不含空隙，并且优选是不含空隙。另外，这类电子包装优选具有良好的嵌条形成。相对较低 粘度聚合物区域中填充剂的量提供具有与主体底胶相同的CTE的嵌条。
[0044] 实例1-制备聚合物1.向配备有顶詈式搅拌器、温度计和冷凝器的夹套3L反应器 中添加2000g(11.3mol)双酸A的二缩水甘油醚（来自陶氏化学公司（The Dow Chemical Company)的DER 332, EEW :177)和545. 7g丙二醇单甲基醚（PGME)。溶液加热到50°C并 且搅拌10分钟以确保充分混合。在充分搅拌之后，在搅拌下添加182. 8g(4. 3mol)份的1， 8-孟烷二胺（来自陶氏化学公司的Primine MD)并且将所得混合物加热到100°C。一旦在 100°C下稳定，搅拌混合物1小时，随后进一步加热升高到130°C并且再搅拌所述物质4小 时。在反应完成之后，降低温度并且将b阶段聚合物滴入4L玻璃瓶中以用于储存。
[0045] 实例2-制备聚合物2.向配备有顶詈式搅拌器、温度计和冷凝器的夹套3L反应 器中添加 ll〇〇.8g(6.2mol)双酚 A 的二缩水甘油醚（DER 332, EEW:177)、820.9g(1.9mol) 具有环氧基官能团的增韧剂（EPICL0N?EXA-4850-150,大日本油墨化学工业公司（DIC Corporation)，EEW 450)和675. Og PGME。溶液加热到50°C并且搅拌10分钟以确保充分 混合。在充分搅拌之后，在搅拌下添加103. 3g(2. 4mol)份的1，8_孟烷二胺并且将所得混 合物加热到l〇〇°C。一旦在100°C下稳定，搅拌混合物1小时，随后进一步加热升高到130°C 并且再搅拌所述物质4小时。在反应完成之后，降低温度并且将b阶段聚合物滴入4L玻璃 瓶中以用于储存。
[0046] 实例3-制备聚合物.除了用等摩尔量的表1中列举的双功能性环氧化物单体替 代双酚A环氧化物以外，通过重复实例1或实例2的程序制备不同聚合材料。
[0049] 实例4-制备聚合物.除了伸用表2中报导的环氧化物单体和胺交联剂以外，通过 重复实例1或实例2的程序来制备不同聚合物材料。
[0050] 表 2
[0051]
[0052] 实例5-聚合物配方的一般制备方法.伸用以下一般程序制备实例6-8的组合物， 使用实例1-4的聚合物样品、来自表3的无机填充剂和其它来自表4的组分。首先将无机 填充剂与湿润剂（HYPERMER? KDI，来自禾大公司（Croda，Inc.))组合并且使用双重行星 混合器装置历时5分钟且在2000rpm下分散于溶剂混合物中，所述溶剂混合物由乙酸正丁 酯/PGME之50 :50掺合物组成。向这一填充剂浆料中添加聚合物样品和任何单体并且将 所得混合物再次在双重行星混合器中以2000rpm的速度旋转5分钟。接着添加所有流动添 加剂（TEGOFLOW? 370,来自赢创工业公司（Evonik IndustriesAG))、硬化剂和韧化剂（BTA 753ER，来自陶氏化学公司）并且所得混合物在双重行星混合器中以2000rpm的速度旋转 5分钟。最后，添加催化剂并且所得配方再次在双重行星混合器中以2000rpm的速度旋转 5分钟。一旦所有材料混合在一起，便使所得配方通过含有0. 8_氧化锆研磨介质的耐驰 (Netzsch)介质研磨机，以便确保任何填充剂聚结物破碎，从而产生粘稠、自由流动液体。
[0057] 实例6-高粘度聚合物配方.通讨枏据实例5的一般程序，按表5中所展示的量 (克）组合组分来制备高粘度聚合物配方（HVF)。
[0061] 实例7-高粘度聚合物配方.通讨枏据实例5的一般程序，按表6和7中所展示的 量（克）组合组分来制备高粘度聚合物配方（HVF)。
[0067] 实例8-低粘度聚合物调配物.通讨枏据实例5的一般程序，按表8和9中所展示 的量（克）组合组分来制备低粘度聚合物配方（LVF)。
[0073] 实例9-制备底胶结构.使用槽樽在PET载体薄膜（底部薄膜）上涂布来自表5 到7的高粘度配方。这一涂层通过多阶段烘炉（峰值温度为IKTC )以去除溶剂，产生干 燥薄膜。将来自表8或9的低粘度配方涂布到PET载体上并且与高粘度配方类似地进行处 理。接着使用热辊层合机将两种干燥薄膜材料层合在一起并且移除邻近低粘度材料的PET 覆盖片。接着使用热辊层合机使这一总成与具有PSA层的背磨带（顶部薄膜层）层合，其 中低粘度材料层粘附到背磨带上的粘合层。将与高粘度材料相邻的PET载体薄膜（底部薄 膜）剥离并且接着使用真空层合机使高粘度材料的暴露表面层合到晶片上。
