薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及平面显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]有机发光显示器(Organic Light-Emitting D1de，0LED)相比现在的主流显示技术薄膜晶体管液晶显不器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT_LCD)，具有广视角、高亮度、高对比度、低能耗、体积更轻薄等优点，是目前平板显示技术关注的焦点。
[0003]有机发光显示器的驱动方法分为被动矩阵式(PM，Passive Matrix)和主动矩阵式(AM,Active Matrix)两种。而相比被动矩阵式驱动，主动矩阵式驱动具有显示信息量大、功耗低、器件寿命长、画面对比度高等优点。
[0004]目前，主动矩阵式有机发光显示器(AMOLED)主要使用低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动OLED发光。如图1所示，一般而言主动矩阵式有机发光显示器包括:开关薄膜晶体管2、驱动薄膜晶体管I和有机发光器件(0LED)3。开关薄膜晶体管2的栅极连接扫描线4，其漏极(或源极)连接数据线5，其源极(或漏极)连接驱动薄膜晶体管I的栅极。驱动薄膜晶体管I的源极(或漏极)连接电源线6，其漏极(或源极)连接OLED的阳极，OLED的阴极接地。在驱动薄膜晶体管I的源极(或漏极)与栅极之间连接有存储电容7。
[0005]通常要求开关薄膜晶体管2具有低的亚阈值摆幅(sub-threshold swing，S.S)，使得电流随电压变化更大，而要求驱动薄膜晶体管I具有较高的亚阈值摆幅，使得电流随电压变化更小，这样可以保证开关薄膜晶体管2的开关性能更好，有利于灰阶的控制。而薄膜晶体管的亚阈值摆幅取决于栅极电容大小，栅极电容大小取决于栅极绝缘层的厚度，因此驱动薄膜晶体管2的栅极绝缘层厚度应大于开关薄膜晶体管I的栅极绝缘层的厚度。
[0006]但是，在现有工艺中，开关薄膜晶体管2和驱动薄膜晶体管I的制程相同，其栅极绝缘层的厚度也相同，导致两种薄膜晶体管的亚阈值摆幅的大小相等，因此不利于有效的开启和闭合开关薄膜晶体管及灰阶的控制。
【发明内容】
[0007]本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，在保持开关薄膜晶体管亚阈值摆幅较小的前提下有效提高驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，进而保证开关薄膜晶体管的开关能力，可以更好的控制灰阶的显示，提升显示器件的品质。
[0008]为实现上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括:
[0009]在基板上同时形成开关薄膜晶体管的有源区和驱动薄膜晶体管的有源区；
[0010]在所述基板上同时形成开关薄膜晶体管的栅极绝缘层和驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层；
[0011]在所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层上形成开关薄膜晶体管的栅极；
[0012]在所述驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；
[0013]在所述第二栅极绝缘层上形成驱动薄膜晶体管的栅极。
[0014]可选的，所述栅极绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合。
[0015]可选的，在所述第二栅极绝缘层上形成驱动薄膜晶体管的栅极之后，还包括:依次形成保护层、开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管的源极/漏极、有机平坦层、有机电致发光电极和像素定义层。
[0016]本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括:
[0017]在基板上同时形成开关薄膜晶体管的栅极和驱动薄膜晶体管的栅极；
[0018]在所述基板上同时形成开关薄膜晶体管的栅极绝缘层和驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层；
[0019]在所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层上形成开关薄膜晶体管的有源区；
[0020]在所述驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；
[0021 ]在所述第二栅极绝缘层上形成驱动薄膜晶体管的有源区。
[0022]可选的，所述栅极绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合。
[0023]可选的，在所述第二栅极绝缘层上形成驱动薄膜晶体管的有源区之后，还包括:依次形成保护层、开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管的源极/漏极、有机平坦层、有机电致发光电极和像素定义层。
[0024]相应的，本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板，采用上述薄膜晶体管阵列基板的制备方法制备。
[0025]优选的，所述开关薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管;所述驱动薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。
[0026]相应的，本发明还提供一种显示面板，包括上述的薄膜晶体管阵列基板。
[0027]相应的，本发明还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
