电子零件及电子单元的制作方法
【专利说明】电子零件及电子单元 阳OOU [相关申请案]
[0002] 本申请案享有W日本专利申请案2014-156690号（申请日：2014年7月31日）为 基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
技术领域
[0003] 本发明的实施方式设及一种电子零件及电子单元。
【背景技术】
[0004] 业界提出了一种赋予功能性分子接着剂并利用无电解锻敷形成导电性电路的成 型电路零件的制造方法。
【发明内容】
阳〇化]期待电子零件及电子单元的可靠性的进一步提高。
[0006] 本发明的目的在于提供一种能实现可靠性的进一步提高的电子零件及电子单元。
[0007] 根据实施方式，电子零件包括：金属部；模具树脂，覆盖所述金属部的至少一部 分；W及分子接着层，设置在所述金属部的表面与所述模具树脂之间。
【附图说明】
[0008] 图1是第一实施方式的电子零件的立体图。
[0009] 图2是图1中所示的电子零件的剖视图。
[0010] 图3(a)~（d)是表示图1中所示的电子零件的制造步骤的流程的整体的立体图。
[0011] 图4(a)~（f)是表示图1中所示的电子零件的制造步骤的流程的一部分的剖视 图.
[0012] 图5(g)-(k)是表示图1中所示的电子零件的制造步骤的流程的一部分的剖视图。
[0013] 图6(1)-(0)是表示图1中所示的电子零件的制造步骤的流程的一部分的剖视图。
[0014] 图7第一实施方式的电子零件的一变化例的剖视图。
[0015] 图8是第二实施方式的电子单元的剖视图。
[0016] 图9是示意性地表示分子接着层的组成的一例的图。
【具体实施方式】
[0017] W下，参照附图对实施方式进行说明。
[0018] 在本说明书中，对若干个要素附加多个表达方式例。此外，运些表达方式例只不过 是例示，并非否定所述要素可通过其他表达方式来表达。而且，关于未被附加多种表达方式 的要素，也可W通过其他表达方式来表达。
[0019] 而且，附图为示意图，有厚度与平面尺寸的关系或各层的厚度的比例等与实物不 同的情况。而且，还有包含在附图相互之间彼此的尺寸关系或比例不同的部分的情况。
[0020] (第一实施方式）
[0021] 图1及图2表示第一实施方式的电子零件1。电子零件1是"半导体零件"、"半导 体封装"、"封装"、"电子单元"、"电子设备"、"电子系统"及"系统"的各一例。电子零件1例 如为晶片级封装（晶片级CSP(Waferlevel化ipSize化ckage，晶片级忍片尺寸封装）） 的LED(Li曲t血ittingDiode,发光二极管）忍片，但并不限定于此。本实施方式的构成还 可W广泛应用于L邸忍片W外的各种电子零件。 阳02引如图1及图2所示，电子零件1具有发光元件11、多个金属电极12曰、12b、模具树 脂13、巧光体层14及分子接着层15。发光元件11 (半导体发光元件、发光层、发光部）为 "半导体元件"、"主体部"、"零件主体"及"元件部"的各一例，例如为LED(Li曲tEmitting Diode)。此外，可应用本实施方式的半导体元件、主体部或零件主体并不限定于发光元件， 也可W是具有其他功能的元件。发光元件11在俯视下形成为大致矩形的薄膜状（薄板状）。 阳02引发光元件11例如包含发出蓝色光的InGaN层。详细来说，发光元件11例如具有 束一包层21、束^包层22及活性层23。束一包层21、束^包层22及活性层23各自在俯视 下形成为大致矩形的薄膜状。
[0024] 第一包层21例如为n型半导体的层，例如具有接近电子零件1的大致全宽的宽 度。第二包层22为P型半导体的层。第二包层22具有小于第一包层21的面积，并且设置 在从第一包层21的中屯、偏移的位置。
