，在切割成单颗芯片封装结构后去除不透光基板形成。
[0140]j.参见图9j，通过解键合，去除所述LED倒装芯片的电极面上的基底11 ;
[0141]k.参见图9k，在所述绝缘层及所述金属重布线上铺一层保护层，在所述保护层上预设焊料的位置处形成暴露所述凸点下金属层的开口，并在该开口处形成焊料凸块。即在露出LED倒装芯片的金属重布线5上设置保护层6，该保护层于UBM位置处形成开口，在该开口位置形成焊料凸块7。
[0142]1.切割形成单颗芯片封装结构，参见图9。
[0143]综上，本发明提供了一种倒装LED封装结构及制作方法，倒装LED封装结构包括一LED倒装芯片，LED倒装芯片至少依次包含一设置正负电极的电极面、反光层、发光层和衬底，LED倒装芯片嵌于介质围层中，该介质围层包裹或者不包裹电极面，电极连接焊料凸块；包裹LED倒装芯片的出光面和各个侧面的介质围层可以是多层或者两层或者单层结构。LED倒装芯片嵌入下围层和周侧围层中，周侧围层用以调节芯片的功能应用或增加芯片的机械强度，下围层用以调节出光的颜色及其增加芯片的机械强度，电极面上的电极通过焊料凸块连接外部器件，省去了硅基底及硅通孔等结构，因此，该实施例具有结构简单，厚度较薄，机械强度好，封装尺寸较小等技术优势，且能够改变出光面及出光颜色，提高出光率、芯片功能应用多等功能。该制作方法采用倒装技术，发光效率增大。同时该制作方法为晶片级封装方式，制作过程避免了硅通孔技术，制程简单，封装成本更低。
[0144]以上实施例是参照附图，对本发明的优选实施例进行详细说明。本领域的技术人员通过对上述实施例进行各种形式上的修改或变更，但不背离本发明的实质的情况下，都落在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种倒装LED封装结构，其特征在于:包括LED倒装芯片(1)，所述LED倒装芯片具有电极面(101)、与该电极面相对的出光面(102)和周侧面(103)； 所述电极面上包裹有上围层或者没有包裹上围层；包裹有上围层时，所述上围层上设有开口暴露出所述LED倒装芯片的电极(9 )，所述电极上设有焊料凸块(7 );没有包裹上围层时，所述LED倒装芯片暴露的电极上设有焊料凸块； 所述出光面上包裹有下围层，所述下围层为单层结构或两层及以上结构，单层结构为一层荧光层(2)或者荧光玻纤复合层(12);两层及以上结构中包括一层荧光层和一层透光加强层(3)，或者两层及以上结构中包括一层荧光玻纤复合层和一层透光加强层(3)，或者两层及以上结构中包括一层荧光层和一层透光玻纤复合层(13); 所述周侧面上包裹有周侧围层，所述周侧围层为单层结构或两层及以上结构，单层结构为一层荧光层或一层透光加强层或一层吸光层或一层反光层；两层及以上结构中包括一层荧光层和一层透光加强层，或者两层及以上结构中包括由内向外依次排布的一层荧光层和一层反光层。2.根据权利要求1所述的倒装LED封装结构，其特征在于:所述电极面上包裹有上围层，所述上围层为两层结构，由内向外依次为绝缘层(10)和保护层(6)，所述绝缘层和所述保护层之间形成有金属重布线(5)，所述金属重布线电性连接所述LED倒装芯片的电极和所述焊料凸块。3.根据权利要求1所述的倒装LED封装结构，其特征在于:所述电极面包裹有上围层，所述上围层为一层保护层，所述保护层上设有所述开口，所述开口暴露出所述LED倒装芯片的电极，所述电极上设有所述焊料凸块。4.根据权利要求1所述的倒装LED封装结构，其特征在于:所述下围层为两层结构，由一层透光加强层和一层荧光层组成，或者由内向外依次为荧光层、含有玻纤布(8)的荧光玻纤复合层，或者由内向外依次为透光加强层、含有玻纤布的荧光玻纤复合层，或者由内向外依次为荧光层、透光基板；或者所述下围层为三层结构，由内向外依次为透光加强层、荧光层和透光基板(4)。5.根据权利要求1所述的倒装LED封装结构，其特征在于:所述周侧围层为两层结构，由一层荧光层和一层透光层组成，或者由内向外依次为荧光层、反光层。6.一种倒装LED封装结构的制作方法，其特征在于:按以下步骤制作: a.提供一表面平整的基底(11)，及若干单颗LED倒装芯片，所述LED倒装芯片具有电极面、与该电极面相对的出光面和周侧面； b.将若干所述LED倒装芯片的电极面朝向下，按阵列贴在所述基底的表面上； c.