达到提高磁体一致性的目的。本 发明解决了在生产过程中产品性能一致性差的问题，并且缩短了生产周期，降低生产成本。
[0045] 为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的钦铁棚材料的制备方法 进行了详细说明，本发明的保护范围不受W下实施例的限制。 阳046] 实施例1
[0047] ①采用设计成分为32NdAlB0. 1化CoO.2佩0. 02Zr化余的已压制成型的磁体，等静 压压力200~230MPa;
[0048] ②将磁体整齐码放至烧结料舟中，烧结炉抽真空至3.OE-I化，W6°C/min的速率 升到230°C，保溫比；然后W5. 7°C/min的速率升到550°C，保溫1.化；然后W5°C/min的 速率升到830°C，保溫地；然后W3°C/min的速率升到IOicrc，保溫比；然后W2°C/min的 速度升到l〇36°C，保溫化，在烧结炉中充入氣气，通过循环冷却风机进行快速冷却；
[0049] ③将烧结后的毛巧，重新进行回火处理，首先W6°C/min的速率升到605°C，然后 W0. 15°C/min的速率降到590°C，保溫地，充入氣气，通过循环冷却风机进行快速冷却，得 到钦铁棚材料。
[0050] ④将制备的钦铁棚材料加工成010*10的产品测试磁性能W及磁体密度，测试结 果如表1所不。 阳0川实施例2
[0052]①采用设计成分为33NdAll. 05B0. 02化64. 94Fe余的已压制成型的磁体，等静压压 为 200 ~230MPa;
[0053] ②将磁体整齐码放至烧结料舟中，将烧结炉抽真空至3.OE-I化，W6°C/min的速 率升到230°C，保溫比；然后W5. 7°C/min的速率升到550°C，保溫1.化；然后W5°C/min 的速率升到830。保溫4h;然后W3°C/min的速率升到1021。保溫Ih;然后W2°C/min 的速度升到i〇4rc，保溫化，在烧结炉中充入氣气，通过循环冷却风机进行快速冷却；
[0054] ③将烧结后的毛巧，重新进行回火处理，首先W6°C/min的速率升到635°C，然后 W0. 2°C/min的速率降到615°C，保溫化，充入氣气，通过循环冷却风机进行快速冷却，得到 钦铁棚材料。 阳化5] ④将制备的钦铁棚材料加工成D10*10的产品测试磁性能W及磁体密度，测试结 果如表2所不。
[0056] 实施例3
[0057]①采用设计成分为32.5NdO.ASAIBO.ICuCoO. 〇6佩0.OeZrM.83Fe余的已压制成型 的磁体，等静压压力200~230MPa;
[0058] ②将磁体整齐码放至烧结料舟中，将烧结炉抽真空至3.OE-I化，W6°C/min的速 率升到230°C，保溫比；然后W5. 7°C/min的速率升到550°C，保溫1.化；然后W5°C/min 的速率升到830°C，保溫地；然后W3°C/min的速率升到1005°C，保溫比；然后W2°C/min 的速度升到l〇35°C，保溫化，在烧结炉中充入氣气，通过循环冷却风机进行快速冷却；
[0059]③将烧结后的毛巧，重新进行回火处理，首先W6°C/min的速率升到555°C，然后 W0. 2°C/min的速率降到540°C，保溫化，充入氣气，通过循环冷却风机进行快速冷却，得到 钦铁棚材料。
[0060] ④将制备的钦铁棚材料加工成D10*10的产品测试磁性能W及磁体密度，测试结 果如表2所示。 阳OW] 对比例1
[0062] ①采用设计成分为32NdAlB0. 1化CoO. 2佩0. 02Zr化余的已压制成型的磁体，等静 压压力200~230MPa;
[0063] ②将磁体整齐码放至烧结料舟中，烧结炉抽真空至3.OE-I化，W6°C/min的速率 升到230°C，保溫比；然后W5. 7°C/min的速率升到550°C，保溫1.化；然后W5°C/min的 速率升到830°C，保溫地；然后W3°C/min的速率升到llOOr，保溫化，在烧结炉中充入氣 气，通过循环冷却风机进行快速冷却； W64] ③将烧结后的毛巧，首先W6°C/min的速率升到450°C，保溫化，充入氣气，通过循 环冷却风机进行快速冷却，得到钦铁棚材料。
[00化]④将制备的钦铁棚材料加工成D10*10的产品测试磁性能W及磁体密度，测试结 果如表1所不。
[0066] 对比例2
[0067] ①采用设计成分为33NdAll. 05B0. 02化64. 94Fe^的已压制成型的磁体，等静压压 为 200 ~230MPa;
[0068] ②将磁体整齐码放至烧结料舟中，烧结炉抽真空至3.OE-I化，W6°C/min的速率 升到230°C，保溫比；然后W5. 7°C/min的速率升到550°C，保溫1.化；然后W5°C/min的 速率升到830°C，保溫地；然后W3°C/min的速率升到llOOr，保溫化，在烧结炉中充入氣 气，通过循环冷却风机进行快速冷却； W例③将烧结后的毛巧，首先W6°C/min的速率升到450°C，保溫地，充入氣气，通过循 环冷却风机进行快速冷却，得到钦铁棚材料。
[0070] ④将制备的钦铁棚材料加工成010*10的产品测试磁性能W及磁体密度，测试结 果如表1所示。 阳0川对比例3
[0072]①采用设计成分为32.5NdO.ASAIBO.ICuCoO. 〇6佩0.OeZrM.83Fe余的已压制成型 的磁体，等静压压力200~230MPa;
