[0083] (b)将经步骤（a)处理后的基板采用紫外臭氧处理15min，然后在基板上制作发光 功能层：具体地依次在其表面上旋涂制备空穴注入层，空穴传输层，量子点发光层，电子传 输层。其中，空穴注入层的材料为PED0T:PSS，旋涂的转速为3000r/min，烘烤温度150°C，时 间IOmin ;空穴传输层的材料为PVK，PVK的浓度为10mg/mL，采用氯苯作为溶剂，旋涂的转速 为1500r/min，烘烤温度120°C，时间20min ;量子点发光层的材料为CdSe/ZnS核壳结构量 子点，表面配体为油酸，浓度为20mg/mL，采用正辛烷作为溶剂，旋涂的转速为1500r/min， 烘烤温度l〇〇°C，时间5-6min ;电子传输层的材料为ZnO纳米颗粒，浓度为20mg/mL，采用正 丁醇作为溶剂，旋涂的转速为2000r/min，烘烤温度60°C，时间30min。
[0084] (c)采用真空蒸镀的方法在所述空穴注入层上沉积150nm的铝膜，形成第二电极， 得到量子点发光二极管。
[0085] 图5是本发明实施例1和对照例1中的量子点发光二极管的电流密度-电压-亮 度特性图；图6是本发明实施例1和对照例1中的量子点发光二极管的电流效率-电流密 度特性图；从图中可看出，采用本发明提供的镓合金金属电极，量子点发光二极管表现出更 好的性能。
[0086] 对照例2
[0087] -种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
[0088] (a)取ITO玻璃基板，采用激光烧蚀或光刻技术在基板上制作出电极图案，再用玻 璃清洗液超声清洗，其超声清洗的过程是在70°C的条件下超声30min。然后，用去离子水超 声清洗30min，最后将ITO玻璃电极基板烘干待用。
[0089] (b)将经步骤（a)处理后的基板采用紫外臭氧处理15min，然后在基板上制作发光 功能层：具体地依次在其表面上依次制备电子传输层，量子点发光层，电子阻挡层，空穴传 输层，空穴注入层。其中，电子传输层采用旋涂的方法制备，所用材料为ZnO纳米颗粒，浓度 为20mg/mL，采用正丁醇作为溶剂，旋涂的转速为2000r/min，时间为60s，烘烤温度120°C， 时间30min ;量子点发光层也是采用旋涂的方法制备，所用材料为CdSe/ZnS核壳结构量子 点，表面配体为油酸，旋涂的转速为1500r/min，时间为60s，烘烤温度100°C，时间5-6min ; 制备电子阻挡层的材料为TCTA ;制备空穴传输层的材料为NPB ;制备空穴注入层的材料为 HATCN ;电子阻挡层，空穴传输层，空穴注入层采用热蒸镀方法，蒸发沉积速率为0.5 Α/s，厚 度分别为 30nm、40nm、10nm。
[0090] (C)采用真空蒸镀的方法在所述空穴注入层上沉积150nm的铝膜，形成第二电极， 得到量子点发光二极管。
[0091] 图7是本发明实施例2和对照例2中的量子点发光二极管的电流密度-电压-亮 度特性图；图8是本发明实施例2和对照例2中的量子点发光二极管的电流效率-电流密 度特性图；图9是本发明实施例2和对照例2中的量子点发光二极管的亮度-时间特性图。 从图中可看出，采用本发明提供的镓合金金属电极，量子点发光二极管表现出更高的效率， 更长的寿命。
[0092] 应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为 是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1. 一种发光二极管，包括基底，以及依次层叠设置在所述基底表面的第一电极、发光功 能层和第二电极，所述发光功能层至少包括发光层，其特征在于，所述第二电极的材料为镓 合金，所述镓合金的熔点低于30°C，在室温下为液态，所述第二电极的表面具有一层天然氧 化层。2. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述镓合金为镓铟合金或为镓铟 锡合金。3. 根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述镓铟合金中，镓的质量百分含 量为50-90%，铟的质量百分含量为10-50%;所述镓铟锡合金中，镓的质量百分含量为大于 等于50 %小于90 %，铟的质量百分含量为10-30 %，锡的质量百分含量为大于0小于等于 20%〇4. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述天然氧化层的厚度为l_5nm， 所述天然氧化层的材质为氧化镓。5. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光功能层包括依次层叠设 置在所述第一电极表面的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；或 包括依次层叠设置在所述第一电极表面的电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和 空穴注入层。6. -种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一基底，在所述基底表面依次层叠制备第一电极和发光功能层，所述发光功能层 至少包括发光层； 取镓合金，将所述镓合金在空气中充分氧化，再将所述镓合金印刷、打印或涂覆在所述 发光功能层表面，形成第二电极，得到发光二极管；或提供第二基底，将所述充分氧化后的 镓合金印刷、打印或涂覆在所述第二基底表面，形成第二电极，将所述第二电极与所述发光 功能层贴合在一起，并采用紫外固化胶固定，得到发光二极管； 所述镓合金的熔点低于30°C，所述镓合金在室温下为液态，所述第二电极的表面具有 一层天然氧化层。7. 根据权利要求6所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述镓合金为镓铟合 金或为镓铟锡合金。8. 根据权利要求7所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述镓铟合金中，镓的 质量百分含量为50-90%，铟的质量百分含量为10-50%;所述镓铟锡合金中，镓的质量百分 含量为大于等于50 %小于90 %，铟的质量百分含量为10-30 %，锡的质量百分含量为大于0 小于等于20%。9. 根据权利要求6所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述天然氧化层的厚 度为l-5nm，所述天然氧化层的材质为氧化镓。10. 根据权利要求6所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述发光功能层包括 依次层叠设置在所述第一电极表面的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子 注入层；或包括依次层叠设置在所述第一电极表面的电子注入层、电子传输层、发光层、空 穴传输层和空穴注入层。
【专利摘要】本发明实施例提供了一种发光二极管，包括基底，以及依次层叠设置在所述基底表面的第一电极、发光功能层和第二电极，所述发光功能层至少包括发光层，所述第二电极的材料为镓合金，所述镓合金的熔点低于30℃，在室温下为液态，所述镓合金的表面具有一层天然氧化层。该发光二极管由于采用镓合金金属电极，而镓合金在室温下具有流动性、形变性和可塑性，因此可通过打印、印刷、涂覆的方法成型，从而使整个发光二极管的制备无需采用真空蒸镀设备，实现了真正的全印刷光电器件。此外，该发光二极管由于采用镓合金金属电极，稳定性好，效率高。本发明实施例还提供了该发光二极管的制备方法。
【IPC分类】H01L51/52, H01L51/00
【公开号】CN105206761
【申请号】CN201510622188
【发明人】陈树明, 彭辉仁, 王为高
【申请人】南方科技大学
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年9月25日