形成一层完全包裹住若干所述LED倒装芯片的透光加强层； d.减薄所述透光加强层至暴露所述LED倒装芯片的衬底，或继续减薄掉所述LED倒装芯片的部分衬底，使所述LED倒装芯片顺利出光； e.在减薄后的透光加强层及所述LED倒装芯片的衬底表面形成一荧光层； f.去除所述LED倒装芯片的电极面上的所述基底； g.在所述透光加强层及所述LED倒装芯片的电极面上铺一层保护层，在所述保护层上预设焊料的位置处形成暴露所述LED倒装芯片电极的开口，并在该开口处形成焊料凸块； h.切割形成单颗芯片封装结构。7.根据权利要求6所述的倒装LED封装结构的制作方法，其特征在于:步骤c、d之间还有如下步骤: 1.去除所述LED倒装芯片的电极面上的所述基底； j.在所述LED倒装芯片的电极面上及所述透光加强层上形成一层暴露所述LED倒装芯片的电极的绝缘层；在所述绝缘层上形成电性连接对应电极的金属重布线，该金属重布线具有凸点下金属层； k.在所述绝缘层上重新键合所述基底； 且步骤g变为:在所述绝缘层及所述金属重布线上铺一层保护层，在所述保护层上预设焊料的位置处形成暴露所述凸点下金属层的开口，并在该开口处形成焊料凸块。8.根据权利要求6所述倒装LED封装结构的制作方法，其特征在于，步骤c中的所述透光加强层由半固化胶材料涂覆在粘有LED倒装芯片的基底表面后固化形成，或由一层或多层半固化膜，贴于粘有LED倒装芯片的基底表面形成，或由塑封材料注塑形成。9.根据权利要求6所述倒装LED封装结构的制作方法，其特征在于，步骤d和e之间，还有步骤:在所述LED倒装芯片的周边边缘处形成用于填充荧光材料的环状沟槽，且在步骤e中，在所述环状沟槽内填充荧光材料。10.根据权利要求6所述倒装LED封装制作方法，其特征在于，步骤e中，在减薄后的透光加强层及LED倒装芯片的衬底表面形成荧光层的方法为:涂布荧光复合材料或贴附含有荧光材料的薄膜。11.根据权利要求6所述倒装LED封装结构的制作方法，其特征在于，在步骤e和f之间，还有步骤:在荧光层上黏着一透光基板，该透光基板在切割成单颗芯片封装结构后，保留或去除。12.根据权利要求6所述倒装LED封装结构的制作方法，其特征在于，步骤e和f之间，还有步骤:在荧光层上黏着一不透光基板，该不透光基板在切割成单颗芯片封装结构后去除。13.根据权利要求6所述倒装LED封装结构的制作方法，其特征在于，步骤h中切割方式为正切或背切。14.一种倒装LED封装结构的制作方法，其特征在于，按以下步骤制作: A.提供一表面平整的基底，及若干单颗LED倒装芯片，所述LED倒装芯片具有电极面、与该电极面相对的出光面和周侧面； B.将若干所述LED倒装芯片的电极面朝向下，按阵列贴在所述基底的表面上； C.形成一层完全包裹住若干所述LED倒装芯片的荧光层； D.在所述荧光层上贴一含有玻纤布的透光玻纤复合层(13)，或者含有玻纤布的荧光玻纤复合层(12); E.去除所述LED倒装芯片的电极面上的所述基底； F.在所述荧光层及所述LED倒装芯片的电极面上铺一层保护层，在所述保护层上预设焊料的位置处形成暴露所述LED倒装芯片电极的开口，并在该开口处形成焊料凸块； G.切割形成单颗芯片封装结构。
【专利摘要】本发明公开了一种倒装LED封装结构及制作方法，封装结构中LED倒装芯片的电极面包裹有或者没有包裹上围层，LED倒装芯片的电极连接焊料凸块；LED倒装芯片的出光面和各个侧面嵌入可以是多层或者两层或者单层结构的下围层和周侧围层中；周侧围层用以调节芯片的功能应用或增加芯片的机械强度，下围层用以调节出光的颜色及其增加芯片的机械强度，电极通过焊料凸块连接外部器件，省去了硅基底及硅通孔等结构，具有结构简单，厚度较薄，机械强度好，封装尺寸较小等技术优势，且能够改变出光面及出光颜色，提高出光率、芯片功能应用多等功能。该制作方法采用倒装技术结合晶片级封装方式，制作过程避免了硅通孔技术，制程简单，封装成本更低。
【IPC分类】H01L33/40
【公开号】CN104979447
【申请号】CN201510418720
【发明人】万里兮, 肖智轶, 沈建树, 崔志勇, 翟玲玲, 钱静娴
【申请人】华天科技（昆山）电子有限公司
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2015年7月16日