薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。【【背景技术】】
[0002]传统的有机薄膜晶体管(0TFT，0rganic Thin Film Transistor) —般采用有机物来作为半导体材料。此外，传统的有机薄膜晶体管的源漏极的电极材料一般选择功函数较高的金(Au)，或银(Ag)，或氧化铟锡(ΙΤ0，Indium Tin Oxide)，以匹配所述有机薄膜晶体管中的有机半导体材料的H0M0(Highest Occupied Molecular Orbital，最高被占用分子轨道)能级，减小空穴传输势皇，降低接触电阻。
[0003]在实践中，发明人发现现有技术至少存在以下问题:
[0004]金和银都是贵重金属，材料成本非常高，而且银在没有保护层覆盖的情况下容易被离子氧化而降低传导能力。
[0005]氧化铟锡的成本较低，功函数高，但其自身阻值过大，只能作为源漏极材料，不能作为导线传输。
[0006]综上，上述传统的有机薄膜晶体管的制作成本较高昂，因此使用上述传统的有机薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板的制作成本也较高昂。
[0007]故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【
【发明内容】
】
[0008]本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法，其能降低其中的有机薄膜晶体管的成本，同时能降低所述有机薄膜晶体管中的源极和漏极的阻值。
[0009]为解决上述问题，本发明的技术方案如下:
[0010]—种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括:基板;数据线，所述数据线是由第一金属层形成的，其中，所述第一金属层设置于所述基板上;薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括:源极，所述源极包括第一区块和第二区块，所述第一区块和所述第二区块叠加组合为一体，所述第一区块为所述第一金属层位于第一区域的部分，所述第二区块为第二金属层位于所述第一区域的部分，其中，所述第一区域为所述源极的位置所对应的区域，所述第二金属层设置于所述第一金属层上，所述源极与所述数据线连接;漏极，所述漏极包括第三区块和第四区块，所述第三区块和所述第四区块叠加组合为一体，所述第三区块为所述第一金属层位于第二区域的部分，所述第四区块为所述第二金属层位于所述第二区域的部分，其中，所述第二区域为所述漏极的位置所对应的区域;半导体层，所述半导体层覆盖于所述源极上、所述漏极上以及所述源极和所述漏极之间的间隙处;栅极;绝缘层，所述绝缘层覆盖所述数据线以及所述半导体层;扫描线，所述扫描线设置于所述绝缘层上，所述扫描线与所述栅极连接;保护层，所述保护层设置于所述扫描线以及所述绝缘层上；电极层，所述电极层是由所述第一金属层形成的，所述电极层与所述漏极连接;其中，所述栅极设置在所述绝缘层上。
[0011]在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层均是通过对所述第一金属层实施第一光罩制程和第一蚀刻制程来形成的;所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块均是通过对经过所述第一光罩制程和所述第一蚀刻制程处理的所述第二金属层实施第二蚀刻制程来形成的。
[0012]在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层均是通过对覆盖于所述第二金属层上的光阻层实施所述第一光罩制程，以使所述光阻层图形化，然后分别利用第二金属蚀刻液和第一金属蚀刻液对所述第二金属层和所述第一金属层进行蚀刻来形成的;所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块均是通过对经过所述第一光罩制程的所述光阻层进行灰化处理，然后利用所述第二金属蚀刻液对所述第二金属层进行蚀刻，并去除所述第二金属层上的所述光阻层来形成的。
[0013]在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述半导体层是通过在所述源极的至少一部分上、所述漏极的至少一部分上以及所述间隙处设置半导体材料，然后对所述半导体材料实施第二光罩制程来形成的。
[0014]在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述栅极和所述扫描线均是通过在所述绝缘层上设置第三金属层，然后对所述第三金属层实施第三光罩制程来形成的。
[0015]—种上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法，所述方法包括以下步骤:A、在所述基板上设置所述第一金属层和所述第二金属层;B、在所述第一金属层中形成所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层，以及在所述第二金属层中形成所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块，其中，所述第二区块与所述第一区块叠加组合为一体，所述第四区块与所述第三区块叠加组合为一体，所述源极与所述数据线连接，所述漏极与所述电极层连接;C、在所述源极上和所述漏极上以及所述源极和所述漏极之间的间隙处设置所述半导体层;D、在所述数据线、所述半导体层上设置所述绝缘层;E、在所述绝缘层上设置所述栅极、所述扫描线以及所述保护层，其中，所述扫描线与所述栅极连接。
[0016]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述步骤B包括:bl、对所述第一金属层和所述第二金属层实施第一光罩制程和第一蚀刻制程，以使所述第一金属层形成所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层;b2、对经过所述第一光罩制程和所述第一蚀刻制程处理的所述第二金属层实施第二蚀刻制程，以使所述第二金属层形成所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块。
[0017]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，在所述步骤bl前，所述步骤B还包括:b3、对覆盖于所述第二金属层上的光阻层实施所述第一光罩制程，以使所述光阻层图形化；所述步骤bl为:分别利用第二金属蚀刻液和第一金属蚀刻液对所述第二金属层和所述第一金属层进行蚀刻，以使所述第一金属层形成所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层;在所述步骤bl之后，以及在所述步骤b2之前，所述步骤B还包括:b4、对经过所述第一光罩制程的所述光阻层进行灰化处理;所述步骤b2为:利用所述第二金属蚀刻液对所述第二金属层进行蚀刻，以使所述第二金属层形成所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块;在所述步骤b2之后，所述步骤B还包括:b5、去除所述第二金属层上的所述光阻层。
[0018]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述步骤C包括:Cl、在所述源极的至少一部分上、所述漏极的至少一部分上以及所述间隙处设置半导体材料;c2、对所述半导体材料实施第二光罩制程，以形成所述半导体层。
[0019]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述步骤E包括:el、在所述绝缘层上设置第三金属层；e2、对所述第三金属层实施第三光罩制程，以形成所述栅极和所述扫描线;e3、在所述绝缘层、所述扫描线、所述栅极上设置所述保护层。
[0020]相对现有技术，本发明能降低其中的有机薄膜晶体管的成本，同时能