jetPrinting)中的任意一种方式在所述绝缘层901、所述扫描线1401、所述栅极1001上形成的。
[0047]所述第一金属层102与所述像素电极对应的部分是通过对所述保护层1101和/或所述绝缘层901实施第四光罩制程，并去除所述保护层1101和/或所述绝缘层901与所述薄膜晶体管阵列面板的像素电极对应的部分，以使所述第一金属层102与所述像素电极对应的部分裸露来形成的。所述第一金属层102与所述像素电极对应的部分用于承载有机发光材料层1201和第四金属层(阳极层)1301。
[0048]本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法包括以下步骤:
[0049]A、在所述基板101上设置所述第一金属层102和所述第二金属层103。具体地，在所述基板101上连续沉积两层金属(分别为所述第一金属层102和所述第二金属层103)。其中，所述第一金属层102所对应的第一金属可例如为铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)等金属。所述第二金属层103所对应的第二金属可例如为氧化铟锡(IT0，Indium Tin Oxide)。
[0050]B、在所述第一金属层102中形成所述数据线701、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层704，以及在所述第二金属层103中形成所述源极的所述第二区块702和所述漏极的所述第四区块703，其中，所述第二区块702与所述第一区块叠加组合为一体，所述第四区块703与所述第三区块叠加组合为一体，所述源极与所述数据线701连接，所述漏极与所述电极层704连接。
[0051]C、在所述源极上和所述漏极上以及所述源极和所述漏极之间的间隙处设置所述半导体层801。所述半导体层801可例如为有机半导体层。
[0052]D、在所述数据线701、所述半导体层801上设置所述绝缘层901。所述绝缘层901可例如为有机绝缘层。
[0053]E、在所述绝缘层901上设置所述栅极1001、所述扫描线1401以及所述保护层1101，其中，所述扫描线1401与所述栅极1001连接。
[0054]在本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，在所述步骤A之后，以及在所述步骤B之前，所述方法还包括
[0055]F、在所述第一金属层102上覆盖光阻材料，以形成光阻层201。
[0056]在本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述步骤B包括:
[0057]bl、对所述第一金属层102和所述第二金属层103实施第一光罩制程和第一蚀刻制程，以使所述第一金属层102形成所述数据线701、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层704。
[0058]b2、对经过所述第一光罩制程和所述第一蚀刻制程处理的所述第二金属层103实施第二蚀刻制程，以使所述第二金属层103形成所述源极的所述第二区块702和所述漏极的所述第四区块703。
[0059]在本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，在所述步骤bl前，所述步骤B还包括:
[0060]b3、对覆盖于所述第二金属层103上的光阻层201实施所述第一光罩制程，以使所述光阻层201图形化。具体地，使用半色调掩模对设置于所述第二金属层103上的光阻层201进行图形化。
[0061 ] 所述步骤bl为:
[0062]分别利用第二金属蚀刻液和第一金属蚀刻液对所述第二金属层103和所述第一金属层102进行蚀刻，以使所述第一金属层102形成所述数据线701、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层704。
[0063]在所述步骤bl之后，以及在所述步骤b2之前，所述步骤B还包括:
[0064]b4、对经过所述第一光罩制程的所述光阻层201进行灰化处理。
[0065]所述步骤b2为:
[0066]利用所述第二金属蚀刻液对所述第二金属层103进行蚀刻，以使所述第二金属层103形成所述源极的所述第二区块702和所述漏极的所述第四区块703。
[0067]在所述步骤b2之后，所述步骤B还包括:
[0068]b5、去除所述第二金属层103上的所述光阻层201。
[0069]在本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述步骤C包括:
[0070]Cl、在所述源极的至少一部分上、所述漏极的至少一部分上以及所述间隙处设置(涂布)半导体材料。具体地，利用旋涂(Spin-coating)、抹涂(Slot-die)、喷涂(Ink-jetPrinting)中的任意一种方式将所述半导体材料设置于所述源极的至少一部分上、所述漏极的至少一部分上以及所述间隙处。
[0071 ] c2、对所述半导体材料实施第二光罩制程，以形成所述半导体层801。
[0072]在本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述步骤E包括:
[0073]el、在所述绝缘层901上设置第三金属层。所述第三金属层所对应的第三金属可例如为铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)等金属。
[0074]e2、对所述第三金属层实施第三光罩制程，以形成所述栅极1001和所述扫描线1401。
[0075]e3、在所述绝缘层901、所述扫描线1401、所述栅极1001上设置所述保护层1101。具体地，利用旋涂(Spin-coating)、抹涂(Slot-die)、喷涂(Ink-jet Printing)中的任意一种方式在所述绝缘层901、所述扫描线1401、所述栅极1001上设置所述保护层1101。
[0076]在本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，在所述步骤E之后，所述方法还包括以下步骤:
[0077]对所述保护层1101和/或所述绝缘层901实施第四光罩制程，并去除所述保护层1101和/或所述绝缘层901与所述薄膜晶体管阵列面板的像素电极对应的部分，以使所述第一金属层102与所述像素电极对应的部分裸露。
[0078]在所述第一金属层102与所述像素电极对应的部分蒸镀有机发光材料层1201，并在所述有机发光材料层1201上形成第四金属层(阳极层)1301。
[0079]通过上述技术方案，由于所述源极和所述漏极采用双层金属的结构，因此有利于降低所述源极和所述漏极的阻值，即，解决仅使用ITO来作为所述源极和所述漏极的材料而导致所述源极和所述漏极的阻值过高的问题。
[0080]尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本发明，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本发明包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外，尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被