的无机填充剂是非导电性和惰性的，即其不与聚合物层反应或使聚合物层去稳定化。在 聚合物层中使用一定量的无机填充剂以使底胶的CTE接近用于硅与硅结合的组分（例如 在硅晶片情况下，硅）的相对较低CTE，或介于组分（例如硅）的相对较低CTE与有机基板 (如电路板，例如FR4)的相对较高CTE之间。在电子总成的制造和后续使用期间，必须适当 选择CTE以用于应力缓解。
[0028] 优选的是，第一和第二填充聚合物区域中使用的无机填充剂是选自二氧化硅、金 属氧化物或陶瓷。适合的陶瓷无机填充剂是结晶氧化物、氮化物或碳化物。优选的是，无机 填充剂选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化铍、氧化铈、氧化锌、氮化硅、氮化铝、涂有二氧 化硅的氮化铝、氮化硼和碳化硅，并且更优选的是二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氮化硅、氮化 铝、氮化硼和碳化硅。可使用无机填充剂的混合物。无机填充剂可具有任何适合的形状和 尺寸。优选的是，无机填充剂具有球形或实质上球形形状。这类球形形状使表面积最小化 并且实现聚合物区域中填充剂的更高装载量。优选的是无机填充剂具有将不妨碍互连结构 在任一聚合物区域中的渗透的尺寸，如平均粒度。无机填充剂优选具有0.005到10 μπι，更 优选0. 005到5 μ m并且更优选0. 01到3 μ m的平均粒度。聚合物区域中可使用无机填充 剂粒度的混合物。例如，本发明的聚合物区域可包含具有第一平均粒度的第一二氧化硅填 充剂和具有第二平均粒度的第二二氧化硅填充剂。适用于本发明的无机填充剂包括具有 核-壳结构的陶瓷，其中陶瓷材料核心由无机材料外壳（如徒有二氧化硅的氮化铝）围绕。 可任选地用助粘剂处理无机填充剂以使填充剂粒子的表面化学反应改性，例如允许无机填 充剂粒子与聚合物区域中所使用的聚合物或交联剂反应。填充剂的表面化学反应的改性可 改良断裂韧性并且可改良聚合物区域中填充剂的分散。
[0029] 无机填充剂以彡30重量％，优选> 30重量％，更优选彡35重量％，更优选彡40 重量％，甚至更优选30到80重量％，更优选35到80重量％且更优选40到75重量％的量 存在于第一填充聚合物区域中。无机填充剂以多30重量％，优选> 30重量％，更优选多35 重量％，更优选多40重量％，甚至更优选30到80重量％，更优选35到80重量％并且更优 选40到75重量％的量存在于第二填充聚合物区域中。优选的是，第一填充聚合物区域中 无机填充剂的总量（以重量百分比计）与第二填充聚合物区域中无机填充剂的总量（以重 量百分比计）实质上相同。如本文中所使用，术语"实质上相同"量的无机填充剂意谓第一 填充聚合物区域中无机填充剂的总量与第二填充聚合物区域中无机填充剂的总量（以重 量百分比计）相差不超过10 %，优选不超过5 %，更优选不超过3 %并且甚至更优选不超过 2%。更优选的是，第一聚合物区域中无机填充剂的总量与第二聚合物区域中无机填充剂的 总量相同。本领域的普通技术人员应了解，可通过在各别聚合物区域中使用多个个别聚合 物层来实现第一和第二聚合物区域中的任一者或两者中无机填充剂的梯度，其中个别聚合 物层具有不同含量的无机填充剂。然而，优选的是，本发明的层合结构在第一或第二聚合物 区域中，并且优选在第一和第二聚合物区域中不具有这类无机填充剂梯度。本领域的普通 技术人员应了解，关于聚合物区域所选择的无机填充剂的量是优先于其它参数而尤其部分 基于聚合物层的所需CTE、聚合物层的所需透明度和聚合物层的所需流动特征。
[0030] 第一填充聚合物区域与第二填充聚合物区域相比具有更低的粘度。第二填充聚合 物区域的粘度多第一聚合物区域的粘度的1. 5倍，优选多第一聚合物区域的粘度的2倍，更 优选多第一聚合物区域的粘度的2. 5倍，更优选多第一聚合物区域的粘度的3倍并且甚至 更优选多第一聚合物区域的粘度的4倍。通常，第二聚合物区域的粘度是第一聚合物区域 的粘度的1. 5到1000倍，并且优选是1. 5到500倍。第一填充聚合物区域在125°C下具有 0. 1到1000 Pa-S范围内的粘度，如使用平行板流变仪测量，优选的是1到1000 Pa-S并且更 优选的是1到500Pa-S。第二填充聚合物区域在125°C下具有1000到100, OOOPa-S范围内 的粘度，如使用平行板流变仪测量，优选的是5000到100, OOOPa-S并且更优选的是5000到 50, 00Pa-S。这类黏度可容易地实现，如通过优先于本领域的普通技术人员已知的其它变数 而：适当选择特定无机填充剂或无机填充剂混合物；选择填充剂粒度；表面处理无机填充 剂；在聚合物区域中装载填充剂；特定聚合物区域中所使用的可固化聚合物的尺寸（分子 量和/或支化度）；添加触变剂。例如，增加聚合物区域中的填充剂装载量将增加所述区域 的粘度，而降低无机填充剂的平均粒度将增加特定聚合物区域的粘度。增加用于形成聚合 物区域的可固化聚合物的分子量和/或支化度还将增加所述聚合物区域的粘度。例示性触 变剂是与无机填充剂相互作用或结合的触变剂，如由阿尔塔纳公司（AltanaAG)以商品名 称BYK 405、BYK 410和BYK 415出售的触变剂。
