有机发光二极管荧光器件结构及其制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示领域，尤其设及一种有机发光二极管巧光器件结构及其制作方 法。
【背景技术】
[0002] 最近几年，OLED(有机发光二极管）的发展得到科研界和工业界的广泛关注，OLED 显示屏已经步入人们的生活，目前的OL邸显示行业一般采用RGB技术，其中红光与绿光器 件一般采用憐光材料，可W实现100%的内量子效率，而蓝光器件依然在效率W及寿命方面 需要多方面的改进，由于憐光蓝色器件的寿命比较短，因此目前的蓝光OL邸器件一般采用 巧光体系，由于巧光材料的内量子效率为25%，其余75%的能量都被白白浪费掉，其发光 效率比较差，因此如何提高蓝光器件的效率和稳定性是目前急需解决的问题。
【发明内容】
[0003] 本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种有机发光二极管巧光器件结构 及其制作方法，可W解决巧光材料的器件内量子效率低、发光效率差的问题。
[0004] 实现上述目的的技术方案是： 阳〇化]本发明一种有机发光二极管巧光器件结构，包括从下至上依次设置的阳极层、空 穴注入层、发光层、电子注入层、W及阴极层，所述发光层的上表面和下表面中至少有一面 设有限制层，所述限制层的=线态能级高于与所述发光层的=线态能级。
[0006] 采用=线态能级高于发光层的=线态能级的限制层设于发光层处，将=线态激子 限制在发光层内，增加=线态激子融合的几率，使得=线态激子融合后产生单线激子，从而 产生巧光光谱，使得巧光器件内量子效率由25%提高到40%，器件效率实际提高了 60%。
[0007] 本发明有机发光二极管巧光器件结构的进一步改进在于，所述空穴注入层的空穴 注入能力大于所述电子注入层的电子注入能力，发光区域靠近阴极时，所述限制层包括设 于所述发光层的上表面的第一限制层，所述第一限制层具有电子传输能力，并作为电子传 输层；若第一限制层电子传输能力较差，须在所述第一限制层和所述电子注入层之间设有 电子传输层。
[0008] 本发明有机发光二极管巧光器件结构的进一步改进在于，所述空穴注入层的空穴 注入能力小于所述电子注入层的电子注入能力，发光区域靠近阳极时，所述限制层包括设 于所述发光层的下表面的第二限制层，所述第二限制层具有空穴传输能力，并作为空穴传 输层；若第二限制层空穴传输能力较差，须在所述第二限制层和所述空穴注入层之间设有 空穴传输层。
[0009] 本发明有机发光二极管巧光器件结构的进一步改进在于在发光层两边添加限制 层，限制层具有较高的S线态能级，例如可选择限制层材料为TCTA或者P014。
[0010] 本发明一种有机发光二极管巧光器件结构的制作方法，包括：
[0011] 提供阳极基板作为阳极层，于所述阳极层上依次制作空穴注入层、发光层、电子注 入层、W及阴极层；
[0012] 在制作所述发光层时，于所述发光层的上表面和下表面中的至少一面制作限制 层，使所述限制层的=线态能级高于所述发光层的=线态能级。
[0013] 本发明有机发光二极管巧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，制作限制层 包括：于所述发光层的上表面制作第一限制层，所述第一限制层设于所述电子注入层和所 述发光层之间，所述第一限制层具有电子传输能力，并作为电子传输层。
[0014] 本发明有机发光二极管巧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，制作限制层 包括：于所述发光层的上表面制作第一限制层，再于所述第一限制层和所述电子注入层之 间制作电子传输层。
[0015] 本发明有机发光二极管巧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，所述空穴注 入层的空穴注入能力大于所述电子注入层的电子注入能力。
[0016] 本发明有机发光二极管巧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，制作限制层 包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，所述第二限制层设于所述空穴注入层和所 述发光层之间，所述第二限制层具有空穴传输能力，并作为空穴传输层。
[0017] 本发明有机发光二极管巧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，制作限制层 包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，于所述第二限制层和所述空穴注入层之间 制作空穴传输层。
[0018] 本发明有机发光二极管巧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，制作限制层 包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，所述空穴注入层的空穴注入能力小于所述 电子注入层的电子注入能力。
[0019] 本发明有机发光二极管巧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，所述限制层 的材料为TCTA或者为P014。
【附图说明】
[0020] 图1为现有的有机发光二极管结构中省去空穴传输层和电子传输层的结构示意 图；
[0021] 图2为本发明有机发光二极管巧光器件结构的第一实施例的结构示意图；
[0022] 图3为本发明有机发光二极管巧光器件结构的第二实施例的结构示意图；
[0023] 图4为本发明有机发光二极管巧光器件结构的第=实施例的结构示意图；W及
[0024] 图5为本发明有机发光二极管巧光器件结构的第四实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[00巧]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
[00%] 请参阅图1所示，为现有的有机发光二极管结构中省去空穴传输层和电子传输层 的结构示意图。现有的有机发光二极管结构包括阳极层、空穴注入层、发光层、电子注入层 W及阴极层，本发明有机发光二极管巧光器结构，通过在发光层上下表面中的至少一面增 加限制层，设置限制层的=线态能级高于发光层的=线态能级，使得=线态激子被限制在 发光层内，=线态激子通过融合形成单线态激子，进而形成巧光光谱，提高巧光器件的内量 子效率，进一步提高器件的发光效率。对于限制层的设置，发光层的两侧均设有限制层，且 =线态能级均高于发光层的=线态能级，可W更好地将=线态激子限制在发光层内，提升 器件效率较优。仅在发光层的一侧设置限制层时，需要根据有机发光二极管巧光器件的结 构来选择，当发光层内的发光区域靠近阳极时，也就是空穴注入层的注入能力小于电子注 入层的注入能力时，可W在发光层和空穴注入层之间设置限制层，也就是发光层的下表面； 当发光层内的发光区域靠近阴极时，也就是空穴注入层的注入能力大于电子注入层的注入 能力时，可W在发光层和电子注入层之间设置限制层，也就是发光层的上表面。选择在发光 层的一侧设置限制层时，可W简化器件结构，且同样带来了提高器件效率的效果。下面结合 附图对本发明有机发光二极管巧光器件结构及其制作方法进行说明。
[0027] 参阅图1，显示了现有的有机发光二极管结构中省去空穴传输层和电子传输层的 结构示意图。下面结合图1，对本发明有机发光二极管巧光器件结构进行说明。
[0028] 如图1所示，有机发光二极管巧光器件结构包括从下至上依次设置的阳极层10、 空穴注入层20、发光层30、电子注入层40、W及阴极层50，其中发光层30包括上表面301和 下表面302,上表面301与电子注入层40贴合，下表面302与空穴注入层20贴合，本发明有 机发光二极管巧光器件结构在上述结构的基础上，于发光层30的上表面301和下表面302 中的至少一面设置有限制层，具体结构包括在发光层30的上表面301处设置限制层、在发 光层30的下表面302处设置限制层、W及在发光层30的上表面301和下表面302分别设 置限制层，该限制层的=线态能级高于发光层30的=线态能级，将=线态激子限制在发光 层30内，使之融合产生单线态激子，形成延迟巧光光谱，提高巧光器件的内量子效率，提高 器件的发光效率。
[0029] 限制层为S线态激子限制层（Triplet Excition Confinement Laye