[0028]与现有技术相比，本发明提供的薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，通过在形成开关薄膜晶体管的栅极图形之后，在驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层，使得驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度大于开关薄膜晶体管栅极绝缘层的厚度，进而使得驱动薄膜晶体管的栅极电容值小于开关薄膜晶体管的栅极电容值，进而使得驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅大于开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅，由于驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅较大，可以更好的控制灰阶的显示，同时由于开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅较小，保证开关薄膜晶体管的开关性能，最终提升显示器件的品质。
【附图说明】
[0029]图1为现有的主动矩阵式有机发光显示器(AMOLED)的基本原理图；
[0030]图2为本发明实施例一所提供的薄膜晶体管阵列基板的制备方法的流程图；
[0031]图3?7为本发明实施例一所提供的薄膜晶体管阵列基板的制备方法各步骤的结构示意图。
【具体实施方式】
[0032]为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容做进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
[0033]其次，本发明利用示意图进行了详细的表述，在详述本发明实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应对此作为本发明的限定。
[0034]本发明的核心思想在于，通过在形成开关薄膜晶体管的栅极图形之后，在驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层，使得驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度大于开关薄膜晶体管栅极绝缘层的厚度，进而使得驱动薄膜晶体管的栅极电容值小于开关薄膜晶体管的栅极电容值，进而使得驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅大于开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅，由于驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅较大，可以更好的控制灰阶的显示，同时由于开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅较小，保证开关薄膜晶体管的开关性能，最终提升显示器件的品质。
[0035]【实施例一】
[0036]图2为本发明实施例一所提供的薄膜晶体管阵列基板的制备方法的流程图，如图2所示，本发明提出一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括以下步骤:
[0037]步骤SO1:在基板上同时形成开关薄膜晶体管的有源区和驱动薄膜晶体管的有源区；
[0038]步骤S02:在所述基板上同时形成开关薄膜晶体管的栅极绝缘层和驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层；
[0039]步骤S03:在所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层上形成开关薄膜晶体管的栅极；
[0040]步骤S04:在所述驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；
[0041]步骤S05:在所述第二栅极绝缘层上形成驱动薄膜晶体管的栅极。
[0042]图3?7为本发明实施例一所提供的薄膜晶体管阵列基板的制备方法各步骤形成的结构示意图。下面结合图2?图7详细说明本发明提出的薄膜晶体管阵列基板的制备方法。
[0043]在步骤SOl中，在基板10上同时形成开关薄膜晶体管的有源区11和驱动薄膜晶体管的有源区11，如图3所示。所述基板10为透明基板，优选的，所述基板20为玻璃基板。在所述基板10上通过溅射、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺形成薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的有源区11。其中，所述有源区11的材料为多晶硅，或者本领域技术人员已知的其他材料。
[0044]在步骤S02中，在完成上述步骤的基板上，同时形成开关薄膜晶体管的栅极绝缘层12和驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层12，如图4所示。本实施例中，采用化学气相沉积法、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺在所述基板10上形成一层栅极绝缘层12，形成于所述开关晶体管的有源区11上的为开关薄膜晶体管的栅极绝缘层，形成于所述驱动薄膜晶体管的有源区11上的为驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层，。优选的，采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n)形成棚.极绝缘层 12，可以理解的是，亦可采用其他方法形成栅极绝缘层12。其中，栅极绝缘层12为单层或多层结构，其包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合。
[0045]在步骤S03中，在所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层12上形成开关薄膜晶体管的栅极13，如图5所示。具体而言，在完成上述步骤的基板10上，通过溅射、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺形成开关薄膜晶体管的栅极13。其中，所述栅极13的材料可以为钼(Mo)、钼铌合金(MoNb)、铝(Al)、铝钕合金(AlNd)、钨(W)、钛(Ti)和铜(Cu)中的一种或它们中多种材料形成的单层或多层复合叠层。
[0046]在步骤S04中，在所述驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层12上形成第二栅极绝缘层14，如图6所示。本实施例中，采用化学气相沉积法、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺形成第二栅极绝缘层14，优选的，采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD,P