2的化,K,Fe,化和化。
[0030] 在步骤e)之后，该玻璃基材的至少一个表面通常包含小于0. 02个颗粒/cm2,该颗 粒的有效直径大于0.3微米。
[0031] 应理解，前面的一般性描述和W下的详细描述都只是本发明的示例，用来提供理 解要求保护的本发明的性质和特性的总体评述或框架。包括的附图提供了对本发明的进一 步理解，附图被结合在本说明书中并构成说明书的一部分。附图举例说明了本发明的各种 实施方式，并与描述一起用来解释本发明的原理和操作。
[0032] 附图简要说明
[0033] 图1示意性地显示根据本发明的一种实施方式的清洁玻璃基材产品的过程；
[0034] 图2是图1的过程的示意正视图；
[0035] 图3示意性地显示根据本发明的实施方式的移动液体排放装置来将液体施加到 玻璃基材的表面；
[0036] 图4是图表，显示在暴露于水性肥1溶液之后玻璃基材表面处的钢离子和钟离子 标准化强度随时间的变化；和
[0037] 图5是一部分传送装置的横截面视图，其用来传送玻璃基材通过图1和2所示的 过程。 阳0測详细描述
[0039] 下面详细参考本发明的示例实施方式，运些实施方式的例子在附图中示出。只要 可能，在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同或类似的部分。
[0040] 一种制造玻璃基材特别是制造适用于制造液晶或其它类型显示器的薄玻璃基材 的示例过程可设及下述步骤：（i)形成薄玻璃带（ribbon), (ii)将薄玻璃带切割成单独的 玻璃基材，（iii)除去非均匀的厚度的区域，例如"珠化eads)"，其可在形成过程中沿着 薄玻璃带的边缘形成，（iv)将玻璃基材整形（sizing)到所需尺寸，（V)剥离可能已经连接 到玻璃基材的任何保护膜，例如为了便于加工的保护膜，（Vi)研磨和抛光玻璃基材的边缘 部分，例如除去非均匀的厚度区域剩余的边缘部分，（Vii)洗涂玻璃基材，（Viii)检查玻 璃基材，和（ix)封装。每一个步骤都对玻璃基材上可能发现的污染物的类型、尺寸和性质 有影响。虽然在整个制造过程中都采取措施来防止和控制污染，但正是预期清洁步骤除去 玻璃基材在制造时可能累积的全部污染物，并向玻璃基材提供满足或超过消费者预期的表 面质量。因此，本文描述一种清洁玻璃基材的方法，其可用于从玻璃基材除去有机和无机 污染物。此外，本文所述的清洁过程可有助于除去玻璃基材的表面层中的不想要的离子， 该离子可能干扰后续地沉积在玻璃基材上的电子组件的操作。运种离子可包含形成一部分 玻璃组合物的离子。 阳041] 可受益于本文所述的方法的玻璃基材的厚度可为约100微米-约3mm，例如约100 微米-约Irnm,或约100微米-约500微米。然而，在一些实施方式中，玻璃基材的厚度可 薄于约100微米，例如约50微米-约100微米。玻璃基材可为平坦的玻璃板，其具有基本 上平行的主表面。玻璃板的一个主表面的面积可为小于1平方米（m2)-约12平方米。然 而，本文所述的方法可特别适用于下述玻璃基材，其单一表面积（玻璃基材的长度乘W宽 度）等于或大于4平方米，例如是约4平方米-约12平方米。应理解，本文所述的方法不 受限于玻璃基材的尺寸。可通过任意合适的用于生产玻璃板的方法来形成玻璃基材，包括 但不限于浮法、上拉法和下拉法和狭缝拉制法，运些方法是本技术领域所公知的且在运里 不再进一步描述。
[0042] 由本文所述的方法得到的玻璃基材可用于任何种类的下游工艺，但尤其良好地适 用于制造电子装置。例如，由本文所述的方法得到的玻璃基材可用于制造视觉显示面板， 其可用于液晶显示器化CD)或发光二极管（例如有机发光二极管，OLED)显示器。运样的 视觉显示面板可用于各种电子设备，包括但不限于移动通信设备（如手机），便携式计算 机（如平板电脑、笔记本电脑和手提电脑），台式电脑，电视机，甚至可W覆盖墙的全部或 一部分的大尺寸显示器。
