21，如图3b所示。
[0033]所述磁阻层的沉积厚度约为lO-lOOnm，所述磁性材料包括钽Ta和镍铁NiFe。在一个实施例中，先形成第一 Ta层，再形成NiFe层，最后形成第二 Ta层，其中第一 Ta层、NiFe层和第二 Ta层形成磁阻层221。在其他的实施例中，也可以是其他磁性材料。
[0034]步骤430，在所述磁阻层221上沉积导电材料形成所述导电层231，如图3c所示。
[0035]所述导电层的沉积厚度约为200-500nm，所述导电材料可以包括锑Ti和铜Cu，也可以是其他任意导电材料。
[0036]步骤440，光刻所述导电层231和所述磁阻层221使得导电层231和磁阻层221形成第一预定义图形，如图3d所示。
[0037]所述磁阻层的第一预定图形包括若干磁阻条220。所述导电层231也被同样光刻成为第一预定图形的导电层231a。
[0038]由于磁阻层221和所述导电层231是在同一次光刻中被光刻，因此他们的边缘都是对齐的，图形也是一致的。
[0039]在一个具体的实施例中，光刻所述导电层231和所述磁阻层221的步骤包括:在所述导电层231上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；经过第一预定义图形的掩膜版对第一光刻胶层进行曝光；对曝光后的第一光刻胶层进行显影处理；刻蚀所述导电层231和所述磁阻层221使得导电层和磁阻层形成第一预定义图形；去除第一光刻胶层。
[0040]步骤450，光刻已被光刻成第一预定义图形的导电层231a使得所述导电层231a形成第二预定义图形，如图3e和图3f所示，其中图3f是图3e所示的磁传感器的俯视图。
[0041]所述导电层的第二预定图形包括形成于每个磁阻条220上并与该每个磁阻条220成预定角度的相互平行的若干个导电条230。如图3f所示的，由于是在步骤440中的光刻过程一同形成的，所述导电条230的两端230a和230b与对应的磁阻条220的两侧边220a和220b对齐。这样克服了现有技术中，导电条230和磁阻条220的重叠偏差问题。所述预定角度在30度到60之间，优选的，所述角度可以为45度。
[0042]在一个实施例中，光刻已被光刻成第一预定义图形的导电层的步骤包括:在所述已被光刻成第一预定义图形的导电层231a上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层；经过第二预定义图形的掩膜版对第二光刻胶层进行曝光；对曝光后的第二光刻胶层进行显影处理；刻蚀所述已被光刻成第一预定义图形的导电层231a使得导电层形成第二预定义图形；去除第二光刻胶层。
[0043]由于本发明中的磁阻层221和导电层231是连续形成的，在两者形成的步骤之间不存在光刻步骤，这样使得磁阻层221的表面不会被氧化，磁阻层221和导电层231之间可能形成良好的欧姆接触。这样省去了现有技术中的氧化层的刻蚀步骤，解决了磁阻层221的表面由于长时间暴露在空气中而被氧化的问题。
[0044]根据本发明的另一个方面，如图3e和3f所示，本发明提出了一种基于上述制造方法得到的磁传感器200，其包括:基底210 ;形成于基底210上的多个磁阻条220 ;形成于每个磁阻条220上的并与该每个磁阻条220成预定角度的相互平行的若干个导电条230 ;其中所述导电条230的两端与对应的磁阻条220的两侧边对齐，并且是在同一次光刻过程中形成的。不同的磁阻条220上的导电条230可能是平行的，也可能是不平行的。
[0045]需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的【具体实施方式】所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述【具体实施方式】。
【主权项】
1.一种磁传感器的制造方法，其特征在于，其包括: 提供一个基底； 在施加外部磁场的情况下，在所述基底上沉积磁阻材料形成磁阻层； 在所述磁阻层上沉积导电材料形成所述导电层； 光刻所述导电层和所述磁阻层使得导电层和磁阻层形成第一预定义图形； 光刻已被光刻成第一预定义图形的导电层使得所述导电层形成第二预定义图形。2.根据权利要求1所述的磁传感器的制造方法，其特征在于， 所述磁阻层的沉积厚度约为lO-lOOnm， 所述导电层的沉积厚度约为200-500nm。3.根据权利要求1所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，所述磁性材料包括Ta和NiFe，所述导电材料包括Ti和Cu。4.根据权利要求1所述的磁传感器的制造方法，其特征在于， 所述磁阻层的第一预定图形包括若干磁阻条， 所述导电层的第二预定图形包括形成于每个磁阻条上并与该每个磁阻条成预定角度的相互平行的若干个导电条。5.根据权利要求4所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，所述导电条的两端与对应的磁阻条的两侧边对齐，并且是在同一次光刻过程中形成的。6.根据权利要求1所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，所述光刻所述导电层和所述磁阻层使得导电层和磁阻层形成第一预定义图形包括: 在所述导电层上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层； 经过第一预定义图形的掩膜版对第一光刻胶层进行曝光； 对曝光后的第一光刻胶层进行显影处理； 刻蚀所述导电层和所述磁阻层使得导电层和磁阻层形成第一预定义图形； 去除第一光刻胶层。7.根据权利要求1所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，所述光刻已被光刻成第一预定义图形的导电层使得所述导电层形成第二预定义图形包括: 在所述已被光刻成第一预定义图形的导电层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层； 经过第二预定义图形的掩膜版对第二光刻胶层进行曝光； 对曝光后的第二光刻胶层进行显影处理； 刻蚀所述已被光刻成第一预定义图形的导电层使得导电层形成第二预定义图形；和 去除第二光刻胶层。8.根据权利要求1所述的制造方法得到的磁传感器，其特征在于，其包括: 基底; 形成于基底上的多个磁阻条； 形成于每个磁阻条上的并与该每个磁阻条成预定角度的相互平行的若干个导电条；其中所述导电条的两端与对应的磁阻条的两侧边对齐，并且是在同一次光刻过程中形成的。
【专利摘要】本发明提供一种磁传感器及其制造方法。所述制造方法包括：提供一个基底；在施加外部磁场的情况下，在所述基底上沉积磁阻材料形成磁阻层；在所述磁阻层上沉积导电材料形成所述导电层；光刻所述导电层和所述磁阻层使得导电层和磁阻层形成第一预定义图形；光刻已被光刻成第一预定义图形的导电层使得所述导电层形成第二预定义图形。这样，可以解决磁阻层的表层氧化问题，同时可以解决导电条和磁阻条的重叠偏差问题。
【IPC分类】H01L43/02, H01L43/12
【公开号】CN105098062
【申请号】CN201510549777
【发明人】蒋乐跃, 沈佳, 顾文彬
【申请人】美新半导体（无锡）有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年8月31日