[0025] 活性层23例如具有与第二包层22大致相同的外形，且设置在第一包层21与第二 包层22之间。当对第一包层21与第二包层22之间赋予电位差时，活性层23发射光。由 此，发光元件11例如发射蓝色光。此外，发光元件11也可W发射蓝色光W外的光。而且， 发光元件11还可W具有覆盖第二包层22的下表面的光反射层。
[0026] 如图2所示，发光元件11具有第一面1Ia(第一主面）、第二面1Ib(第二主面）及 第=面Ilc(侧面）。第一面Ila为图2中的上表面，由第一包层21的表面所形成。第二面 1化为图2中的下表面，且位于与第一面Ila相反侧。第二面Ub是由第一包层21的表面 的一部分与第二包层22的表面所形成。第二面1化与第一面Ila大致平行地延伸，并且在 其中途具有下述阶差部25。第=面Ilc沿与第一面Ila及第二面1化大致正交的方向延 伸，且连接第一面Ila的边缘与第二面Ub的边缘。
[0027] 发光元件11具有厚度互不相同的第一部分26与第二部分27。第一部分26位于 偏离第二包层22的区域，且具有与第一包层21的厚度大致相等的第一厚度T1。第二部分 27包含第一包层21、第二包层22及活性层23,且具有比第一厚度Tl更厚的第二厚度T2。 阶差部25位于第一部分26与第二部分27之间，且是因第一部分26与第二部分27的厚度 差而形成。阶差部25包含沿发光元件11的厚度方向延伸的立起面25曰。 阳02引如图2所示，发光元件11的第二面1化也可W具有巧晶层28。巧晶层28例如是 成为利用锻敷形成金属电极12a、12b时的供电层的导电膜。巧晶层28例如是由Ti/化等 的积层膜所形成。
[0029] 如图1及图2所示，多个金属电极12a、l化设置在发光元件11的第二面1化，且连 接于发光元件11。金属电极12a、l化各自为"金属部"的一例。金属电极12日、12b呈大致 长方体的柱状或圆柱状从发光元件11的第二面Ilb向发光元件11的厚度方向（与发光元 件11的第二面1化大致正交的方向）突出。此外，所谓"设置（连接）在发光元件11"，也 包括隔着巧晶层28设置（连接）在发光元件11的情况。
[0030] 第一及第二金属电极12a、1化各自具有端面31与周面32 (侧面）。端面31是位 于与发光元件11相反侧的金属电极12a、12b的突出面，且与发光元件11的第二面1化大 致平行。周面32沿金属电极12a、l化的突出方向延伸，且连接端面31的周缘与发光元件 11之间。
[0031] 在本实施方式中，多个金属电极12a、12b包含第一电极12a(n侧电极）与第二电 极1化(P侧电极）。第一电极12a设置在发光元件11的第一部分26,且电连接于第一包层 21。另一方面，第二电极1化设置在发光元件11的第二部分27,且电连接于第二包层22。 由此，发光元件11可经由金属电极12a、l化供电。金属电极12曰、12b的材料例如为铜、侣、 银、金、锡、儀、含铅焊料、无铅焊料等金属，优选铜。
[0032] 此处，各第一及第二金属电极12a、1化也可W包含电极层与金属柱33。电极膜（电 极层）位于金属电极12a、12b的基部，且设置在发光元件11的第二面Ub(或巧晶层28)。 电极膜是利用Ni/Au等金属形成为例如0. 1Jim的厚度。
[0033] 另一方面，金属柱33从电极膜向发光元件11的厚度方向较大程度地突出，且占据 金属电极12a、12b的大部分。金属柱33是由化等金属形成。此外，也可W省略所述电极 膜。也就是说，各金属电极12a、l化也可W仅由金属柱33构成。因此，本说明书中的"金属 电极"的记载也可W适当改称为"金属柱"。
[0034] 如图1及图2所示，模具树脂13(密封树脂、绝缘树脂、树脂部）W包围多个金属 电极12a、12b的方式而设置，且形成电子零件1的外形的一部分。模具