实施例4 一种倒装LED封装结构的示意图；
[0048]图5a为本发明实施例4制作方法步骤g后结构示意图；
[0049]图5b为本发明实施例4制作方法步骤h后结构示意图；
[0050]图6为本发明实施例5 —种倒装LED封装结构示意图；
[0051]图7为本发明实施例5另一种倒装LED封装结构示意图；
[0052]图7a为本发明实施例5制作方法步骤D后结构示意图；
[0053]图7b为本发明实施例5制作方法步骤E后结构示意图；
[0054]图7c为本发明实施例5制作方法步骤F后结构示意图；
[0055]图8为本发明实施例6倒装LED封装结构的示意图；
[0056]图9为本发明实施例7倒装LED封装结构的示意图；
[0057]图9a为本发明实施例7制作方法步骤a中基底示意图；
[0058]图9b为本发明实施例7制作方法步骤b后结构示意图；
[0059]图9c为本发明实施例7制作方法步骤c后结构示意图；
[0060]图9d为本发明实施例7制作方法步骤d后结构示意图；
[0061]图9e为本发明实施例7制作方法步骤e后结构示意图；
[0062]图9f为本发明实施例7制作方法步骤f后结构示意图；
[0063]图9g为本发明实施例7制作方法步骤g后结构示意图；
[0064]图9h为本发明实施例7制作方法步骤h后结构示意图；
[0065]图9i为本发明实施例7制作方法步骤i后结构示意图；
[0066]图9j为本发明实施例7制作方法步骤j后结构示意图；
[0067]图9k为本发明实施例7制作方法步骤k后结构示意图；
[0068]图10为本发明实施例4另一种倒装LED封装结构示意图；
[0069]结合附图，作以下说明:
[0070]1-LED倒装芯片101-电极面
[0071]102-出光面103-周侧面
[0072]104-反光层105-发光层
[0073]2-荧光层3-透光加强层
[0074]3a_半固化膜301-第一表面
[0075]302-第二表面4-透光基板
[0076]5-金属重布线6-保护层
[0077]7-焊料凸块8-玻纤布
[0078]9-电极10-绝缘层
[0079]11-基底12-荧光玻纤复合层
[0080]13-透光玻纤复合层
【具体实施方式】
[0081]为使本发明能够更加易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。为方便说明，实施例附图的结构中各组成部分未按正常比例缩放，故不代表实施例中各结构的实际相对大小。其中所说的结构或面的上面或上侧，包含中间还有其他层的情况。
[0082]实施例1
[0083]如图2所示，一种倒装LED封装结构，包括LED倒装芯片1，所述LED倒装芯片具有电极面101、与该电极面相对的出光面102和周侧面103 ；
[0084]所述电极面上没有包裹上围层，所述LED倒装芯片暴露的电极9上设有焊料凸块7 ；
[0085]所述出光面上包裹有下围层，所述下围层为单层结构，该单层结构为一层荧光层2，荧光层用以将芯片出光由荧光材料转为白光，荧光层可采用荧光粉，或者掺有荧光粉的透明胶类，或者荧光物质制成的干膜。
[0086]可选的，该单层结构还可以为一层荧光玻纤复合层12。荧光玻纤复合层是一种荧光复合材料，为含有玻纤布8的荧光薄膜材料，其厚度可以为100至600微米，在转换出光的颜色的同时，可增加芯片的机械强度。
[0087]所述周侧面上包裹有周侧围层，所述周侧围层为单层结构，该单层结构为一层透光加强层3，透光加强层以透光和增加芯片机械强度；该透光加强层材料可以是有机材料如硅胶、半固化膜，或者是带有玻纤的增强型复合有机材料；
[0088]可选的，该单层结构还可以为一层荧光层2或一层吸光层或一层反光层。荧光层采用荧光粉、掺有荧光粉的透明胶类，或者荧光物质制成的干膜，用以将芯片侧面光由荧光材料转为白光；吸光层采用吸收光的材料，可保证出光面是唯一出光口。反光层用以反射侧面光，改善芯片侧面漏光，提高出光的效率。具体可采用具有反射光的作用金属膜。
