金属化晶圆级封装方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体技术领域，尤其涉及一种金属化晶圆级封装方法。
【背景技术】
[0002]随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化以及高可靠性方向发展，而集成电路封装直接影响着集成电路、电子模块乃至整机性能，在集成电路晶片尺寸逐步缩小、集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装结束提出了越来越高的要求。
[0003]随着集成度以及封装密度的不断提高，芯片之间的距离逐步缩小，一些芯片可能因为周边电磁干扰工作异常。常规的抗电磁干扰方式是做一个金属的盖子，扣在需要保护的芯片上，形成一个五面的防护。但是这样的金属盖，无形中增加了封装的高度和面积，对于高集成度、高密度的封装形式产生限制。
【发明内容】
[0004]鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，本发明提供一种金属化晶圆级封装方法。
[0005]本发明提供了一种金属化晶圆级封装方法，包括:
[0006]在包括多个芯片的晶圆的上表面形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层上具有露出所述晶圆上的芯片的功能面的开口部；
[0007]在所述开口部内形成金属层，去除所述第一光刻胶层；
[0008]在所述晶圆上表面形成切割道，且在所述晶圆上表面形成塑封层，所述塑封层的顶面高于所述金属层的顶面；
[0009]对所述塑封层的上表面进行打磨，露出所述金属层；
[0010]对所述晶圆的下表面进行打磨，露出所述切割道；
[0011]在所述金属层上植焊球，沿所述切割道切割，形成多个封装体；
[0012]对所述多个封装体的下表面和侧面进行金属镀，形成具有金属镀层的封装体。
[0013]与现有技术相比，本发明提供的封装方法，将晶圆级封装芯片的五面都用金属包覆，这样芯片本身的面积和体积不会有大的变化，解决设置金属盖进行抗磁干扰时导致的封装高度和体积增大的问题，并且进一步提高散热性能，适用于多个不同的芯片进行封装，具有较高的集成度和整合度。
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为本发明提供的金属化晶圆级封装方法的流程图；
[0016]图2-图14为本发明提供的金属化晶圆级封装结构的工艺示意图。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
[0018]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0019]参照图1，本发明公开了一种金属化晶圆级封装方法，包括:
[0020]S10:在包括多个芯片的晶圆的上表面形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层上具有露出所述晶圆上的芯片的功能面的开口部；
[0021]S20:在所述开口部内形成金属层，去除所述第一光刻胶层；
[0022]S30:在所述晶圆上表面形成切割道，且在所述晶圆上表面形成塑封层，所述塑封层的顶面高于所述金属层的顶面；
[0023]S40:对所述塑封层的上表面进行打磨，露出所述金属层；
[0024]S50:对所述晶圆的下表面进行打磨，露出所述切割道；
[0025]S60:在所述金属层上植焊球，沿所述切割道切割，形成多个封装体；
[0026]S70:对所述多个封装体的下表面和侧面进行金属镀，形成具有金属镀层的封装体。
[0027]首先执行步骤S10，参照图2和图3，在包括多个芯片的晶圆101的上表面形成第一光刻胶层102，所述第一光刻胶层102上具有露出所述晶圆上的芯片的功能面的开口部103。
[0028]然后执行步骤S20，参照图4，在所述开口部103内形成金属层104，去除第一光刻胶层，如图5所示。
[0029]在一种可选的实施方式中，在所述晶圆101上表面形成第一光刻胶层102之前，先在所述晶圆上表面形成保护层(图中未示出)，之后在保护层的上表面形成所述第一光刻胶层102 ;所述开口部103露出所述功能面上的保护层；所述金属层104形成于从所述开口部103露出的保护层的表面；去除所述第一光刻胶层之后，再去除所述保护层中其上未形成所述金属层的部分。
[0030]在一种可选的实施方式，上述晶圆的上表面的保护层可经物理气相沉积(PVD，Physical Vapor Deposit1n)的方式形成。在晶圆上表面形成第一光刻胶之前可以不形成保护层，当然在去除第一光刻胶之后就不需要进行去除保护层的操作。
[0031]作为一种可选的实施方式，第一光刻胶102经曝光显影形成开口部103。
[0032]执行步骤S30，如图6所示，在所述晶圆上表面形成切割道105 ;参照图7，在所述晶圆上表面形成塑封层106，所述塑封层106的顶面高于所述金属层104的顶面。
[0033]具体的，如图6所示，在晶圆的上表面进行半厚度切割形成切割道105，切割道位于所述多个芯片之间；如图7所示，在所述晶圆上表面形成塑封层106，所述塑封层106填充所述切割道105、所述金属层104中的空隙并且包覆所述金属层104。
[0034]可选的，所述塑封层106的材料为环氧树脂，这种材料的密封性能较好、塑封容易，是形成塑封层106的较佳材料。
[0035]接着执行步骤S40，对所述塑封层106的上表面进行打磨，露出所述金属层。进一步地，对塑封层的上表面打磨露出金属层之后，继续打磨减薄金属层，露出打磨后