薄膜晶体管阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及液晶显示器技术领域，尤其设及一种薄膜晶体管阵列基板。
【背景技术】
[0002] 液晶显示器化iquid Crystal Display，LCD)，为平面超薄的显示设备，它由一定 数量的彩色或黑白像素组成，放置于光源或者反射面前方。液晶显示器功耗很低，并且具有 高画质、体积小、重量轻的特点，因此倍受大家青睐，成为显示器的主流。目前液晶显示器是 W薄膜晶体管(Thin FiIm化ansiStor，TFT)液晶显示器为主，液晶面板是液晶显示器的主 要组件。
[0003] 液晶面板通常由薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板和液晶层组成。其中，薄膜晶 体管阵列基板上W阵列的形式排布有多个像素单元(Pixel),每一个像素单元至少包括一 个薄膜晶体管，W及与薄膜晶体管对应配置的像素电极(Pixel Electrode)。薄膜晶体管作 为启动像素单元工作的开关元件，与扫描线（Scan Line)和数据线(Data Line)连接，在扫 描信号的驱动下，将数据信号的电压加载在对应的像素电极上，从而实现图像信息的显示。 此外，薄膜晶体管阵列基板上还设置有公共电极，像素电极与公共电极之间形成存储电容 Cst,用于稳定加载在像素电极的数据信号的电压，从而保持画面显示品质。
[0004] 如图1为现有的一种薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。如图1所示，薄膜晶体管 阵列基板上包括多条扫描线S和多条数据线D，多条扫描线S和多条数据线D相互垂直交叉限 定出多个像素单元P(图1中示例性示出了 4个像素单元P)，每一像素单元P至少包括一薄膜 晶体管1和一像素电极2,该薄膜晶体管1的栅极电性连接到扫描线S，漏极电性连接到数据 线D，源极电性连接到像素电极2。薄膜晶体管阵列基板上还设置有公共电极3,公共电极3与 像素电极2为异层设置（图1中公共电极3采用透视视图，W显示出公共电极3下方的结构）， 之间设置绝缘层。通常地，公共电极3为一整面的ITO材料制备形成，即，一个公共电极3对应 于薄膜晶体管阵列基板上的所有像素单元P。施加在像素电极2和公共电极3之间的电压差， 驱动像素单元P中的液晶旋转。
[0005] 图2为如图1所示的一个像素单元P的等效电路图，其中，Cgs为薄膜晶体管1的栅极 与源极之间的寄生电容，Cst为像素单元P的储存电容，Clc为像素单元P的液晶电容，Vcom为 公共电压。在一个像素单元P中，薄膜晶体管1不断的重复开启和关闭后会产生一个馈通 (feed through)电压A V。具体到如上像素单元P来说，馈通电压
'，其中 V曲为薄膜晶体管1的开启电压，Vgl为薄膜晶体管1的关闭电压。
[0006] 图3为一个像素单元P接收到的电压信号的波形图，图中Vd表示数据信号驱动电压 的波形，Vg表示扫描信号驱动电压的波形，Vp表示像素电极P接收到的实际电压信号的波 形，Vcom为公共电压信号。为了使液晶面板显示的图像不发生闪烁或图像残留，需要设计数 据信号Vd的正半周期电压和负半周期电压与公共电压Vcom之间的差值相等。但是，如图3所 示的，由于馈通电压A V的存在，像素电极P充电完成后的实际电压化，其正半周期实际电压 和负半周期实际电压都比数据信号驱动电压减小了 A V，正半周期实际电压和负半周期实 际电压与公共电压Vcom之间的差值并不相等，因此，液晶面板显示的图像会发生闪烁或图 像残留。
[0007] 为了解决如上问题，现有的方法通常是根据公式
估算出馈通 电压A V，然后将外部输入的公共电压Vcom修正为Vcoml，如图3所示的，其中￥。〇1111=￥(3〇111-A Vcom, A Vcom= A V。由此，可W使得正半周期实际电压和负半周期实际电压与修正后的 公共电压Vcoml之间的差值相等，从而改善了前述提到的图像闪烁或图像残留的问题。但 是，通过外部修正公共电压Vcom的方式，由于公式
中，一些电容的数值 无法精确测量，导致公共电压Vcom无法准确修正;并且，随着液晶显示器的长时间使用，器 件的老化W及使用环境(例如溫度、湿度等）的变化也会使得馈通电压A V发生变化，此时若 不能及时再修正公共电压Vcom,则还是会存在图像闪烁或图像残留的问题，影响显示品质。
