生某个所得禪合。因此，例如，可W 使得孔512a和51化比孔511a和51化更小，使得它们的禪合贡献被削弱，从而允许来自孔 511a和51化的禪合贡献起主导。
[0074] 值得指出的是，表1中所示的零("0")条目说明W下事实：非常微小水平的禪合很 可能由引起该特定条目的情况的相关组合产生；零("0")条目不一定暗示通过引起该特定 零条目的情况的相关组合没有激励(无论是什么）将发生于该模式。
[00巧]如W上已经简要描述的，图6图示了将输入单模式谐振器190和输出单模式谐振 器200添加到多模式谐振器110。输入单模式谐振器190典型地附连到多模式谐振器110 的正面180。输出单模式谐振器200典型地附连到多模式谐振器110的背面230。输入单 模式谐振器190和输出单模式谐振器200典型地由电介质材料形成。所使用的电介质材料 可W是与用于制作多模式谐振器主体110相同的电介质材料或者其可W是不同的电介质 材料。用于制作输入单模式谐振器190的电介质材料可W是与用于制作输出单模式谐振器 200的不同的电介质材料。输入单模式谐振器190和输出单模式谐振器200二者典型地分 别基本上W金属化层而被涂敷，除了孔区域120和130,其上移除金属化物或者在金属化过 程期间其内未放置金属化物。图6借助于交叉影线清楚地示出其上多模式谐振器主体110 的输入面180上的金属化物150延伸的区域和其上不存在金属化物的孔的区域120。注意 至IJ，典型地施加于多模式谐振器主体110的其余表面、输入谐振器190的表面和输出谐振器 200的表面的金属化物的其余部分为了清楚起见而从图6省略。对此的仅有例外是金属化 物210再次借助于交叉影线而被示出在多模式谐振器主体110的输出面230的表面上。还 通过不存在交叉影线而示出其上不存在金属化物的孔的区域130。
[0076] 向=模式谐振器主体110的输入和输出面180, 230添加单模式谐振器190, 200的 一个目的是包含电磁场，例如图2中针对输入单模式谐振器190所示的H场160和E场170， 其然后可W禪合到多模式谐振器主体110中，或者其在输出单模式谐振器200的情况中已 经从多模式谐振器主体110提取。
[0077] 单模式谐振器190, 200可W被供给有射频信号或者可W使射频信号W各种方式 从它们中被提取，运在图6中未示出，然而稍后将参照图13描述一个示例架构和方法。可 W供给或提取射频信号所用的手段包括但不限于：触碰最外表面或分别穿透输入单模式谐 振器190或输出单模式谐振器200的图6中的最外表面240, 250的探针，位于一个或多个 合适位置W向单模式谐振器190, 200提供所要求的一个或多个电磁场或者从单模式谐振 器190, 200提取所要求的一个或多个电磁场的单个或多个贴片或贴片天线，W及单个或多 个导电环路，其再次位于一个或多个合适位置中W向单模式谐振器190, 200提供所要求的 一个或多个电磁场或者从单模式谐振器190, 200提取所要求的一个或多个电磁场。
[0078] 输入和输出单模式谐振器190, 200还W与多模式谐振器主体110相同的方式基本 上W金属涂层而被覆盖，并且还具有其内基本上不存在金属化物的孔，其在尺寸和位置二 者方面典型地对应于多模式谐振器主体110上的涂层中的孔。输入和输出单模式谐振器 190, 200W图6中所示的位置而与多模式谐振器主体110直接或间接电接触并且典型地还 机械附连到所述多模式谐振器主体110-一也就是说，单模式和多模式谐振器的外侧上的 金属化层典型地跨其公共表面区域的基本上全部而电连接在一起。运样的连接可W通过例 如焊接制成，尽管存在许多其它的导电接合选项。