[0043] 下面的步骤（如图1和2所述）描述根据本发明的清洁玻璃基材的示例过程90。 在第一步骤100中，使用利用移动液体排放装置200的清洁液体，可除去大颗粒（尺寸大 于约1微米）和有机污染物。移动液体排放装置200的主要作用是使用通过清洁液体204 贴着玻璃基材表面撞击形成的力，从玻璃基材202的表面除去大玻璃颗粒。图2描述在过 程90中沿着传送方向206传送多个玻璃基材202。通常，运种大玻璃颗粒是之前的切割过 程的结果，其中将大玻璃基材切割成更小的玻璃基材。参考图3,可通过喷嘴207将力赋予 清洁液体喷涂来增加水的流速，也可将机械摆动作用赋予包含喷嘴的喷嘴杆208。例如，可 通过电机和杠杆、齿轮、传动链等（未显示）将机械摆动作用赋予喷嘴杆，其向喷嘴杆提供 往复式角运动，从而喷嘴杆绕着轴线210旋转。例如，喷嘴杆208可通过相对于玻璃基材 的平面垂直的方向W约±5度-约±90度，约±10度-约±80度，或约±15度-约 ±60度的弧度摆动。在一些实施方式中，清洁液体204可为水，例如去离子水。移动液体 排放装置200还可将臭氧化的去离子水用作清洁液体204,运有助于除去有机污染物。臭 氧化的去离子水值I化）的氧化电势较高，因此将设置在玻璃基材表面上的有机材料转化成 c〇2，H2〇等。如本文所使用，di〇3表示包含臭氧的去离子值I)水（即臭氧化的水），例如其 中在使用之前通过DI水鼓入臭氧。在一些实施方式中，可将洗涂剂与水（例如DI水或 di〇3)组合使用，且可在水之前和之后或与水同时使用。在其它实施方式中，可使用洗涂剂 替代水。
[0044] 再次参考图1和2,虽然移动液体排放装置200表示通过强力除去大颗粒的机 械装置，但在图1和2中概括称作步骤110的第二步骤中，于子步骤IlOa中可使用化学 溶液来从玻璃基材表面举起颗粒。根据一些实施方式，可将玻璃基材暴露于第一碱溶液 212,例如SCl溶液。SCl是高抑(〉10)NH40H和&〇2(氨氧化锭和过氧化氨）在水中的溶液 ((NH40H:H202:H20)。可与第一碱溶液一起使用超声揽拌，来辅助从玻璃基材表面举起颗粒。 例如，可将超声传感器固定到设置在玻璃基材上方或下方的喷嘴214,其中超声传感器用 来在第一碱溶液排出喷嘴时向第一碱溶液引入超声能量（即，振荡）。用于超声能量的合适 的频率可为约20曲Z-约200曲Z。可使用多于一个喷嘴214来排放第一碱溶液212。
[0045] 通过实施根切（undercutting)作用增强颗粒除去特别是除去粘附的玻璃微粒， 其中施加的化学溶液稍稍蚀刻玻璃表面和颗粒之间的边界。根切作用有助于破坏玻璃基材 表面和微粒之间的范德华力，并将颗粒从玻璃表面举起，然后需要移动颗粒远离玻璃基材 来避免再次沉积（再次污染）。如果第一碱溶液包含SC1，SCl溶液的混合物比例W体积计可 为约1:1:5-约1:2:80 (例如，W体积计1份畑40H比1份&〇2比5份H2〇)。例如，上述范围 之内的合适的混合物比例范围包括但不限于1:1:5, 1:2:20, 1:2:40,和1:2:80, 1:2:200或 它们之间的任意范围。因此，合适的范围可包含约1:1:5-约1:2:40,约1:1:5-约1:2:40， 和约1:2:20-约1:2:80的范围。例如，已显示约1:2:40的混合物比例对于颗粒除去是特 别有效的。第一碱溶液在玻璃基材表面上的暴露时间可根据粘附的玻璃颗粒的尺寸和数目 而变化。典型的暴露时间可为约1分钟-约30分钟。存在过氧化氨还可提供氧化电势，其 可有助于除去有机污染物（通常有效地用于除去轻度污染的有机材料）。第一碱溶液212 的溫度可为约25°C-约80°C，例如，约40°C-约75°C。可将例如刷子（未显示）的机械 辅助与第一碱溶液组合使用来洗擦玻璃基材表面。
[0046] 在步骤110的第二子步骤11化中，可使用作为液体排放物从喷嘴218施加到玻 璃基材的合适的淋洗液体216来淋洗玻璃基材，W确保子步骤IlOa中从玻璃基材表面举起 的颗粒被除去远离玻璃基材表面，从而防止颗粒再次沉积到玻璃基材表面上。淋洗液体216 可为去离子水。
[0047] 还参考图1和2,在概括称作步骤120的第S步骤中，除去尺寸小于约1微米的 亚微米尺寸的颗粒。为了有效地除去亚微米尺寸的颗粒，必须减少亚微米尺寸的颗粒和玻 璃基材之间的边界层。运通过将玻璃基材表面暴露于来自喷嘴222的第二碱溶液220的液 体排放来实现，如由第一子步骤120a所示。液体排放可任选地与第二碱溶液的兆声波揽 拌结合。例如，合适的第二碱溶液可包含SCI