+体区； 对所述氮化硅层以及所述栅氧化层进行刻蚀处理，以在所述多晶硅层的侧壁形成侧m ; 在所述多晶硅层和N型源区的上表面形成一层钛的硅化物，并降低所述钛的硅化物的电阻； 依次形成介质层、接触孔和金属层，以使得所述金属层分别与所述N型源区的侧面以及所述N型源区的上表面的钛的硅化物的侧面相连接。
2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅层和N型源区的表面形成一层钛的硅化物，包括： 在所述多晶硅层和N型源区的上表面上形成钛层； 对所述硅片进行第一预设温度的高温退火处理，以使得与所述钛层接触的所述多晶硅层和N型源区的上表面形成一层钛的硅化物； 通过硫酸和双氧水的混合液，去除多余未反应的钛层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述降低所述钛的硅化物的电阻，包括： 对所述硅片进行第二预设温度的高温退火处理，以降低所述钛的硅化物的电阻。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述钛层的厚度大于或等于O.02毫米，且小于或等于O. 06毫米。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预设温度大于或等于60(TC，且小于或等于800°C。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二预设温度大于或等于800°C，且小于或等于1000°C。
7.一种VDM0S，其特征在于，包括：N型衬底，在所述N型衬底上表面形成的N型外延层，在所述N型外延层上表面形成的栅氧化层，在所述栅氧化层上表面形成的多晶硅层，在所述N型衬底上形成的P-体区、N型源区和P+体区，由对所述多晶硅层上形成的氮化硅层以及所述栅氧化层的刻蚀而形成的所述多晶硅层的侧墙，在所述多晶硅层和N型源区的上表面形成的钛的硅化物层，在所述多晶硅层、所述多晶硅层的侧墙和所述硅化物层的表面形成的介质，在所述P+体区上方形成的接触孔，以及在所述介质层的上表面、所述接触孔中以及所述N型衬底的下表面形成的金属层； 其中，所述金属层分别与所述N型源区的侧面以及所述N型源区的表面的钛的硅化物的侧面相连接。
【专利摘要】本发明提供一种VDMOS管的制造方法和VDMOS，该方法包括：在硅片上依次形成栅氧化层、多晶硅层、P-体区、N型源区、氮化硅层和P+体区；对该氮化硅层以及该栅氧化层进行刻蚀处理，以在该多晶硅层的侧壁形成侧墙；在该多晶硅层和N型源区的上表面形成一层钛的硅化物，并降低该钛的硅化物的电阻；依次形成介质层、接触孔和金属层，以使得该金属层分别与该N型源区的侧面以及该N型源区的上表面的钛的硅化物的侧面相连接。
【IPC分类】H01L21-336, H01L21-768, H01L29-78, H01L23-522
【公开号】CN104810289
【申请号】CN201410040108
【发明人】马万里
【申请人】北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2014年1月27日