【发明内容】
[000引鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板，通过阵列基 板的结构本身自行修正公共电压，相比于通过外部修正的方式，公共电压的修正更加精确 和及时。
[0009] 为了实现上述目的，本发明采用了如下的技术方案：
[0010] -种薄膜晶体管阵列基板，包括由多条扫描线和多条数据线相互交叉限定出的M 行XN列像素单元，每一像素单元中设置有一第一薄膜晶体管和一像素电极，所述第一薄膜 晶体管的栅极连接到其中一条扫描线，漏极连接到其中一条数据线，源极连接到所述像素 电极;所述阵列基板还包括公共电极层，其中，所述公共电极层沿行方向或列方向被划分为 交替间隔的多个第一公共电极和多个第二公共电极，多个第一公共电极和多个第二公共电 极一一对应;每一第二公共电极与对应的第一公共电极之间连接有至少一个第二薄膜晶体 管，所述第二公共电极输入有公共电压，并通过所述第二薄膜晶体管将所述公共电压提供 给所述对应的第一公共电极;其中，所述数据线通过所述第一薄膜晶体管向所述像素电极 充电时产生一数据信号压降A V，所述第二公共电极通过所述第二薄膜晶体管向所述第一 公共电极充电时产生一公共电压压降A Vcom;所述第二薄膜晶体管的参数被配置为使得A Vcom与A V相等或近似于相等;其中，M、N为大于1的整数。
[0011] 在一个优选的实施例方案中，所述公共电极层沿行方向被划分为交替间隔的M个 第一公共电极和M个第二公共电极，第m个第一公共电极和第m个第二公共电极与第m行像素 单元相对设置，第m个第一公共电极和第m个第二公共电极之间连接有至少一个第二薄膜晶 体管，第二薄膜晶体管的栅极连接有与所述扫描线中相同的时序信号，漏极连接到所述第m 个第二公共电极，源极连接到所述第m个第一公共电极;所述第m个第二公共电极输入有公 共电压，并通过第二薄膜晶体管将所述公共电压提供给所述第m个第一公共电极;其中，第 二薄膜晶体管与第一薄膜晶体管具有相同的性能参数;其中，m= 1、2、…、M-I、M。
[0012] 优选地，第m个第一公共电极和第m个第二公共电极之间连接有两个第二薄膜晶体 管，所述两个第二薄膜晶体管分别设置于第m行第I列和第m行第N列的像素单元中；所述两 个第二薄膜晶体管的栅极分别连接到第m行像素单元对应的扫描线，漏极分别连接到所述 第m个第二公共电极，源极分别连接到所述第m个第一公共电极。
[0013] 优选地，第m个第一公共电极和第m个第二公共电极之间连接有两个第二薄膜晶体 管，所述两个第二薄膜晶体管设置于第m行像素单元之外，分别位于第m行第1列和每m行第N 列的像素单元的外侧;所述两个第二薄膜晶体管的栅极分别连接到第m行像素单元对应的 扫描线，漏极分别连接到所述第m个第二公共电极，源极分别连接到所述第m个第一公共电 极。
[0014] 优选地，第m个第一公共电极和第m个第二公共电极之间连接有N个第二薄膜晶体 管，所述N个第二薄膜晶体管分别设置于第m行第1列至第m行第N列的像素单元中；所述N个 第二薄膜晶体管的栅极分别连接到第m行像素单元对应的扫描线，漏极分别连接到所述第m 个第二公共电极，源极分别连接到所述第m个第一公共电极。
[0015] 在另外一种优选的方案中，所述公共电极层沿列方向被划分为交替间隔的N个第 一公共电极和N个第二公共电极，第n个第一公共电极和第n个第二公共电极与第N列像素单 元相对设置，第n个第一公共电极和第n个第二公共电极之间连接有至少一个第二薄膜晶体 管，所述第二薄膜晶体管的栅极连接有与所述扫描线中相同的时序信号，漏极连接到所述 第n个第二公共电极，源极连接到所述第n个第一公共电极;所述第n个第二公共电极输入有 公共电压，并通过所述第二薄膜晶体管将所述公共电压提供给所述第n个第一公共电极;其 中，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管具有相同的性能参数;其中，n=l、2、…、N-1、N。
[0016] 优选地，第n个第一公共电极和第n个第二公共电极之间连接有两个第二薄膜晶体 管，两个第二薄膜晶体管分别设置于第n列第1行和第n列第M行的像素单元中；两个第二薄 膜晶体管的漏极分别连接到所述第n个第二公共电极，源极分别连接到所述第n个第一公共 电极，位于第n列第1行像素单元中的第二薄膜晶体管的栅极连接到第1行像素单元对应的 扫描线，位于第n列第M行像素单