装盖在制备过程中的稳定性。
[0068] 其中，封装盖的厚度为0. 3微米~0. 9微米；有机层的厚度为50纳米~100纳米； 无机层的厚度为100纳米~200纳米。
[0069] 热阻蒸发制备形成有机层的蒸发速度为0. 1纳米/秒~1纳米/秒。
[0070] 热阻蒸发制备形成无机层的蒸发速度为0. 1纳米/秒~1纳米/秒。
[0071] 具体的，步骤S310~S370中的真空度均为lXl(T5Pa~lXl(T3Pa。
[0072] 上述柔性有机电致发光装置的制备方法的工序简单，容易操作，成品的合格率高， 有效地提高了生产效率，降低了生产成本，适合产业化生产。
[0073]以下为具体实施例部分，其中，测试与制备设备为高真空镀膜系统(沈阳科学仪器 研制中心有限公司），美国海洋光学OceanOptics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光 谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色 度计测试亮度和色度：
[0074] 实施例1
[0075] 本实施例的柔性有机电致发光装置的结构为：PET/Al203/Si02/Al203/Si02/IT0/ NPB/Rubrene/Alq3/Al/CuPc/Al203/CuPc/Al203。
[0076] 该实施例的柔性有机电致发光装置的制备如下：
[0077] (1)提供聚对苯二甲酸乙二酯（PET)基板，并将聚对苯二甲酸乙二酯（PET)基板 清洗干净，其中，聚对苯二甲酸乙二酯（PET)基板的厚度为0. 1毫米，聚对苯二甲酸乙二酯 (PET)基板表示为：PET。
[0078] (2)在真空度为IXl(T5Pa的真空镀膜系统中，在柔性基板上电子束蒸发制备形成 双层水氧阻挡层：首先在聚对苯二甲酸乙二酯（PET)基板上电子束蒸发制备形成第一氧化 铝层，第一氧化铝层的厚度为100纳米，蒸发速度为〇. 5纳米/秒，第一氧化铝层表示为： A1203 ;然后在第一氧化铝层上电子束蒸发制备形成第一二氧化硅层，第一二氧化硅层的厚 度为150纳米，蒸发速度为0. 5纳米/秒，第一二氧化硅层表示为：Si02 ;接着再在第一二氧 化硅层上电子束蒸发制备形成第二氧化铝层，第二氧化铝层的厚度为100纳米，蒸发速度 为0. 5纳米/秒，第二氧化铝层表示为：A1203 ;然后在第二氧化铝层上电子束蒸发制备形成 第二二氧化硅层，第二二氧化硅层的厚度为150纳米，蒸发速度为0. 5纳米/秒，第二二氧 化硅层表示为：Si02 ;则双层水氧阻挡层表示为：Al203/Si02/Al203/Si02。
[0079] (3)在真空度为IX10_5Pa的真空镀膜系统中，在第二二氧化硅层上磁控溅射制备 形成阳极层：阳极层的材料为铟锡氧化物薄膜（IT0)，蒸镀速度为0. 2纳米/秒，阳极层表 示为：IT0,厚度70纳米。
[0080] (4)在真空度为lXl(T5Pa的真空镀膜系统中，在阳极层上热阻蒸发制备形成空穴 传输层：空穴传输层的材料为N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺 (NPB)，蒸镀速度为0.lnm/s，空穴传输层表示为：NPB，厚度为20纳米。
[0081] (5)在真空度为lXl(T5Pa的真空镀膜系统中，在空穴传输层上热阻蒸发制备形成 发光层：发光层的材料为5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)，蒸镀速度为0.lnm/s，发光 层表示为：Rubrene，厚度为5纳米。
[0082] (6)在真空度为lXl(T5Pa的真空镀膜系统中，在发光层上热阻蒸发制备形成电子 传输层：电子传输层的材料为8-羟基喹啉错（Alq3)，蒸镀速度为0. lnm/s，电子传输层表不 为：Alq3，厚度为20纳米。
[0083] (7)在真空度为IXl(T5Pa的真空镀膜系统中，在电子传输层上真空蒸镀制备形成 阴极层：阴极层的材料为铝（A1)，蒸镀速度为0.lnm/s，电子传输层表示为：A1，厚度为70 纳米。