[0089]上述结构中，LED倒装芯片嵌入单层的下围层和周侧围层中，周侧围层用以调节芯片的功能应用或增加芯片的机械强度，下围层用以调节出光的颜色及其增加芯片的机械强度，电极面上的电极通过焊料凸块连接外部器件，省去了硅基底及硅通孔等结构，因此，该实施例具有结构简单，厚度较薄，机械强度好，封装尺寸较小等技术优势，且能够改变出光面及出光颜色，提高出光率、芯片功能应用多等功能。
[0090]实施例2
[0091]如图3所示，本实施例2包含实施例1的所有技术特征，其区别在于，所述电极面上包裹有上围层，该上围层为一层保护层6，所述保护层上设有开口，所述开口暴露出LED倒装芯片I的电极9，所述电极上设有焊料凸块7。保护层能隔离水汽、空气等，避免电极或连接电极金属材料的腐蚀等，保护层6的材料包括环氧树脂等高分子聚合物，氧化硅，氮化硅，塑封材料等的一种或多种。
[0092]实施例3
[0093]如图4所示，本实施例3包含实施例2的所有技术特征，其区别在于，所述出光面上包裹有下围层，所述下围层为两层结构，从内至外依次为透光加强层3和荧光层2 ;所述周侧面上包裹有周侧围层，周侧围层为两层结构，从内至外依次为透光加强层3和荧光层2。透光加强层用以透光和增加芯片机械强度，荧光层用以将芯片侧面光由荧光材料转为白光；即实现在改变出光面和侧面光颜色的同时，可增加芯片的机械强度的功能。
[0094]可选的，出光面的双层结构还可以为由内向外依次为荧光层2和透光加强层3，或者由内向外依次为荧光层2、含有玻纤布8的荧光玻纤复合层12，或者由内向外依次为透光加强层3、含有玻纤布的荧光玻纤复合层12。荧光玻纤复合层是一种荧光复合材料，为含有玻纤布8的荧光薄膜材料，其厚度可以为100至600微米，在转换出光的颜色的同时，可增加芯片的机械强度。可选的，周侧面的双层结构还可以是由内向外依次为荧光层和透光加强层，或者由内向外依次为荧光层、反光层。反光层采用金属膜，金属膜位于最外层，由于金属膜具有反射光的作用，可以改善芯片侧面漏光，提高出光的效率。
[0095]实施例4
[0096]如图5所示，本实施例4包含实施例2的所有技术特征，其区别在于，所述出光面上包裹有下围层，所述下围层为两层结构，从内至外依次为荧光层2和透光基板4;所述周侧面上包裹有周侧围层，周侧围层为单层结构，该单层结构为一层透光加强层3 ;透光基板在封装过程中起到支撑作用，在晶圆切割成芯片后，保留作为透光加强层，以增加芯片的机械强度。
[0097]作为一种优选实施例，该倒装LED封装结构的制作方法如下:
[0098]a.提供一表面平整的基底11，及若干单颗LED倒装芯片1，所述LED倒装芯片具有电极面101、与该电极面相对的出光面102和周侧面103 ;基底11材质可以为玻璃、硅、塑料、陶瓷等，作为LED倒装芯片临时承载板。
[0099]b.将若干所述LED倒装芯片的电极面101朝向下，按阵列贴在所述基底的表面上；具体为在基底表面涂布一层粘胶，作为粘结LED倒装芯片的胶层，将待封装单颗LED倒装芯片的电极面朝向基底，按阵列贴在基底表面的粘胶上。
[0100]C.形成一层完全包裹住若干所述LED倒装芯片的透光加强层3 ;具体形成过程为:将一层或多层半固化膜3a，贴于粘有LED倒装芯片的基底表面固化后形成。在其他实施例中，可以由半固化胶涂覆在粘有LED倒装芯片的基底表面固化后形成，或由塑封材料注塑形成。
[0101]d.减薄所述透光加强层3至暴露所述LED倒装芯片的衬底，或继续减薄掉所述LED倒装芯片的部分衬底，使所述LED倒装芯片顺利出光；
[0102]e.在减薄后的透光加强层及所述LED倒装芯片的衬底表面形成一荧光层2 ;具体的形成方法为:涂布含有荧光物质的复合材料，之后固化处理。使用该方法形成荧光层前，可由刀切、激光烧蚀、刻蚀等方式在芯片周边形成环状沟槽(环状沟槽可以是方环状沟槽、圆环状沟槽等，在此优选的为方环状沟槽)，该环状沟槽在芯片形成荧光层时，同时由荧光材料填充，后续形成单颗芯片时，倒装LED倒装芯片封装结构的四个侧面亦由荧光层包覆，可提高发射光的颜色的纯度。另外，荧光层2的形成方法，还可以为直接贴附含有荧光材料的薄膜。<