[0074] 实例10.使用槽模涂布机在PET载剂薄膜（底部薄膜）上涂布来自表5的高粘度 配方3并且根据实例9的程序干燥。将来自表9的低粘度调配物15涂布到PET载体上并 且类似地处理。接着使用热辊层合机将两种干燥薄膜材料层合在一起并且移除邻近低粘度 材料的PET覆盖片。接着使使用热辊层合机使总成与具有PSA层的背磨带（顶部薄膜层） 层合，其中低粘度材料层粘附到背磨带上的粘合层。将邻近高粘度材料的PET载体薄膜（底 部薄膜）剥离并且接着使高粘度材料的暴露表面层合到PCB基板上，以便提供上面安置有 预涂底胶材料的PCB基板。接着从预涂底胶移除顶部薄膜层以便暴露低粘度区域的表面。 接着将半导体裸片安置在预涂底胶上，安装到PCB基板上，并且接着在175Γ下固化预涂底 胶材料90分钟。在安装裸片期间，底胶材料从裸片与基板之间流出，以便形成围绕晶片的 固化底胶珠粒。图6展示这一电子包装的光学图像的边缘。
[0075] 实例11-比较.除了使用高粘度配方4而非低粘度配方以外，重复实例10的程序。 即底胶结构含有聚合物层，所述聚合物层具有单一高粘度聚合物区域并且不具有低粘度聚 合物区域。图7展示这一电子包装的光学图像的边缘。可从图7(比较性）发现，围绕裸片 的底胶珠粒的均匀度小于图6 (本发明）中所展示的底胶珠粒。
【主权项】
1. 一种底胶结构，其依序包含：顶部薄膜层；聚合物层，和底部薄膜层，其中所述聚合 物层包含具有第一粘度的第一填充聚合物区域和具有第二粘度的第二填充聚合物区域，其 中所述第二粘度多所述第一粘度的1. 5倍。2. 根据权利要求1所述的底胶结构，其中所述第一粘度在120°C下在0. 1到1000 Pa-S 范围内。3. 根据权利要求1所述的底胶结构，其中所述第二粘度在120°C下在1000到 100, OOOPa-S 范围内。4. 根据权利要求1所述的底胶结构，其中所述第二粘度多所述第一粘度的2倍。5. 根据权利要求1所述的底胶结构，其中所述第一填充聚合物区域包含第一份量的无 机填充剂并且所述第二填充聚合物区域包含第二份量的无机填充剂，其中所述无机填充剂 的第一份量与所述无机填充剂的第二份量实质上相同。6. 根据权利要求1所述的底胶结构，其中粘合层安置在所述顶部薄膜层与所述聚合物 层之间。7. 根据权利要求1所述的底胶结构，其中所述顶部薄膜层由弹性体组成。8. 根据权利要求1所述的底胶结构，其中所述顶部薄膜层为选自以下各者的聚合物： 聚烯烃、聚酯、聚氨基甲酸酯、聚（氯乙烯）、聚（偏二氯乙烯）、乙烯乙酸乙烯酯和聚（甲 基）丙烯酸酯。9. 根据权利要求1所述的底胶结构，其中所述底部薄膜层是选自聚酯、聚酰胺、聚酰亚 胺、聚烯烃、聚丙烯酸酯、聚氨基甲酸酯和金属。10. 根据权利要求1所述的底胶结构，其中所述第一填充聚合物区域和第二填充聚合 物区域中的每一者包含可固化聚合物、交联剂、热固化剂和无机填充剂。11. 根据权利要求1所述的底胶结构，其中所述第一填充聚合物区域具有30到80重 量％的无机填充剂。12. 根据权利要求1所述的底胶结构，其中所述第二填充聚合物区域具有30到80重 量％的无机填充剂。13. -种形成电子包装的方法，其包含：提供表面上具有互连结构的组件；提供表面上 具有导电结合垫的基板；提供根据权利要求1所述的底胶结构；从所述底胶结构移除所述 底部薄膜；使所述底胶结构与上面具有互连结构的所述组件表面或上面具有导电结合垫的 所述基板表面层合；移除所述顶部薄膜层；将所述互连结构的顶部与所述导电结合垫安置 在一起以形成一个单元；和使所述互连结构与所述导电结合垫电连接。14. 根据权利要求13所述的方法，其中排列所述底胶结构使得所述第一填充聚合物区 域与所述基板表面直接相邻。
【专利摘要】本发明涉及适用作预涂底胶材料的底胶结构包含聚合物层，所述聚合物层具有第一填充聚合物区域和第二填充聚合物区域，所述第一填充聚合物区域具有第一粘度并且所述第二填充聚合物区域具有第二粘度，其中第一粘度小于第二粘度。使用这类多层结构化预涂底胶形成包含晶片或裸片和基板的电子总成。
【IPC分类】B32B27/06, H01L23/29, B32B7/12, H01L21/56, C09J163/00, C09J11/04, H01L21/60
【公开号】CN105206587
【申请号】CN201510351312
【发明人】R·K·巴尔, E·安左斯, J·M·卡尔弗特, H·雷, D·弗莱明, A·V·多保尔, A·丘贝伊
【申请人】罗门哈斯电子材料有限责任公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年6月23日
【公告号】EP2960929A1, US20150371916