纳米。
[0094] (4)在真空度为lXl(T3Pa的真空镀膜系统中，在阳极层上热阻蒸发制备形成 空穴传输层：空穴传输层的材料为4, 4'，4'三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺 (m-MTDATA)，蒸镀速度为lnm/s，空穴传输层表示为：m-MTDATA，厚度为60纳米。
[0095] (5)在真空度为IXl(T3Pa的真空镀膜系统中，在空穴传输层上热阻蒸发制备形 成发光层：发光层的材料为4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，1'-联苯（DPVBi)，蒸镀速度为 lnm/s，发光层表示为：DPVBi，厚度为30纳米。
[0096] (6)在真空度为lXl(T3Pa的真空镀膜系统中，在发光层上热阻蒸发制备形成电子 传输层：电子传输层的材料为4, 7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen)，蒸镀速度为lnm/s，电子传 输层表示为：Bphen，厚度为60纳米。
[0097] (7)在真空度为IX l(T3Pa的真空镀膜系统中，在电子传输层上真空蒸镀制备形成 阴极层：阴极层的材料为银(Ag)，蒸镀速度为lnm/s，电子传输层表示为：Ag，厚度为200纳 米。
[0098] (8)在真空度为IXl(T3Pa的真空镀膜系统中，在第三氧化铝层上制备形成封装 盖，且封装盖与第三氧化铝层相配合形成一个封闭的收容腔，其中，阳极层、空穴传输层、发 光层、电子传输层及阴极层均收容于该收容腔内：首先采用热阻蒸发制备形成第一有机层， 第一有机层的材料为酞菁锌（ZnPc)，蒸镀速度为lnm/s，第一有机层表示为：ZnPc，厚度为 100纳米；在第一有机层的外表面电子束蒸发制备形成第一无机层，第一无机层的材料为 氧化铝（A1203)，蒸镀速度为lnm/s，第一无机层表示为：A1203，厚度为200纳米；再在第一无 机层上采用热阻蒸发制备形成第二有机层，第二有机层的材料为酞菁锌（ZnPc)，蒸镀速度 为lnm/s，第二有机层表示为：ZnPc，厚度为100纳米；在第二有机层的外表面电子束蒸发制 备形成第二无机层，第二无机层的材料为氧化铝（A1203)，蒸镀速度为lnm/s，第二无机层表 示为：A1203，厚度为200纳米；再在第二无机层采用热阻蒸发制备形成第三有机层，第三有 机层的材料为酞菁锌（ZnPc)，蒸镀速度为lnm/s，第三有机层表示为：ZnPc，厚度为100纳 米；在第三有机层的外表面电子束蒸发制备形成第三无机层，第三无机层的材料为氧化铝 (A1203)，蒸镀速度为lnm/s，第三无机层表示为：A1203，厚度为200纳米；则封装盖表示为： ZnPc/Al203/ZnPc/Al203/ZnPc/Al203。
[0099]得到本实施例的结构为PES/Si02/Al203/Si02/Al203/Si02/Al203/IT0/m_MTDATA/ DPVBi/Bphen/Ag/ZnPc/Al203/ZnPc/Al203/ZnPc/Al203 的柔性有机电致发光装置。
[0100] 本实施例的柔性有机电致发光装置的发光亮度的测试方法与实施例1相同，本实 施例的柔性有机电致发光装置在不同挠曲次数下的发光亮度见表1。
[0101] 实施例3
[0102] 本实施例的柔性有机电致发光装置的结构为：Pl/Si02/Al203/Si02/Al203/IT0/ NPB/DPVBi/BCP/Ag/PtPc/Si02/PtPc/Si02/PtPc/Si02。
[0103] 该实施例的柔性有机电致发光装置的制备如下：
[0104] (1)提供聚酰亚胺（PI)基板，并将聚酰亚胺（PI)基板清洗干净，其中，聚酰亚胺 (PI)基板的厚度为〇. 1毫米，聚酰亚胺（PI)基板表示为：PI。
[0105] (2)在真空度为lXl(T4Pa的真空镀膜系统中，在柔性基板上电子束蒸发制备形 成双层水氧阻挡层：首先在聚酰亚胺（PI)基板上电子束蒸发制备形成第一二氧化硅层，第 一二氧化硅层的厚度为100纳米，蒸发速度为1纳米/秒，第一二氧化硅层表示为：Si02 ;然 后在二氧化硅层上电子束蒸发制备形成第一氧化铝层，第一氧化铝层的厚度为200纳米， 蒸发速度为1纳米/秒，第一氧化铝层表示为：A1203 ;接着再在第一氧化铝层上电子束蒸发 制备形成第二二氧化硅层，第二二氧化硅层的厚度为200纳米，蒸发速度为1纳米/秒，第 二二氧化硅层表示为：Si02 ;然后在第二二氧化硅层上电子束蒸发制备形成第二氧化铝层， 第二氧化铝层的厚度为100纳米，蒸发速度为1纳米/秒，第二氧化铝层表示为：八1 203 ;则 双层水氧阻挡层表示为：Si02/Al203/Si02/Al203。