[0084] (8)在真空度为IX10_5Pa的真空镀膜系统中，在第二二氧化硅层上制备形成封装 盖，且封装盖与第二二氧化娃层相配合形成一个封闭的收容腔，其中，阳极层、空穴传输层、 发光层、电子传输层及阴极层均收容于该收容腔内：首先采用热阻蒸发制备形成第一有机 层，第一有机层的材料为酞菁铜（CuPc)，蒸镀速度为0.lnm/s，第一有机层表不为：CuPc，厚 度为50纳米；在第一有机层的外表面电子束蒸发制备形成第一无机层，第一无机层的材料 为氧化铝（A1203)，蒸镀速度为0.lnm/s，第一无机层表示为：A1203，厚度为100纳米；再在第 一无机层上采用热阻蒸发制备形成第二有机层，第二有机层的材料为酞菁铜（CuPc)，蒸镀 速度为〇.lnm/s，第二有机层表示为：CuPc，厚度为50纳米；在第二有机层的外表面电子束 蒸发制备形成第二无机层，第二无机层的材料为氧化铝（A1203)，蒸镀速度为0.lnm/s，第二 无机层表示为：A1203，厚度为100纳米；则封装盖表示为：CuPc/A1203/CuPc/A1203。
[0085]得到本实施例的结构为PET/Al203/Si02/Al 203/Si02/IT0/NPB/Rubrene/Alq3/Al/ CuPc/A1203/CuPc/A1 203的柔性有机电致发光装置，其中，斜杆"/"表示层状结构，下同。
[0086] 由于柔性器件在应用时需要进行挠曲操作，而挠曲操作会直接影响封装薄膜的性 能，从而通过检测不同挠曲操作次数下的柔性有机电致发光装置的发光亮度，可以反映出 封装性能的优劣。优异的封装薄膜，在经过多次挠曲下仍可以保持完好的封装效果，因此， 发光亮度不会衰减太多，而差的封装薄膜则在多次挠曲下被破坏，使外部水汽进去器件，从 而降低发光亮度。
[0087] 测试本实施例的柔性有机电致发光装置在不同挠曲次数下的发光亮度，测试方法 如下，如图3 (a)和（b)所示，图3为柔性有机电致发光装置进行挠曲测试的示意图，如图3 (a)所示，通过将柔性有机电致发光装置500的两端固定在两块相对平行的刚性板600上， 固定其中一块刚性板600的位置；然后平行移动另一块刚性板600的位置，使两块刚性板 600之间的距离发生改变，进而使柔性有机电致发光装置600发生挠曲，如图3 (b)。将柔 性有机电致发光装置500的初始长度记为La，平行移动其中一块刚性板600,将这时两块刚 性板600之间的距离记为Lb，当La:Lb达到1:0. 5时，停止移动刚性板600,然后再移动刚性 板600,恢复两块刚性板600之间的长度为La，这个过程记为1次挠曲。根据测试要求，反 复重复这个移动和恢复的过程，其中，发光亮度初始值设定为l〇〇〇cd/m2,在测试中，始终保 持此时的驱动电压值，从而得到本实施例的柔性有机电致发光装置在不同挠曲次数下的发 光亮度见表1。
[0088] 实施例2
[0089] 本实施例的柔性有机电致发光装置的结构为：PES/Si02/Al203/Si02/Al203/Si02/ Al203/IT0/m_MTDATA/DPVBi/Bphen/Ag/ZnPc/Al203/ZnPc/Al203/ZnPc/Al203。
[0090] 该实施例的柔性有机电致发光装置的制备如下：
[0091] (1)提供聚醚砜树脂（PES)基板，并将聚醚砜树脂（PES)基板清洗干净，其中，聚醚 砜树脂（PES)基板的厚度为0. 5毫米，聚醚砜树脂（PES)基板表示为：PET。
[0092] (2)在真空度为lXl(T3Pa的真空镀膜系统中，在柔性基板上电子束蒸发制备形 成双层水氧阻挡层：首先在聚醚砜树脂（PES)基板上电子束蒸发制备形成第一二氧化硅 层，第一二氧化硅层的厚度为200纳米，蒸发速度为2纳米/秒，第一二氧化硅层表示为： Si〇2 ;然后在二氧化硅层上电子束蒸发制备形成第一氧化铝层，第一氧化铝层的厚度为200 纳米，蒸发速度为2纳米/秒，第一氧化铝层表示为：A1203 ;接着再在第一氧化铝层上电子 束蒸发制备形成第二二氧化硅层，第二二氧化硅层的厚度为200纳米，蒸发速度为2纳米 /秒，第二二氧化硅层表示为：Si02 ;然后在第二二氧化硅层上电子束蒸发制备形成第二氧 化铝层，第二氧化铝层的厚度为200纳米，蒸发速度为2纳米/秒，第二氧化铝层表示为： 八1 203 ;再在第二氧化铝层上电子束蒸发制备形成第三二氧化硅层，第三二氧化硅层的厚度 为200纳米，蒸发速度为2纳米/秒，第三二氧化硅层表示为：Si02 ;然后在第三二氧化硅层 上电子束蒸发制备形成第三氧化铝层，第三氧化铝层的厚度为200纳米，蒸发速度为2纳米 /秒，第三氧化铝层表示为：A1203 ;则双层水氧阻挡层表示为：Si02/Al203/Si02/Al203/Si02/ A1203。
[0093] (3)在真空度为IXl(T3Pa的真空镀膜系统中，在第三氧化铝上磁控溅射制备形 成阳极层：阳极层的材料为铟锡氧化物薄膜（IT0)，蒸镀速度为2纳米/秒，阳极层表示为： IT0,厚度200