[0031] 因为在形成电子总成之前从本发明底胶结构移除顶部和底部薄膜层，所以底胶结 构中的唯一关键尺寸是聚合物层的厚度。因为互连结构的高度主要视所使用的特定结构而 变化，因此不存在关于本发明结构中的聚合物层的厚度的特定范围。聚合物层的总厚度，即 第一和第二聚合物区域的组合厚度，可大于、等于或小于用于形成电子总成的互连结构的 高度。第二聚合物区域的高度是关键的并且等于或小于互连结构的高度，并且优选的是小 于互连结构的高度。第一聚合物区域，其还可以充当助熔剂，可覆盖互连结构的顶部。如果 聚合物层的高度显著大于互连结构的高度，那么存在聚合物层将沿基板渗出或蔓延到晶片 侧壁上的风险。还存在其将阻碍互连结构与其所电连接的导电垫之间的良好接触的可能。 如果聚合物层的高度显著小于互连结构的高度，那么在将组件装配到基板上之后，聚合物 层与基板或组件之间可能保持不合意的间隙。互连结构的顶部与聚合物层的顶部表面之间 的高度差应足以考虑到互连结构和底胶在电子装置装配（如使组件与基板接触并且加热 以将组件焊接到基板上，即使互连结构与导电结合垫电连接）期间的扩散。在这类装配之 后，聚合物层应填充组件表面与基板表面之间的空间并且沿组件边缘形成嵌条（fillet)。
[0032] 通常，第一聚合物区域和第二聚合物区域中的每一者可具有任何适合的厚度，其 限制条件是第二聚合物区域的厚度大于或等于第一聚合物区域的厚度。优选的是，第一 聚合物区域的厚度与第二聚合物区域的厚度的比是0.1 : 9.9到1 : 1，并且更优选的是 1 : 9到1 : 1。适合的是，对于仅第一和第二聚合物区域的聚合物层，第一聚合物区域的 厚度占底胶结构中聚合物层的厚度的0. 1到50%，并且优选是1到50%，并且第二聚合物 区域的厚度占聚合物层的厚度的99. 9到50%，并且优选是99到50%。优选的是，第二聚 合物区域的厚度远大于第一聚合物区域的厚度。作为实例，第一聚合物区域的厚度可在0. 1 到10 μ m(或更大）范围内，并且第二聚合物区域的厚度可为5到200 μ m(或更大），但本发 明底胶结构可使用广泛多种厚度。
[0033] 本发明底胶结构中的底部薄膜层通常在制造、储存和后续加工期间充当聚合物层 和干燥薄膜底胶结构的任何其它层的支撑物。通常，从干燥薄膜（聚合物层）移除底部薄 膜层，如通过剥离，并且通常在本发明底胶结构与表面层合之前移除。因此，底部薄膜层与 聚合物层之间的粘合通常是低到中等，以便易于分离。通常，在顶部薄膜层之前移除底部 薄膜层，由此底部薄膜层与聚合物层之间的粘合相对低于顶部薄膜层与聚合物层之间的粘 合。用于底部薄膜层的具体材料可广泛变化并且所使用的具体材料并不关键。用于底部薄 膜层的材料可以是刚性或柔性的，并且通常呈卷形物或薄片形式。适合的底部薄膜层材料 包括（但不限于）：聚酯，如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET);纸；尼龙；玻璃；乙酸纤维素；聚 烯烃；聚酰亚胺；聚氨基甲酸酯；聚（甲基）丙烯酸酯；金属片；环氧树脂层合物；涂有铜的 纤维板等。可以不同方式涂布如PET、纸等材料。例如，PET可涂有树脂、经过火焰或静电放 电处理或滑动处理。用作底部薄膜的纸通常涂有树脂，如涂有聚乙烯的纸或涂有聚乙烯醇 的纸。优选的是，底部薄膜层是聚烯烃，并且更优选是聚乙烯。尽管底部薄膜层通常具有5 到250 μ m的厚度，但底部薄膜层的精确厚度并不关键，只要其可支撑底胶结构中的其它层 即可。
[0034] 任选的是，可在底部薄膜层与聚合物层之间安置脱模层。通常在以下情况下使用 脱模层：底部薄膜层与聚合物层之间的粘合相对过高，使得不易于在不损坏聚合物层或底 胶结构中的其它层的情况下从聚合物层移除底部薄膜层。任何所使用的脱模层需要使底部 薄膜层可从聚合物层剥离。当使用脱模层时，优选的是，当从底胶结构移除底部薄膜层时， 脱模层与底部薄膜层实质上保持在一起，并且聚合物层上不残留脱模层残余物。可任选地 移除在移除底部薄膜层之后剩余的任何脱模层残余物，如通过与适合的有机溶剂接触。优 选不使用脱模层。
[0035] 本发明的底胶结构可通过在底部薄膜（如PET薄膜）上沉积聚合物层来形成。聚 合物层是通过首先形成聚合物区域来形成，所述聚合物区域是通过在薄膜的顶部表面上安 置填充聚合材料而形成。填充聚合材料层可与底部薄膜层合或可使用槽模、刀辊（knife over roll)或通过本领域的普通技术人员已知的另一种适合的涂布方法涂布，并且接着通 常在进一步加