中介板及其制法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种中介板，尤指一种用于半导体封装件的中介板及其制法。
【背景技术】
[0002]随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前应用于晶片封装领域的技术，例如晶片尺寸构装(Chip Scale Package, CSP)、晶片直接贴附封装(Direct Chip Attached, DCA)或多晶片模组封装(Multi — Chip Module, MCM)等覆晶型态的封装模组、或将晶片立体堆迭化整合为三维积体电路(3D 1C)晶片堆迭技术等。
[0003]图1为现有3D晶片堆迭的半导体封装件的制法的剖面示意图。如图1所示，提供一石圭中介板(Through Silicon interposer, TSI) 1,该娃中介板1具有具有相对的置晶侧10b与转接侧10a、及连通该置晶侧10b与转接侧10a的多个导电娃穿孔(Through-siliconvia, TSV) 100，且该置晶侧10b上具有一线路重布结构(Redistribut1n layer, RDL) 11。将间距较小的半导体晶片6的电极垫60藉由多个焊锡凸块61电性结合至该线路重布结构11上，再以底胶62包覆该些焊锡凸块61，且于该导电硅穿孔100上藉由多个如凸块的导电元件18电性结合间距较大的封装基板7的焊垫70，之后形成封装胶体8于该封装基板7上，以包覆该半导体晶片6。
[0004]图1A至图1G为现有硅中介板1的转接侧10a的制法的剖面示意图。
[0005]如图1A所示，提供一具有相对的转接侧10a与置晶侧10b的硅板体10，且该硅板体10具有连通该转接侧10a与置晶侧10b的多个导电硅穿孔100，又该硅板体10的置晶侧10b上具有一电性连接该导电硅穿孔100的线路重布结构11，该转接侧10a具有一钝化层12。
[0006]如图1B所不，形成一导电层14(俗称晶种层)于该钝化层12与各该导电娃穿孔100 上。
[0007]如图1C所示，利用阻层(图略)图案化电镀形成电性接触垫16上于各该导电硅穿孔100上，之后移除该阻层。目前一般硅中介板1的线宽/线高可为3 μ m以下(如图1C’所示的电性接触垫16的厚度d)，而晶种层的厚度一般约在1 μ m以下(如图1C’所示的导电层14的厚度t)。
[0008]如图1D所示，湿蚀刻移除该阻层下的导电层14，且该电性接触垫16电性连接该导电硅穿孔100。
[0009]如图1E所示，形成一绝缘保护层13于该钝化层12与各该电性接触垫16上，且该绝缘保护层13具有多个开孔130，以令各该电性接触垫16对应外露于各该开孔130。
[0010]如图1F所示，形成另一导电层14’于该绝缘保护层13与该电性接触垫16上，再利用另一阻层17图案化电镀形成如焊锡材料的导电元件18于各该电性接触垫16上。
[0011]如图1G所示，移除该阻层17及其下的导电层14’。
[0012]惟，前述现有硅中介板1的制法中，于图1C的制程的阻层下的导电层14尚未去除，所以当移除该阻层下的导电层14时，湿蚀刻会等向性蚀刻，即使蚀刻湿蚀刻所使用的药液会有选择性蚀刻，但该电性接触垫16下的导电层14亦会受蚀，而产生底切现象(如图1C’所示的导电层14的底切宽度r)，造成该电性接触垫16的底部过细而无法立设于该导电硅穿孔100上。
[0013]此外，于进行湿蚀刻制程时，该电性接触垫16也会部分受蚀，致使该电性接触垫16无法达到原先的预设宽度L(如图1C’所示)，因而会产生电性问题。
[0014]因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
【发明内容】
[0015]鉴于上述现有技术的种种缺失，本发明提供一种中介板及其制法，无需进行湿蚀刻制程，使该电性接触垫不会有底切现象。
[0016]本发明的中介板，包括:板体，其具有相对的第一侧与第二侧、及连通该第一侧与第二侧的多个导电穿孔；绝缘保护层，其形成于该板体的第一侧上，且该绝缘保护层具有多个开孔，以令各该导电穿孔对应外露于各该开孔；多个电性接触垫，各设于各该开孔中，且电性连接该导电穿孔；以及导电层，其设于该开孔与该电性接触垫之间。
[0017]本发明还提供一种中介板的制法，其包括:提供一具有相对的第一侧与第二侧的板体，且该板体具有连通该第一侧与第二侧的多个导电穿孔；形成绝缘保护层于该板体的第一侧上，且该绝缘保护层具有多个开孔，以令各该导电穿孔对应外露于各该开孔；以及形成电性接触垫于各该开孔中，且该电性接触垫电性连接该导电穿孔。
[0018]前述的制法中，该电性接触垫为以电镀方式形成者。
[0019]前述的中介板及其制法中，该板体为半导体板体。
[0020]前述的中介板及其制法中，该板体的第一侧具有钝化层。
[0021]前述的中介板及其制法中，该板体的第二侧上具有线路结构，且该导电穿孔电性连接该线路结构。
[0022]前述的中介板及其制法中，该电性接触垫的表面齐平该绝缘保护层的表面。
[0023]前述的中介板及其制法中，该电性接触垫的制程包括:形成导电层于该绝缘保护层上与各该开孔中；形成导电材于该绝缘保护层上的导电层上与各该开孔中；移除该绝缘保护层上的导电层及其上的导电材，且保留各该开孔中的导电材以作为该电性接触垫。因此，该导电层设于该导电穿孔与该电性接触垫之间、及该开孔与该电性接触垫之间。
[0024]前述的中介板及其制法中，还包括形成导电元件于各该电性接触垫上。
[0025]由上可知，本发明的中介板及其制法，藉由先形成该绝缘保护层于该板体的第一侧上，以形成电性接触垫于各该开孔中，所以相较于现有技术，本发明于制作该电性接触垫时，无需移除图案化用的阻层及无需进行湿蚀刻制程，因而可减少材料等使用成本，并能简化制程，以提高产量。
[0026]此外，因无需进行湿蚀刻制程，所以该电性接触垫与该导电层不会产生底切现象，因而可避免现有技术所产生的问题。
【附图说明】
[0027]图1为现有硅中介板的剖面示意图；
[0028]图1A至图1G为现有硅中介板的制法的剖面示意图；其中，图1C’为图1C的局部放大图；以及
[0029]图2A至图2G为本发明的中介板的制法的剖面示意图。
[0030]符号说明
[0031]1硅中介板
[0032]10, 20板体
[0033]10a转接侧
[0034]10b置晶侧
[0035]100导电硅穿孔
[0036]11线路重布结构
[0037]12，22钝化层
[0038]13，23绝缘保护层
[0039]130, 230开孔
[0040]14，14’，24，24’ 导电层
[0041]16，26电性接触垫
[0042]17，27阻层
[0043]18,28导电元件
[0044]2中介板
[0045]20a第一侧
[0046]20b第二侧
[0047]200导电穿孔
[0048]21线路结构
[0049]210介电层
[0050]211线路层
[0051]23a, 23b表面
[0052]25导电材
[0053]6半导体晶片
[0054]60电极垫
[0055]61焊锡凸块
[0056]62底胶
[0057]7封装基板
[0058]70焊垫
[0059]8封装胶体
[0060]d, t厚度
[0061]L预设宽度
[0062]r底切宽度。
【具体实施方式】
[0063]以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
[0064]须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用于配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用于限定本发明可实施的限定条件，所以不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不