[0106] (3)在真空度为IX10_4Pa的真空镀膜系统中，在第二氧化铝层上磁控溅射制备形 成阳极层：阳极层的材料为铟锡氧化物薄膜（IT0)，蒸镀速度为1纳米/秒，阳极层表示为： IT0,厚度100纳米。
[0107] (4)在真空度为lXl(T4Pa的真空镀膜系统中，在阳极层上热阻蒸发制备形成空穴 传输层：空穴传输层的材料为N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺 (NPB)，蒸镀速度为0. 5nm/s，空穴传输层表示为：NPB，厚度为40纳米。
[0108] (5)在真空度为IXl(T4Pa的真空镀膜系统中，在空穴传输层上热阻蒸发制备形 成发光层：发光层的材料为4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，1'-联苯（DPVBi)，蒸镀速度为 lnm/s，发光层表示为：DPVBi，厚度为20纳米。
[0109] (6)在真空度为lXl(T4Pa的真空镀膜系统中，在发光层上热阻蒸发制备形成电子 传输层：电子传输层的材料为4, 7 -二苯基一 1，10 -邻菲罗啉（BCP)，蒸镀速度为0. 5nm/ S，电子传输层表示为：BCP，厚度为15纳米。
[0110] (7)在真空度为IXl(T4Pa的真空镀膜系统中，在电子传输层上真空蒸镀制备形成 阴极层：阴极层的材料为银(Ag)，蒸镀速度为0. 5nm/s，电子传输层表不为：Ag，厚度为100 纳米。
[0111] (8)在真空度为lX10_4Pa的真空镀膜系统中，在第二氧化铝层上制备形成封装 盖，且封装盖与第二氧化铝层相配合形成一个封闭的收容腔，其中，阳极层、空穴传输层、发 光层、电子传输层及阴极层均收容于该收容腔内：首先采用热阻蒸发制备形成第一有机层， 第一有机层的材料为酞菁铜（PtPc)，蒸镀速度为0. 5nm/s，第一有机层表示为：PtPc，厚度 为80纳米；在第一有机层的外表面电子束蒸发制备形成第一无机层，第一无机层的材料为 二氧化硅（Si02)，蒸镀速度为lnm/s，第一无机层表示为：Si02，厚度为150纳米；再在第一 无机层上采用热阻蒸发制备形成第二有机层，第二有机层的材料为酞菁铜（PtPc)，蒸镀速 度为lnm/s，第二有机层表示为：PtPc，厚度为80纳米；在第二有机层的外表面电子束蒸发 制备形成第二无机层，第二无机层的材料为二氧化娃（Si02)，蒸镀速度为lnm/s，第二无机 层表示为：Si02，厚度为150纳米；再在第二无机层上采用热阻蒸发制备形成第三有机层， 第三有机层的材料为酞菁铜（PtPc)，蒸镀速度为lnm/s，第三有机层表示为：PtPc，厚度为 80纳米；在第三有机层的外表面电子束蒸发制备形成第三无机层，第三无机层的材料为二 氧化硅（Si02)，蒸镀速度为lnm/s，第三无机层表示为：Si02，厚度为150纳米；则封装盖表 示为：PtPc/Si02/PtPc/Si02/PtPc/Si02。
[0112] 得到本实施例的结构为PI/Si02/Al203/Si02/Al203/IT0/NPB/DPVBi/BCP/Ag/PtPc/ Si02/PtPc/Si02/PtPc/Si02的柔性有机电致发光装置。
[0113] 本实施例的柔性有机电致发光装置的发光亮度的测试方法与实施例1相同，本实 施例的柔性有机电致发光装置在不同挠曲次数下的发光亮度见表1。
[0114] 实施例4
[0115] 本实施例的柔性有机电致发光装置的结构为：PET/Al203/Si02/IT0/NPB/Rubrene/ Alq3/Al/CuPc/Al203〇
[0116] 该实施例的柔性有机电致发光装置的制备如下：
[0117] (1)提供聚对苯二甲酸乙二酯（PET)基板，并将聚对苯二甲酸乙二酯（PET)基板 清洗干净，其中，聚对苯二甲酸乙二酯（PET)基板的厚度为0. 1毫米，聚对苯二甲酸乙二酯 (PET)基板表示为：PET。
[0118] (2)在真空度为lXl(T5Pa的真空镀膜系统中，在柔性基板上电子束蒸发制备形 成双层水氧阻挡层：首先在聚对苯二甲酸乙二酯（PET)基板上电子束蒸发制备形成氧化铝 层，氧化铝层的厚度为100纳米，蒸发速度为0. 5纳米/秒，氧化铝层表示为：A1203 ;然后在 氧化铝层上电子束蒸发制备形成二氧化硅层，二氧化硅层的厚度为150纳米，蒸发速度为 0. 5纳米/秒，二氧化硅层表示为：Si02 ;则双层水氧阻挡层表示为：Al203/Si02。