[0079] 在单模式和相邻的多模式谐振器二者中的孔120, 130典型地在形状、尺寸和谐振 器的相关面上的定位方面基本上等同，使得它们在本质上形成单个孔，其中当谐振器在那 些相关面处接合在一起时，所述单个孔具有与存在于谐振器的相关面上的任一孔基本上等 同的形状。然而，可能仅向单个表面(输入单模式谐振器的输出面或多模式谐振器的输入 面）施加金属化物，具有并入到该单个金属化层中的一个或多个孔并且然后将该金属化表 面接合到相邻的谐振器，所述相邻的谐振器可W具有作为其接合面的未经金属化的表面， 其中该谐振器的其余部分被金属化。然而，在该构造方法的情况下需要小屯、W确保接合材 料(例如胶合剂）基本上具有均匀的厚度。典型地，除了输入和输出连接器、探针或孔之外， 例如在输入和输出单模式谐振器190, 200和多模式谐振器主体110二者的顶部、底部和两 侧上还要求两个谐振器上的金属化物之间的分离电连接，W在实际上形成围绕整个滤波器 结构的连续金属化物。
[0080] 注意到，W上使用的术语"基本上等同"意图包括其中故意使得一个孔略微大于邻 接(面对）的孔W便简化两个孔的对齐并且从而避免两个孔之间的未对齐问题的情况。
[0081] 图7示出图1的禪合布置，其中箭头610的添加指示位于多模式谐振器110的正 面180上的金属化物(未示出）中的电流的示例流动，其可W基于针对禪合孔120所示的形 状、尺寸和位置来预见。可W看到，电流流动610 -般从多模式谐振器110的正面180的中 屯、区指向外边缘。虽然运对于向下朝向底部边缘前进的电流流动W及还有从左向右朝向右 手边缘前进的那些显然是直接了当的，但是运对于需要流动到其它两个边缘的电流而言由 于孔的存在而并不如此容易，所述孔通过金属化物的不存在而形成，因此阻碍电流的流动。 从图7中的禪合孔120的端部周围延伸的电流流动600可W看到，运些电流倾向于聚集在 一起，从而试图配合通过由金属化物形成的比较狭窄的间隙的比较大的电流。金属化物的 电阻率意味着在该区中很可能出现比从由流动到多模式谐振器110的正面180的下边缘和 右手边缘的电流箭头610的主要主体指示的大部分未受阻碍的电流流动中将典型出现的 大得多的电阻损耗。
[0082] 电流的运种聚集通常称为"电流拥挤"并且造成出现在滤波器中的增加的电阻损 耗，如刚才描述的那样。运些增加的损耗是不合期望的并且因此采用不同形式的孔结构和 布局是有利的，W便实现到多模式谐振器内的所有模式的强禪合W及还有针对结果得到的 滤波器的低插入损耗二者。
[0083] 图8示出根据本发明的一个实施例的多孔结构。在该图中仅示出多模式谐振器的 正面180并且为了清楚而省略了金属化物一一仅示出孔721a、72化和721c的轮廓。从该 图可W看到，图1和图7的基本直角孔120已经实际上分解成=个分离的孔子段，=个分离 的孔子段代表拐角区段721a、水平区段的尖端72化和竖直区段的尖端721c。基本孔配置 还是图I和图7中所示的一个的镜像，其基于竖直取向的镜；该改变仅被并入W示出该孔配 置的取向相对于基本形状及其在正面180上关于多模式谐振器的该面180的中屯、和边缘的 定位而言是次要的关注点。
[0084] 原始禪合孔形状120已经被孔子段721a、72化、721c的集合取代，其中在该示例中 使用=个，尽管还可W使用更多或更少个。运些孔子段通过包含金属化物的间隙而被分离， 所述间隙诸如图8中W虚线轮廓示出的金属化的间隙730。运些金属化间隙事实上可W被 认为是出现在相邻子段之间的金属化物中的颈部（neck)。注意到，虚线轮廓仅被示出W指 示现在已经被金属化物取代的孔120的部分；该金属化物并不典型地不同于多模式谐振器 的正面上的金属化物的其余部分。孔子段721a、72化、721c典型地通过蚀刻或类似的过程 形成，其导致金属化物要么被沉积在所要求的区域中并且自不被要求的区域(诸如孔子段） 被抑制，要么从不被要求的区域(诸如孔子段）蚀刻掉并且被使得在所要求的区域中大部分 未被触碰。
[0085] 从图8还可W看到，出现在诸如孔子段721a和72化之类的孔子段之间的诸如金 属化间隙730之类的金属化间隙允许电流从面180的中屯、流动到边缘，实际上在任何方向 上不受阻碍。运种极大改进的电流流动典型地造成W上描述的电流拥挤问题的大大减少的 发生并且结果导致针对完整的多模式滤波器的改进的滤波器插入损耗。
