一种图形化有机功能层的制备方法及应用
【技术领域】
[0001]本发明属于有机电致发光器件技术领域，具体涉及一种图形化有机功能层的制备方法及利用该方法制备的高分辨率的OLED器件。
【背景技术】
[0002]有机电致发光装置OLED—般包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，目前全彩OLED的发光层需要多次使用精密掩膜板Fine Metal Mask(FMM)来蒸镀。
[0003]由于精密掩膜板FMM本身的材料以及制作工艺，限制了高分辨率有机电致发光装置的发展。在蒸镀工艺过程中，每次更换掩膜板均需要其与待蒸镀基板精确对位，但是在对位时精密掩膜板FMM常会发生偏位、缠丝等现象从而造成产品出现彩斑、混色等缺陷，降低了良率。此外，精密掩膜板FMM是消耗品，造价极其昂贵，大大增加了生产成本。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是现有技术中精密掩膜板FMM限制了高分辨率有机电致发光装置的发展和造成了产品出现彩斑、混色等缺陷问题，从而提供一种图形化有机功能层的制备方法以及由这种方法制备得到的高分辨率的OLED器件。本发明的有机功能层制备时不需要精密掩膜板，从而降低生产成本和提高良率。
[0005]为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的:
[0006]—种图形化有机功能层的制备方法，包括如下步骤:
[0007]S11:在基材上依次形成叠加设置的有机功能层，第一保护层和第二保护层，所述第一保护层的升华温度低于所述有机功能层的升华温度；
[0008]S12:根据预设图案图形化所述第二保护层，即刻蚀掉部分第二保护层使部分所述第一保护层裸露；
[0009]S13:将所述步骤S12的产品置于第一高温环境中使裸露的所述第一保护层升华，从而使所述有机功能层裸露;所述的第一高温环境的温度高于所述第一保护层的升华温度且低于所述机功能层的升华温度；
[0010]S14:将基板与所述基材对位后，再置于第二高温环境中使裸露的有机功能层转移至所述基板上，所述第二高温环境的温度高于所述有机功能层的升华温度。
[0011]所述第一保护层为有机薄膜层，所述的第二保护层为光刻胶层。
[0012]所述步骤S12中刻蚀是采用曝光方式去除所述部分光刻胶层，使部分所述有机功能薄膜层裸露。
[0013]所述的第一保护层的厚度大于所述有机功能层的厚度。
[0014]所述的基材为高导热性的金属基板。
[0015]所述的有机功能层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层中的一种或多种。
[0016]采用所述的方法制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层中的一种。
[0017]一种所述的方法制备得到的高分辨率的OLED器件。本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
[0018]本发明提供的有机功能层的制备方法在导热性较好的金属基板上相继蒸镀一层OLED中需要使用的有机功能层以及一层较厚的有机薄膜保护层和一层光刻胶保护层;该有机薄膜保护层的升华温度要求比OLED中需要使用的有机功能层低，如CBP(4，4’_双(N-咔唑)-1，Γ-联苯)、TPBi (I，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)等。所述光刻胶保护层利用Photo曝光的方式制备出图形，由于存在较厚的有机薄膜保护层，可以避免最下层的有机功能薄膜层受到损伤;在高熔点光刻胶的保护下，通过加热将升华温度较低的有机薄膜保护层以加热升华的方式去除；将待蒸镀基板与金属基板对位后，在光刻胶的保护下可以通过加热的方式将暴露在外的有机薄膜转移到基板上，用于制备高像素分辨率OLED器件。
[0019]本发明的有机功能层的制备过程不需要使用精密掩膜板，由于精密掩膜板造价极其昂贵，每减少一组精密掩膜板，即可大幅度降低制备成本。此外，采用精密掩膜板蒸镀有机功能层时，精密掩膜板与蒸镀基板的对位经常会使精密掩膜板发生缠丝、偏位等现象。因此对位次数越少，精密掩膜板偏位和缠丝的几率就越少，产品良率也就越高。而本发明不需要使用精密掩膜板，避免了由精密掩膜板偏位和缠丝带来的彩斑和混色等不良。与【背景技术】相比，该方法有利于提尚广品良率。
【附图说明】
[0020]为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中，
[0021]图1-图4是本发明的图形化有机薄膜制备过程示意图；
[0022]图5为本发明的图形化有机薄膜示意图；
[0023]图6-图10为本发明的高分辨率OLED器件的制备过程示意图
[0024]其中附图标记为:100-金属基材，101-有机功能层，102-第一保护层，103-第二保护层，104-基板，201-基板，202-阳极，203-空穴注入层，204-空穴传输层，205-红色子像素发光层、206-绿色子像素发光层、207-蓝色子像素发光层、208-电子传输层、209-电子注入层，210-阴极。
【具体实施方式】
[0025]为了使发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对发明的实施方式作进一步地详细描述。
[0026]发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把发明的构思充分传达给本领域技术人员，发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。
[0027]如图1至图4所示，一种图形化有机功能层的制备方法，包括如下步骤:
[0028]Sll:如图1所示，在基材100上依次形成叠加设置的有机功能层101，第一保护层102和第二保护层103，所述第一保护层102的升华温度低于所述有机功能层101的升华温度;第一保护层102为有机薄膜层，一般采用CBP或TPBi等低升华温度材料制备;所述的第二保护层103为光刻胶层。
[0029]S12:如图2所示，根据预设图案图形化所述第二保护层103，即刻蚀掉部分第二保护层103使部分所述第一保护层102裸露；具体是采用曝光方式去除所述部分光刻胶层，使部分所述有机薄膜层裸露。
[0030]S13:将所述步骤S12的产品置于第一高温环境中使裸露的所述第一保护层102升华，从而使所述有机功能层101裸露;所述的第一高温环境的温度高于所述第一保护层102的升华温度且低于所述机功能层101的升华温度；
[0031]S14:将基板104与所述基材100对位后，再置于第二高温环境中使裸露的有机功能层101转移至所述基板上，得到如图5所示的有机功能层;所述第二高温环境的温度高于所述有机功能层101的升华温度。
[0032]优选地，所述的第一保护层102的厚度大于所述有机功能层101的厚度。
[0033]所述的基材100为高导热性的金属基板。
[0034]所述的有机功能层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层中的一种。
[0035]一种高分辨率的OLED器件的制备方法，采用上述方法制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层中的一种或其中的几种。
[0036]一种高分辨率的OLED的制备方法，所述的高分辨率的OLED如图1O所示，包括在基板201上依次沉积彼此层叠的阳极202、空穴注入层203、空穴传输层204、红色子像素发光层205、绿色子像素