一种阵列基板及显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板及显示面板。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。
[0003]TFT-1XD显示器屏幕亮度受环境光照度影响。为保护眼睛，并合理利用背光需要频繁改变背光强度来获得最佳显示亮度。目前在移动产品中通常采取在屏幕以外区域加装光照度传感器芯片，用以自动控制屏幕在不同使用环境中的显示亮度。
[0004]由于只采用一颗传感器芯片，常发生屏幕亮度控制不准确等状况，如传感器被遮挡或处于阴影中；同时传感器的使用增加了制造成本且需要占用屏幕外围区域。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种阵列基板及显示面板，用以解决现有技术中的光线检测不准确，导致屏幕显示亮度控制不准确的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下:
[0007]—方面，本发明实施例中提供一种阵列基板，包括形成在衬底基板上的多个晶体管，在所述阵列基板的不同位置还设置有多个光照度传感器。
[0008]—方面，本发明实施例中提供一种显示面板，在所述显示面板上的不同位置设置有多个光照度传感器。
[0009]—方面，本发明实施例中提供一种阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上形成多个晶体管的步骤，还包括在所述阵列基板的不同位置形成多个光照度传感器的步骤。
[0010]本发明的实施例具有以下有益效果:
[0011]上述技术方案中，在显示面板的阵列基板上或封装基板上设置多个光照度传感器，用以提高获取的光照度数据的准确性，从而能够准确控制显示屏幕的显示亮度处于最佳状态，提升用户体验。
【附图说明】
[0012]图1表示本发明实施例中阵列基板的结构示意图；
[0013]图2表示本发明实施例中阵列基板的局部结构示意图一；
[0014]图3-图14表不图2中的阵列基板的制造过程不意图；
[0015]图15表示本发明实施例中阵列基板的局部结构示意图二。
【具体实施方式】
[0016]为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0017]本发明实施例中提供一种显示面板，所述显示面板包括对盒设置的阵列基板和封装基板。所述阵列基板包括形成在衬底基板上的晶体管，通过控制晶体管来控制显示过程，显示所需的画面。所述晶体管可以为非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管。
[0018]在所述显示面板上的不同位置设置有多个光照度传感器，用以准确采集环境中的光线强度，并根据所述光线强度对显示面板的显示亮度进行调整，以达到最佳的显示亮度。
[0019]其中，所述多个光照度传感器可以设置在所述封装基板上，也可以设置在所述阵列基板上。
[0020]优选地，所述多个光照度传感器位于显示面板的显示区域，以获取对应显示区域的环境光线强度，准确调整显示区域的显示亮度。所述多个光照度传感器具体可以位于显示区域的周边，也可以减小传感器的面积，将其设置在显示区域的各像素单元之间，只要不影响像素开口率即可。
[0021]本发明实施例中，所述光照度传感器可以采用光电二极管，光电二极管具有好线性、低噪声、成本低、寿命长、工作电压低等优点。所述光照度传感器具体可以为PN结构的光电二极管，也可以为PIN结构的光电二极管。光电二极管的工作原理为:
[0022]普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用下是工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流;有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。向光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征(Intrinsic)半导体，故称I层，因此，这种结构称为PIN光电二极管。I层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型半导体和N型半导体，P型半导体和N型半导体很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。