[0086] 图8中所示的孔子段实际上一般集中在谐振器的禪合面的拐角中，换言之，其横 截面面积的多数朝向拐角，而不是多模式谐振器的面180的中屯、。在该位置中它们对在金 属化物内流动的电流将典型地具有最小不利影响，如已经讨论的那样，然而它们仍将典型 地提供在其之上促进到与例如多模式谐振器的面180紧接相邻而流动的H场的有用禪合的 足够禪合区域。运样的H场可W被包含在输入或输出单模式谐振器（图13中的190,200) 内，其可W进而借助于例如探针（图13中的1200)禪合到外部世界。
[0087] 禪合孔结构内的金属化间隙(例如图8中的730)的放置的目的因此是最小化电流 拥挤，而同时实现给定(要求）量的H场禪合。间隙典型地被放置在适合于允许电流自由经 过的位置中，只要是可实践的即可；换言之，其中如果没有存在于金属化物中的孔的话电流 将会正常经过的位置。将间隙放置在运些位置处(或相反地，不将孔放置在运些位置中）因 此最小化对电流的干扰并且因而最小化模式旋转和滤波器损耗二者。
[0088] 虽然W上讨论集中在出现于单个多模式谐振器的正面180上的孔和子孔，但是相 同的论证和相同的禪合孔布置可W使用在多模式谐振器110、任何在先或后续的多模式谐 振器或用于输入禪合、输出禪合或多模式谐振器到多模式谐振器禪合的任何单模式谐振器 的任何禪合面上（参见例如图15中所示的结构)。相同益处将适用在运些位置和应用中的 任一个中。
[0089] 图9示出可W能够向多模式谐振器中的一个或多个模式提供增加量的禪合而同 时仍具有对存在于金属化物中的电阻损耗的最小影响的禪合孔布置的示例。在该图中，禪 合孔子段821a、82化、821c已经在孔宽度方面但是不在孔长度方面扩张或"变胖（fatten)" W便增加孔的面积；孔的运种"变胖"，当相比于图8中所示的那些时，通过将原始形状 721a、72化、721c示出为虚线轮廓叠加在新的孔821a、82化、821c上来强调。从图9明显的 是，应当基本上没有电流拥挤中的增加并且因而基本上没有电阻损耗中的增加由禪合区域 中的增加而产生。通过该手段，典型地可能的是控制所实现的到多模式谐振器内的模式的 禪合程度，而没有不利地影响滤波器的插入损耗。
[0090] 图10示出根据本发明的可替换孔形状的非穷举范围，其可W用于到多模式谐振 器110的输入禪合、用于从多模式谐振器110的输出禪合或在特定设计中使用两个或更多 例如W满足特定需求的滤波器规范的情况下用于多模式谐振器之间的禪合。图10中所示 的替换方案为：（a)四个分离孔子段，（b)=个孔子段，形成"断裂直角"，（C)=个孔子段， 包括：小交叉，加上两个正交槽，（d)由四个分离的子段形成的"断裂交叉"形状的孔，（e)四 个拐角形状的孔。运些可替换孔形状全部使用与W上描述的那些的相同原理进行操作，具 有到各种模式的变化的相对程度的禪合。
[0091] 现在将一起更加详细地讨论图10 (a), (b)和（C)，因为它们本质上都是相同主题 的变型。图10 (a)示出W水平取向和竖直取向的"槽"的形式的四个分离的孔子段；运些 可W被认为是在操作上类似于图1 (b)的孔禪合结构，但是其中孔的一些部分"缺失";换言 之，例如图1中已经被移除W创建孔120的多模式谐振器110的面180上的金属化物的部 分现在在图10 (a)中存在，从而将原始孔形状分解成较小的孔子段311a，3Ub，312a，312b 并且完全省略一些部分，诸如图1 (a)中的输入禪合孔120的左上角。然而，图10 (a)中所 示的孔形式将W与图1 (b)的类似的方式操作，尽管由于被槽占据的较小总面积及其远离 谐振器的面180的中屯、的位置，其将典型地具有到X模式的稍微较低程度的E场禪合。到Y 和Z模式的H场禪合的程度也可W减小，然而，运并不典型地在与到X模式的E场禪合的相 同的程度上发生，并且运是该孔布置的显著益处。因此可能利用图10(a)的孔布置来提供 到Y和Z模式的强H场禪合，连同到X模式的强正H场禪合，而同时最小化到X模式的负E 场禪合的量，其作用于部分地抵消由H场引起的到X模式的正禪合。最小化在到X模式的 禪合中出现的抵消的程度不仅使得适当程度的X模式激励能够被实现在多模式谐振器中 W使得其结合Y和Z模式激励能够满足移动通信工业中适当的许多滤波器规范，其还帮助 最小化所得滤波器的在其通带中的插入损耗。
[0092] 图10 (b)现在示出其中图10 (a)中的两个孔子段已经被略微移动