介质层。
[0030]在上述技术方案中，优选地，所述在衬底的表面生长第一层介质层的步骤具体为:在所述衬底的表面生长氧化层；对所述氧化层进行回刻平坦化处理；在形成有所述氧化层的衬底表面涂布所述电介质层；对形成有所述电介质层的衬底表面进行刻蚀，以得到所述第一层介质层。
[0031]在该技术方案中，当涂布了电介质层之后，需要向电介质层注入固化离子，并进行固化处理，以对芯片的结构进行加固。其中，氧化层可以是含有硼离子和磷离子的正硅酸乙酯。
[0032]在上述技术方案中，优选地，所述在形成有所述第一层金属层的表面生长第二层介质层的步骤具体为:在所述第一层金属层的表面生长第一层氧化层；在形成有所述第一层氧化层的表面涂布第一层电介质层；在经过固化处理后的所述第一层液态二氧化硅层的表面涂布第二层电介质层；对形成有所述第二层电介质层的第一层氧化层表面进行回刻平坦化处理，以得到所述第二层介质层。
[0033]在该技术方案中，生成第二层介质层的步骤中涂布了两层电介质层，而每涂布一层电介质层，均对电介质层注入固化离子，并进行固化处理，可以进一步固化芯片的结构。
其中，第一层氧化层和第二层氧化层都可以是正硅酸乙酯。
[0034]在上述技术方案中，优选地，在所述涂布第二层电介质层之后，以及在所述得到所述第二层介质层之前，还包括:在经过刻蚀之后的所述第一层氧化层的表面注入固化离子；在注入所述固定离子之后的所述第一层氧化层的表面生长第二层氧化层。
[0035]在上述技术方案中，优选地，所述固化离子包括砷离子。
[0036]在上述技术方案中，优选地，采用紫外固化的方式对所述注入固化离子后的电介质层进行固化处理。
[0037]在上述技术方案中，优选地，所述电介质包括:二氧化硅。
[0038]在该技术方案中，电介质还可以是类似于二氧化硅的介电材料。
[0039]下面结合图3A至图3B详细说明根据本发明的实施例的生长第二层介质层的具体流程。
[0040]图3A至图3B示出了根据本发明的实施例的半导体芯片中介质层的生长流程示意图。
[0041]如图3A所示，在第一层金属302的表面淀积氧化层304 (例如二氧化硅)，在氧化层304的表面涂布第一层电介质层306，对第一层电介质层306注入固化离子，对注入固化离子后的第一层电介质层306进行紫外固化。
[0042]在第一层电介质层306的表面涂布第二层电介质层308,对第二层电介质层308注入固化离子，对注入固化离子后的第二层电介质层308进行紫外固化。
[0043]如图3B所示，对生长有第二层电介质层308的衬底(图中未标出)表面进行回刻平坦化处理，以得到第二层介质层。由于在涂布的电介质层(第一层电介质层306和第二层电介质层308)中注入了固化离子，因此可以固化半导体芯片的结构，避免在芯片封装时，由于封装功率过闻而损坏芯片。
[0044]类似地，在生长第一层介质层时，每经过一次电介质层的涂布，都对涂布的电介质层注入固化离子，并进行固化处理，以加固半导体芯片的结构。
[0045]以上结合附图详细说明了本发明的技术方案，本发明提出了一种新的半导体芯片的制造技术，可以在制造半导体芯片时，对芯片中涂布的电介质层进行加固，从而固化半导体芯片的结构，避免在芯片封装时，由于封装功率过闻而损坏芯片。
[0046]以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括: 在所述半导体芯片的制造过程中，每进行一次电介质层的涂布处理，均对所述电介质层注入固化离子；以及 对注入固化离子后的电介质层进行固化处理，以加固所述半导体芯片的结构。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，还包括: 在衬底的表面生长第一层介质层； 在形成有所述第一层介质层的表面生成第一层金属层； 在形成有所述第一层金属层的表面生长第二层介质层； 在形成有所述第二层介质层的表面生长第二层金属层； 其中，所述第一层介质层与所述第二层介质层中均包括所述电介质层。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述在衬底的表面生长第一层介质层的步骤具体为: 在所述衬底的表面生长氧化层； 对所述氧化层进行回刻平坦化处理； 在形成有所述氧化层的衬底表面涂布所述电介质层； 对形成有所述电介质层的衬底表面进行刻蚀，以得到所述第一层介质层。
4.根据权利要求3所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述氧化层为正硅酸乙酯。
5.根据权利要求2所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述第一层金属层的表面生长第二层介质层的步骤具体为: 在所述第一层金属层的表面生长第一层氧化层； 在形成有所述第一层氧化层的表面涂布第一层电介质层； 在经过固化处理后的所述第一层液态二氧化硅层的表面涂布第二层电介质层； 对形成有所述第二层电介质层的第一层氧化层表面进行回刻平坦化处理，以得到所述第二层介质层。
6.根据权利要求5所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，在所述涂布第二层电介质层之后，以及在所述得到所述第二层介质层之前，还包括: 在经过刻蚀之后的所述第一层氧化层的表面注入固化离子； 在注入所述固定离子之后的所述第一层氧化层的表面生长第二层氧化层。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述固化离子包括砷离子。
8.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，采用紫外固化的方式对所述注入固化离子后的电介质层进行固化处理。
9.根据权利要去I至8中任一项所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述电介质包括:二氧化硅。
10.一种半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片采用权利要求1至9中任一项所述的半导体芯片的制造方法制造而成。
【专利摘要】本发明提供了一种半导体芯片的制造方法和一种半导体芯片，其中，所述半导体芯片的制造方法包括：在所述半导体芯片的制造过程中，每进行一次电介质层的涂布处理，均对所述电介质层注入固化离子；以及对注入固化离子后的电介质层进行固化处理，以加固所述半导体芯片的结构。本发明通过在每次涂布电介质层之后，均注入固化离子，并对注入固化离子的电介质层进行固化处理，可以对芯片中涂布的电介质层进行加固，从而固化半导体芯片的结构，避免在芯片封装时，由于封装功率过高而损坏芯片。
【IPC分类】H01L21-8238, H01L21-3115
【公开号】CN104835784
【申请号】CN201410045569
【发明人】崔金洪, 陈建国, 贺冠中
【申请人】北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2014年2月8日