优选地，所述镓铟合金中，镓的质量百分含量为50-90%，铟的质量百分含量为 10-50% ;所述镓铟锡合金中，镓的质量百分含量为大于等于50%小于90%，铟的质量百分 含量为10-30%，锡的质量百分含量为大于0小于等于20%。
[0024] 更优选地，所述镓铟合金中，镓的质量百分含量为60-75%，铟的质量百分含量为 25-40%;所述镓铟锡合金中，镓的质量百分含量为60-75%，铟的质量百分含量为10-25%， 锡的质量百分含量为5-15%。
[0025] 进一步优选地，所述镓铟合金中，镓的质量百分含量为75%，铟的质量百分含量为 25% ;所述镓铟锡合金中，镓的质量百分含量为68%，铟的质量百分含量为22%，锡的质量 百分含量为10%。
[0026] 优选地，所述天然氧化层的厚度为l_5nm，所述天然氧化层的材质为氧化镓。
[0027] 将所述镓合金在空气中充分氧化，使所述镓合金表面形成一层天然氧化层可通过 搅拌实现。
[0028] 优选地，所述发光功能层包括依次层叠设置在所述第一电极表面的空穴注入层、 空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；或包括依次层叠设置在所述第一电极表面 的电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层。即本发明中发光二极管可 为正向或倒置的结构。根据实际需要，本发明发光二极管发光功能层还可以设置电子阻挡 层、空穴阻挡层等。本发明中，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等 各层材料可采用行业内常用材料，其各层的厚度可根据实际需要设定。本发明中，上述各功 能层可采用热蒸镀、印刷、打印或涂覆等方式制备。
[0029] 本发明中，所述基底和第一电极的材料可采用行业内常用材料。例如，所述基底可 以是玻璃、石英、塑料或树脂等基板。所述第一电极可以是ITO薄膜。所述第二基底可以是 玻璃、石英、塑料或树脂等基板。第二基底同时还充当器件的封装盖板。本发明所述紫外固 化胶可采用行业内常规使用的固化胶，采用紫外光固化。
[0030] 本发明所述发光二极管包括量子点发光二极管或有机发光二极管。
[0031] 本发明实施例第二方面提供的发光二极管的制备方法，由于采用液态镓合金材料 作为电极材料，因此可通过打印、印刷或涂覆的方法制得第二电极，无需采用昂贵费料的真 空蒸镀设备，完全省去真空蒸镀这一环节，工艺简单，成本低廉，且由于不含有机溶剂、不需 退火处理，因此不影响器件的性能，本发明实施例制备方法实现了真正的全印刷光电器件 的制备，解决全印刷制备技术的关键难题，具有广阔的应用前景。
[0032] 本发明实施例的优点将会在下面的说明书中部分阐明，一部分根据说明书是显而 易见的，或者可以通过本发明实施例的实施而获知。
【附图说明】
[0033] 图1是本发明实施例1中的量子点发光二极管的结构示意图；
[0034] 图2是本发明实施1的量子点发光二极管的制备流程；
[0035] 图3是本发明实施例2中的量子点发光二极管的结构示意图；
[0036] 图4是本发明实施例2的量子点发光二极管的制备流程；
[0037] 图5是本发明实施例1和对照例1中的量子点发光二极管的电流密度-电压-亮 度特性图；
[0038] 图6是本发明实施例1和对照例1中的量子点发光二极管的电流效率-电流密度 特性图；
[0039] 图7是本发明实施例2和对照例2中的量子点发光二极管的电流密度-电压-亮 度特性图；
[0040] 图8是本发明实施例2和对照例2中的量子点发光二极管的电流效率-电流密度 特性图；
[0041] 图9是本发明实施例2和对照例2中的量子点发光二极管的亮度-时间特性图。
【具体实施方式】
[0042] 以下所述是本发明实施例的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技 术人员来说，在不脱离本发明实施例原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进 和润饰也视为本发明实施例的保护范围。
[0043] 下面分多个实施例对本发明实施例进行进一步的说明。其中，本发明实施例不限 定于以下的具体实施例。在不改变主权利的范围内，可以适当的进行变更实施。
[0044] 实施例1
[0045] 图1为本实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图。如图1所示，该量子点 发光二极管由下往上依次层叠设置有玻璃基板101、ITO薄膜102、空穴注入层103、空穴传 输层104、发光层105、电子传输层106以及第二电极107。所述第二电极107的材质为镓铟 合金，所述镓铟合金中，镓的质量百分含量为75%，铟的质量百分含量为25% ;所述第二电 极107表面具有一层厚度为l-5nm的天然氧化层。
[0046] 本实施例提供的量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
[0047] (a)取ITO玻璃基板，标记为基板1，采用激光烧蚀或光刻技术在基板1上制作出 电极图案，再用玻璃清洗液超声清洗，其超声清洗的过程是在70°C的条件下超声30min。然 后，用去离子水超声清洗30min，最后将ITO玻璃电极基板烘干待用。
[0048] (b)将经步骤（a)处理后的基板1采用紫外臭氧处理15min，然后在基板1上 制作发光功能层，具体地依次在其表面上旋涂制备空穴注入层，空穴传输层，量子点发光 层，电子传输层。其中，空穴注入层的材料为聚（3, 4-乙烯二氧噻吩）-聚苯乙烯磺酸 (PED0T:PSS)，旋涂的转速为3000r/min，烘烤温度150°C，时间IOmin ;空穴传输层的材料为 聚（9-乙烯咔唑）（PVK)，PVK的浓度为10mg/mL，采用氯苯作为溶剂，旋涂的转速为1500r/ min，烘烤温度120°C，时间20min ;量子点发光层的材料为CdSe/ZnS核壳结构量子点，表 面配体为油酸，浓度为20mg/mL，采用正辛烷作为溶剂，旋涂的转速为1500r/min，烘烤温度 100°C，时间5-6min ;电子传输层的材料为ZnO纳米颗粒，浓度为20mg/mL，采用正丁醇作为 溶剂，旋涂的转速为2000r/min，烘烤温度60°C，时间30min。
[0049] (c)提供另一玻璃基板，标记为基板2,取液态镓铟合金，所述镓铟合金中，镓的质 量百分含量为75 %，铟的质量百分含量为25 %，将所述液态镓铟合金在空气中搅拌，使其 充分氧化，在表面形成一层厚度为l_5nm的天然氧化层，再将所述液态镓铟合金涂覆在基 板2上，制备得到镓铟合金第二电极。
[0050] ⑷将基板1和基板2贴合在一起，即电子传输层与第二电极贴合，并使用紫外固 化胶固定，得到正向量子点发光二极管。
[0051] 实施例2
[0052] 图3为本实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图。如图3所示，该量子点 发光二极管由下往上依次层叠设置有玻璃基板201、ITO薄膜202、电子传输层203、发光层 204、电子阻挡层205、空穴传输层206、空穴注入层207以及第二电极208。所述第二电极 208的材质为镓铟锡合金，所述镓铟锡合金中，镓的质量百分含量为68%，铟的质量百分含 量为22%，锡的质量百分含量为10% ;所述第二电极208表面具有一层厚度为l-5nm的天 然氧化层。