[0023]其中，所述光电二极管的各结构可以为同层结构，也可以叠层设置在显示面板上。当所述光电二极管为叠层结构时，所述光电二极管的各结构依次叠层设置在显示面板上，具有较大的受光面积，检测灵敏度高。具体的，对于PN结构的光电二极管，其P半导体和N型半导体可以为同层结构，也可以叠层设置在显示基板上。对于PIN结构的光电二极管，其P半导体、I层和N型半导体可以为同层结构，也可以依次叠层设置在显示面板上。
[0024]可以理解的是，所述光照度传感器并不局限于采用光电二极管，还可以采用其他类型的传感器。
[0025]对于液晶显示面板，其显示光线由背光模组提供。为了防止背光模组发出的光线照射到光照度传感器，造成干扰，导致光照度传感器不能准确采集环境中的光线强度，本实施例中的显示面板上还设置有与光照度传感器位置对应的不透光图形，所述光照度传感器位于显示画面的一侧，且所述光照度传感器在显示面板所在平面上的正投影位于所述不透光图形在显示面板所在平面上的正投影中，从而所述不透光图形能够阻挡背光模组的光线照射到光照度传感器。其中，所述光照度传感器可以采用光电二极管。进一步地，在液晶显示面板的显示区域设置所述多个光照度传感器，以准确获取对应显示区域的环境光线强度，将显示亮度调整到最佳状态。
[0026]结合图1和图2所示，本发明实施例中，多个光照度传感器I设置在所述阵列基板上。优选地，多个光照度传感器I位于阵列基板的显示区域100，以获取对应显示区域100的环境光线强度，提高对显示区域100的显示亮度调整的准确性。具体的，可以将多个光照度传感器I设置在显示区域100的周边。
[0027]所述阵列基板还包括设置在衬底基板上的多个晶体管，通过所述晶体管来控制显示过程。所述晶体管可以为非晶硅晶体管或多晶硅晶体管。本实施例中，所述晶体管选择多晶硅晶体管，具有较高的载流子迀移率。需要说明的是，所述晶体管也可以选择非晶硅晶体管和氧化物薄膜晶体管。
[0028]本发明实施例中的晶体管优选为CMOS晶体管，CMOS晶体管由匪OS晶体管2和PMOS晶体管3共同构成。由于CMOS晶体管中要么匪OS晶体管2导通、要么PMOS晶体管3导通、要么两者都截至，因此功耗很低。
[0029]如图2所示，对于匪OS晶体管2，其包括第一栅电极22、沟道20、位于沟道20两侧的源区和漏区，以及与源区电性连接的第一源电极23和与漏区电性连接的第一漏电极24。本实施例中NMOS晶体管2的沟道材料为多晶硅，具有较高的载流子迀移率，源区和漏区由第二N型半导体21形成。PMOS晶体管3的结构与NMOS晶体管2的结构一致，不同的是PMOS晶体管3的源区和漏区由第二 P型半导体31形成。
[0030]当多个光照度传感器I采用光电二极管时，光照度传感器I的第一P型半导体11中所掺杂的P型离子与PMOS晶体管3的第二 P型半导体31中掺杂的P型离子相同，并通过一次掺杂工艺进行掺杂;光照度传感器I的第一 N型半导体12中掺杂的N型离子与NMOS晶体管2的第二N型半导体21中掺杂的N型离子相同，并通过一次掺杂工艺进行掺杂，从而在阵列基板上设置多个光照度传感器I时，能够简化阵列基板的制作工艺。进一步地，光电二极管I的阳极13和阴极14与NMOS晶体管2的第一源电极23、第一漏电极24，以及PMOS晶体管3的第二源电极33、第二漏电极34通过对同一导电层的构图工艺形成，从而在阵列基板上设置多个光照度传感器I时，不会增加阵列基板的制作工艺。
[0031]为了提高获取的环境光线强度的准确性，本实施例中，设置与光照度传感器I位置对应的不透光图形4，光照度传感器I在衬底基板101上的正投影位于不透光图形4在衬底基板101上的正投影中，且光照度传感器I位于显示画面的一侧，从而不透光图形4能够阻挡阵列基板与显示画面相对的背面光线照射到光照度传感器1，防止产生干扰，使得光照度传感器I能够准确获取显示画面侧的环境光线，调整显示亮度至最佳状态。进一步地，阵列基板上的多个光照度传感器I设置在显示区域，以准确获取对应显示区域的环境光线强度。其中，光照度传感器I可以采用光电二极管，当所述阵列基板包括匪OS晶体管2和PMOS晶体管3时，通过同一工艺制作光电二极管I的第一P型半导体11和PMOS晶体管3的第二P型半导体31，通过同一工艺制作光电二极管I的第一 N型半导体12和匪OS晶体管2的第二 N型半导体21，从而在阵列基板上设置光照度传感器I时，不会增加阵列基板的制作工艺。
[0032]基于同一发明构思，本发明实施例中还提供一种阵列基板的制作方法，包括:
[0033]在衬底基板上形成多个晶体管；
[0034]在阵列基板的不同位置形成多个光照度传感器。
[0035]上述制作方法通过在阵列基板的不同位置形成多个光照度传感器，以准确采集显