一种可升降陶瓷挡板结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种可以通过升降改变陶瓷环在反应腔的位置，实现设备在工艺时保证腔室内完全由陶瓷材料包裹，工艺结束后还可以将陶瓷挡住的传片口暴露出来的一种结构，属于半导体薄膜沉积应用及制备技术领域。
【背景技术】
[0002]在薄膜的制程中，腔体内部的缝隙、台阶、不同材料的导电系数都会对射频场和等离子体的分布产生很大的影响。当分布不均的情况发生时，对薄膜制程就会产生重大的影响，使得均匀性指标超出产品要求的范围。现有的设备普遍腔内结构为不规则的圆形，传片口处会多出一块矩形空间。正是这块矩形空间严重的影响了上述两种能量场的分布。
【发明内容】
[0003]本发明以解决上述问题为目的，主要解决现有设备的传片口对能量场分布有影响的问题，而提供一种能在薄膜制程中保证形成一个对称、均匀，没有突兀结构的环形封闭空间，能适用提高半导体行业薄膜制程中产品质量的新型可升降陶瓷挡板结构。
[0004]为实现上述目的，本发明采用下述技术方案:一种可升降陶瓷挡板结构，包括反应腔⑵、陶瓷环(I)、陶瓷环A(3)、陶瓷环B(4)。上述陶瓷环A(3)安装在反应腔(2)内，放置于下部，并将反应腔(2)下部侧面一半的面积遮挡；上述陶瓷环B(4)安装在反应腔(2)内，放置于上部，将反应腔(2)的上部侧面全部的面积遮挡；上述陶瓷环(I)遮挡住反应腔
(2)的其余内侧壁表面，且陶瓷环⑴与连杆(5)连接。
[0005]本发明的有益效果及特点在于:
[0006]该新型结构为薄膜制程提供一个封闭的、规则的、材料一致的反应环境，将反应腔几何结构和材料对工艺制程的影响降到最低，保证薄膜产品的质量。具有结构简单、合理，易于在半导体薄膜沉积应用及制备技术领域推广的特点。
【附图说明】
[0007]图1是本发明的结构示意图。
[0008]图2是图1的纵截面剖视图，也是传片过程的使用状态示意图。
【具体实施方式】
[0009]实施例
[0010]参照图1-2，一种可升降陶瓷挡板结构，包括反应腔2、陶瓷环1、陶瓷环A3、陶瓷环B4o上述陶瓷环A3安装在反应腔2内，放置于下部，并将反应腔2下部侧面一半的面积遮挡；上述陶瓷环B4安装在反应腔2内，放置于上部，将反应腔2的上部侧面全部的面积遮挡；上述陶瓷环I遮挡住反应腔2的其余内侧壁表面，且陶瓷环I与连杆5连接。
[0011]本发明的工作原理:陶瓷环I由连杆5带动，可以在反应腔2内上下移动。当反应腔开始薄膜制程时，连杆5带动陶瓷环I移动到上部位置，反应腔2内壁面由陶瓷环I陶瓷环A3、陶瓷环B4全部遮盖。在制程中，设备始终处于完全由陶瓷组成的完整的封闭圆环，使能量场均匀分布。当制程结束时，连杆5带动陶瓷环I移动到下部位置，反应腔2的传片口暴露出来，晶圆由机械手将其运出并将新的晶圆运入反应腔2内，重复连杆5带动陶瓷环I移动到上部位置的动作，完成一个循环。
【主权项】
1.一种可升降陶瓷挡板结构，包括反应腔(2)，其特征在于:它还包括陶瓷环(1)、陶瓷环A(3)及陶瓷环B(4)，上述陶瓷环A(3)安装在反应腔(2)内，放置于下部，并将反应腔(2)下部侧面一半的面积遮挡；上述陶瓷环B (4)安装在反应腔(2)内，放置于上部，将反应腔(2)的上部侧面全部的面积遮挡；上述陶瓷环(I)遮挡住反应腔(2)的其余内侧壁表面，且陶瓷环⑴与连杆(5)连接。
【专利摘要】一种可升降陶瓷挡板结构，主要解决现有设备的传片口对能量场分布有影响的问题。该结构包括反应腔、陶瓷环、陶瓷环A及陶瓷环B。上述陶瓷环A安装在反应腔内，放置于下部，并将反应腔下部侧面一半的面积遮挡；上述陶瓷环B安装在反应腔内，放置于上部，将反应腔的上部侧面全部的面积遮挡；上述陶瓷环遮挡住反应腔的其余内侧壁表面，且陶瓷环与连杆连接。该新型结构为薄膜制程提供一个封闭的、规则的、材料一致的反应环境，将反应腔几何结构和材料对工艺制程的影响降到最低，保证薄膜产品的质量。具有结构简单、合理，易于在半导体薄膜沉积应用及制备技术领域推广的特点。
【IPC分类】H01J37-32
【公开号】CN104851772
【申请号】CN201510157531
【发明人】吴凤丽, 郑旭东, 国建花, 姜崴
【申请人】沈阳拓荆科技有限公司
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年4月3日