双（二苯基氧麟基）二苯并巧喃，2 (8) Bis) (diphenyl)phosphinoyl))dibenzofuran)。
[0050] 作为本发明制作方法的第一较佳实施方式，结合图2所示，在发光层30的上表面 设置第一限制层801，第一限制层801作为电子传输层，具有电子传输能力。此时，器件结 构中空穴注入层20的注入能力大于电子注入层40的注入能力。该第一限制层801选择合 适的电子传输层的材料，该材料的=线态能级高于发光层30的=线态能级，且同时具有电 子传输能力，第一限制层801的材料可W采用P014(2(8)双（二苯基氧麟基）二苯并巧喃， 2 (8) Bis) (diphenyl)地OS地inoyl)) dibenzofuran)。另一较佳实施方式，在第一限制层 801 和电子注入层40之间设置电子传输层，运样第一限制层801的材料在选择时只需考虑其= 线态能级大于发光层30的=线态能级即可。
[0051] 作为本发明制作方法的第二较佳实施方式，结合图3所示，在发光层30的下表面 设置第二限制层802,第二限制层802作为空穴传输层，具有空穴传输能力。此时，器件结 构中空穴注入层20的注入能力小于电子注入层40的注入能力。第二限制层802选择合适 的空穴传输层的材料，该材料的=线态能级高于发光层30的=线态能级，且同时还具有空 穴传输的能力。第二限制层802的材料可W采用TCTA(4(4'（4" ) S (巧挫）9)基）S苯 胺，4(4'（4" )Tris(Carbazol)9)地en}damine)。另一较佳实施方式，在第二限制层 802和空穴注入层20之间设置空穴传输层，运样第二限制层802的材料在选择时只需考虑 其=线态能级大于发光层30的=线态能级即可。
[0052] 作为本发明制作方法的第=较佳实施方式，结合图4所示，在发光层30的上表面 设置第一限制层801，下表面设置第二限制层802,第一限制层801具有电子传输能力，并作 为电子传输层，第二限制层802具有空穴传输能力，并作为空穴传输层，第一限制层801和 第二限制层802的材料选择同上，再次不再寶述。另一较佳实施方式，结合图5所示，在第 一限制层801和电子注入层40之间设置电子传输层70,在第二限制层802和空穴注入层 20之间设置空穴传输层60,选择第一限制层801和第二限制层802时只需考虑=线态能级 大于发光层30的=线态能级即可。
[0053] 本发明有机发光二极管巧光器件结构的制作方法的有益效果为：
[0054] 本发明有机发光二极管巧光器件结构的制作方法适用于巧光器件系统，包括红绿 蓝=色巧光器件。 阳化5] 采用=线态能级高于发光层的=线态能级的限制层设于发光层处，将=线态激子 限制在发光层内，增加=线态激子融合的几率，使得=线态激子融合后产生单线激子，从而 产生巧光光谱，使得巧光器件内量子效率由25%提高到40%，器件效率实际提高了 60%。
[0056] 限制层的材料选择时可W兼顾具有电子和空穴传输性能，可W简化器件的整体结 构，且不会影响器件的发光性能。
[0057] W上结合附图实施例对本发明进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上 述说明对本发明做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本发明的限定，本 发明将W所附权利要求书界定的范围作为本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，包括阳极层、空穴注入层、发光层、 电子注入层、以及阴极层，所述发光层的上表面和下表面中至少有一面设有限制层，所述限 制层的三线态能级高于所述发光层的三线态能级。2. 如权利要求1所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述限制层包括 设于所述发光层的上表面的第一限制层，所述第一限制层具有电子传输能力，并作为电子 传输层。3. 如权利要求1所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述限制层包括 设于所述发光层的上表面的第一限制层，所述第一限制层和所述电子注入层之间设有电子 传输层。4. 如权利要求2或3所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述空穴注入 层的空穴注入能力大于所述电子注入层的电子注入能力。5. 如权利要求1或2所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述限制层包 括设于所述发光层的下表面的第二限制层，所述第二限制层具有空穴传输能力，并作为空 穴传输层。6. 如权利要求1或3所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述限制层包 括设于所述发光层的下表面的第二限制层，所述第二限制层和所述空穴注入层之间设有空 穴传输层。7. 如权利要求1所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述限制层包括 设于所述发光层的下表面的第二限制层，所述空穴注入层的空穴注入能力小于所述电子注 入层的电子注入能力。8. 如权利要求1所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述限制层的材 料为TCTA或者P014。9. 一种有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供阳极基板作为阳极层，于所述阳极层上依次制作空穴注入层、发光层、电子注入 层、以及阴极层； 在制作所述发光层时，于所述发光层的上表面和下表面中的至少一面制作限制层，使 所述限制层的三线态能级高于所述发光层的三线态能级。10. 如权利要求9所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于，制作 限制层包括：于所述发光层的上表面制作第一限制层，所述第一限制层设于所述电子注入 层和所述发光层之间，所述第一限制层具有电子传输能力，并作为电子传输层。11. 如权利要求9所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于，制作 限制层包括：于所述发光层的上表面制作第一限制层，再于所述第一限制层和所述电子注 入层之间制作电子传输层。12. 如权利要求10或11所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在 于，所述空穴注入层的空穴注入能力大于所述电子注入层的电子注入能力。13. 如权利要求9或10所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于， 制作限制层包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，所述第二限制层设于所述空穴 注入层和所述发光层之间，所述第二限制层具有空穴传输能力，并作为空穴传输层。14. 如权利要求9或11所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于， 制作限制层包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，于所述第二限制层和所述空穴 注入层之间制作空穴传输层。15. 如权利要求9所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于，制作 限制层包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，所述空穴注入层的空穴注入能力小 于所述电子注入层的电子注入能力。16. 如权利要求9所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于，所述 限制层的材料为TCTA或者P014。
【专利摘要】本发明涉及一种有机发光二极管荧光器件结构及其制作方法，该器件结构包括依次设置的阳极层、空穴注入层、发光层、电子注入层、以及阴极层，所述发光层的上表面和下表面中至少有一面设有限制层，所述限制层的三线态能级高于与所述发光层的三线态能级。采用三线态能级高于发光层的三线态能级的限制层设于发光层处，将三线态激子限制在发光层内，增加三线态激子融合的几率，使得三线态激子融合后产生单线激子，从而产生荧光光谱，使得荧光器件内量子效率由25％提高到40％，器件效率实际提高了60％。
【IPC分类】H01L51/54, H01L51/56, H01L51/52
【公开号】CN105633295
【申请号】CN201410621109
【发明人】李艳虎, 林信志
【申请人】上海和辉光电有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年11月6日
【公告号】US20160133866