[0073] ②将磁体整齐码放至烧结料舟中，烧结炉抽真空至3.OE-I化，W6°C/min的速率 升到230°C，保溫比；然后W5. 7°C/min的速率升到550°C，保溫1.化；然后W5°C/min的 速率升到830°C，保溫地；然后W3°C/min的速率升到llOOr，保溫化，在烧结炉中充入氣 气，通过循环冷却风机进行快速冷却；
[0074]③将烧结后的毛巧，首先W6°C/min的速率升到450°C，保溫地，充入氣气，通过循 环冷却风机进行快速冷却，得到钦铁棚材料。
[00巧]④将制备的钦铁棚材料加工成D10*10的产品测试磁性能W及磁体密度，测试结 果如表1所不。
[0076] 表1实施例1与对比例1制备的钦铁棚磁性材料的性能数据表
[0077]
[0079] 表2实施例2与对比例2制备的钦铁棚磁性材料的性能数据表
[0080]
[0081] 表3实施例3与对比例3制备的钦铁棚材料的性能数据表
[0082]
[0084] W上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核屯、思想。应当指出，对 于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可W对本发明进行 若干改进和修饰，运些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
[0085] 对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。 对运些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的 一般原理可W在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明 将不会被限制于本文所示的运些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一 致的最宽的范围。
【主权项】
1. 一种钕铁硼材料的制备方法，包括以下步骤： A) ，将钕铁硼毛坯置于烧结炉中，抽真空后升温至200~30(TC后保温； B) ，将步骤A)得到的钕铁硼毛坯升温至500~650°C后保温； C) ，将步骤B)得到的钕铁硼毛坯升温至800~900°C后保温； D)，将步骤C)得到的钕铁硼毛坯升温至（T1-20)°C~（T1-50)°C后保温，所述Tl为 1000 ~IlOOcC ; E) ，将步骤D)得到的钕铁硼毛坯升温至Tl，保温后进行冷却； F) ，将步骤E)得到的钕铁硼毛坯升温至（T2+10)°C~（T2+20)°C，再降温至T2,所述T2 为 450 ~600°C ; G) ，将步骤F)得到的钕铁硼毛坯进行冷却，得到钕铁硼材料。2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤A)中，所述抽真空的真空度为 2. 5E_lPa ~3. 5E_lPa。3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤A)中，所述升温的速率为（5~ 6) °C /min，保温的时间为1~2h。4. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤B)中，所述升温的速率为（5~ 6) °C /min，保温的时间为1~2h。5. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤C)中，所述升温的速率为（4~ 5) °C /min，保温的时间为4~5h。6. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤D)中，所述升温的速率为2~ 3°C /min，保温的时间为0~lh。7. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤E)中，升温的速率为2~:TC / min，保温的时间为1~3h。8. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤F)中，升温的速率为5~TC / min，降温的速率为0. 1~0. 5°C /min，所述降温后保温的时间为3~5h。9. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤E)与步骤G)中所述冷却的方式 均为氩气风冷。10. 根据权利要求1~9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述钕铁硼毛坯为经过 压制成型的钕铁硼毛坯。
【专利摘要】本发明提供了一种钕铁硼材料的制备方法，在制备钕铁硼材料的过程中，钕铁硼毛坯依次经过升温至200～300℃后保温、升温至500～650℃后保温、升温至800～900℃后保温、升温至(T1-20)℃～(T1-50)℃后保温、升温至T1保温后冷却，得到烧结的钕铁硼毛坯；再将烧结后的钕铁硼毛坯升温至(T2+10)℃～(T2+20)℃，再降温至T2，冷却后得到钕铁硼材料。本申请通过在钕铁硼毛坯烧结与回火阶段分别设计预烧平台，有效地提高了钕铁硼磁体的一致性。
【IPC分类】H01F1/057, B22F3/10, H01F41/00
【公开号】CN105140012
【申请号】CN201510583775
【发明人】姜华
【申请人】北京京磁电工科技有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年9月14日