一种有机发光显示装置及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及平板显示技术领域，具体设及一种有机发光显示装置及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有源矩阵有机发光显示装置（英文全称Active Matrix organic lighting emitting display,简称AMOLED)，是主动发光器件，具有高对比度、广视角、低功耗、体积更 薄等优点，有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技 术之一。
[000引如图1所示，AMOLED利用薄膜晶体管I(TFT),搭配电容存储信号，来控制有机发光 二极管2(化抓)的亮度和灰阶表现。每个单独的有机发光二极管2具有完整的阴极、有机功 能层和阳极，阳极覆盖一个薄膜晶体管1阵列，形成一个矩阵。AMOL邸具有可大尺寸化，较省 电，高解析度，面板寿命较长等特点，因此在显示技术领域得到了高度重视。
[0004] 随着显示面板的大尺寸化W及产品的分辨率要求越来越高，面板中各层图形越来 越密集，即各种线宽、线距均变小。因此，由于短路、断线造成的不良产品比例也会增加，大 大降低了产品的良率。如图1所示，W低溫多晶娃基板为例，薄膜晶体管1包括层叠设置在基 板10上的有源层3、第一绝缘层4、栅极5、第二绝缘层6、源极71、漏极72,源极71和漏极72通 过设置在第一绝缘层4和第二绝缘层6之间孔道与半导体层3接触连接。在制备工艺中，第= 金属层(metal3)图案化后一般用于制备薄膜晶体管2的源极71、漏极72W及其他导电结构 8。由于在前工艺产生大量的倾斜角和台阶结构，第=金属层在图案化过程中极易出现短路 问题，如源极71与其他导电组件8的短接，进而影响产品良率。
【发明内容】
[0005] 为此，本发明所要解决的是现有有机发光显示装置良率低的问题，提供一种高良 率的有机发光显示装置及其制备方法。
[0006] 为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
[0007] 本发明所述的一种有机发光显示装置，包括：
[000引基板；
[0009] 设置在所述基板上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管进一步包括有源层、栅极层、 源/漏电极层，W及使所述有源层、所述栅极、所述源/漏电极层极彼此分开的一层或多层绝 缘层，所述源极/漏极与所述有源层接触连接；
[0010] 设置在所述基板上方的有机发光二极管；
[0011] 所述源/漏电极层与其同层制备的导电组件之间由绝缘阻隔壁隔开。
[001^ 优选地，所述阻隔壁的高度为500A~2蜘0 A。
[0013] 优选地，所述薄膜晶体管为底栅结构或顶栅结构。
[0014] 本发明所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：
[0015] S1、在基板上方制备薄膜晶体管中的有源层、绝缘层、栅极；
[0016] S2、通过光刻与刻蚀工艺，根据导电层图案，对所述绝缘层进行刻蚀，形成能填充 所述导电层图案的沟槽；
[0017] S3、在所述绝缘层上直接形成所述导电层并图案化，形成所述源/漏电极层与其他 导电组件。
[001引优选地，所述沟槽的深度为500A~2000 A。
[0019] 优选地，所述沟槽的宽度比填充在其内的所述导电层图案的宽度大化m~2皿。
[0020] 优选地，所述步骤Sl与所述步骤S2之间还包括:通过光刻与刻蚀工艺，对所述绝缘 层进行刻蚀，形成暴露所述有源层两端的电极孔的步骤。
[0021] 优选地，所述导电层的厚度为3000 A~6000 A。
[0022] 优选地，所述步骤S3之后还包括制备有机发光二极管的步骤，所述有机发光二极 管由下至上包括层叠设置的第一电极、有机功能层和第二电极，所述第一电极板与所述所 述源/漏电极层电连接。
[0023] 优选地，步骤Sl中还包括在所述基板上直接形成缓冲层的步骤。
[0024] 本发明的上述技术方案相比现有技术具有W下优点：
[0025] 1、本发明实施例所述的有机发光显示装置，包括基板、设置在所述基板上方的薄 膜晶体管，所述薄膜晶体管进一步包括有源层、栅极层、源/漏电极层，W及使所述有源层、 所述栅极、源/漏电极层极彼此分开的一层或多层绝缘层，所述源极/漏极与所述有源层接 触连接;设置在基板上方的有机发光二极管;所述源/漏电极层与其同层制备的导电组件之 间由绝缘阻隔壁隔开。所述的有机发光显示装置，采用绝缘的阻隔壁将所述源/漏电极层与 其同层制备的导电组件隔开，有效避免了导电层在图案化过程中极易出现的短路问题，从 而有效提局了广品的良率。
[0026] 2、本发明实施例所述的种有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤:S1、在基 板上方制备薄膜晶体管中的有源层、绝缘层、栅极;S2、通过光刻与刻蚀工艺，根据导电层图 案，对所述绝缘层进行刻蚀，形成能填充所述导电层图案的沟槽;S3、在所述绝缘层上直接 形成导电层并图案化，形成所述源/漏电极层与其他导电组件。通过在绝缘层中形成能够填 充所述导电层图案的沟槽，从而使得在所述源/漏电极层与其同层制备的导电组件之间设 置绝缘阻隔壁，有效避免了导电层在图案化过程中极易出现的短路问题，有效提高了产品 的良率;而且，工艺简单易实施。
【附图说明】
[0027] 为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合 附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0028] 图1是现有技术中有机发光显示装置的剖视图；
[0029] 图2a~图化是本发明实施例中所述有机发光显示装置在制备过程中的剖视图；
[0030] 图中附图标记表示为：1-薄膜晶体管、2-有机发光二极管、3-有源层、4-第一绝缘 层、5-栅极、6-第二绝缘层、71 -源极、72-漏极、8-其他导电组件、91 -源极孔、92-漏极孔、10-基板、11-沟槽、12-阻隔壁、13-导电层。
【具体实施方式】
[0031] 为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实 施方式作进一步地详细描述。
[0032] 本发明可W W许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。 相反，提供运些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给 本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区 域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作"形成在"或"设置 在"另一元件"上"或"上方"时，该元件可W直接设置在所述另一元件上，或者也可W存在中 间元件。相反，当元件被称作"直接形成在"或"直接设置在"另一元件上时，不存在中间元 件。
[00削实施例
[0034] 本实施例提供一种有机发光显示装置，如图2e所示包括基板10,设置在所述基板 10上方的薄膜晶体管1和有机发光二极管(为了清晰起见，图中未示出）。
[0035] 作为本发明的一个实施例，本实施例中，薄膜晶体管1为顶栅结构，所述薄膜晶体 管1进一步包括层叠设置在基板10上的有源层3、第一绝缘层4、栅极层5、第二绝缘层6、源/ 漏电极层，源极/漏极中源极71和漏极72与有源层3接触连接。所述源/漏电极层与其同层制 备的导电组件8之间由绝缘阻隔壁12隔开。采用绝缘的阻隔壁12将所述源/漏电极层与其同 层制备的导电组件8隔开，有效避免了导电层在图案化过程中极易出现的短路问题，从而有 效提高了产品的良率。
[0036] 作为本发明的一个实施例，本实施例中，阻隔壁12的高度为1000 A;作为本发明 的可变换实施例，阻隔壁12的高度为洗OA~2000 A，均可W实现本发明的目的，属于本发 明的保护范围。
[0037] 作为本发明的可变换实施例，所述薄膜晶体管1还可