性和极性有机物以及无机污垢;清洗后用高纯氮气吹干可减少金属衬底层表面的氧化；
[0033]2)旋涂表面处理剂:在金属衬底面中心滴加表面处理剂，以100rpm预转后再以3000rpm旋转使表面处理剂在金属衬底上分散均匀;预转使表面处理剂先分散平铺于金属衬底上，进一步增加旋转速度，使处理剂更加均匀平铺在金属衬底面上；
[0034]3)旋涂光刻胶:在金属衬底面中心滴加正性光刻胶，以100rpm预转后再以3000rpm旋转使正性光刻胶在金属衬底上分散均匀;本步骤也采用先分散后均匀的方式，提高光刻胶在金属衬底上的分散均匀性；
[0035]4)刷涂光刻胶:用刷子将金属衬底的侧面刷上正性光刻胶;使金属衬底侧面封口；该步骤能有效防止金属衬底侧面被腐蚀；
[0036]5)烘干:将步骤4)处理后的氮化镓基垂直LED片先于105-115°C干燥后再于135-145 °C烘干；105-115 °C下将光刻胶中的大部分溶剂缓慢并均匀地干燥，使光刻胶的曝光特性固定，避免光刻胶表面裂纹的产生。
[0037]实施例1
[0038]—种湿法剥离中防止氮化镓基垂直LED衬底被腐蚀的方法，包括以下步骤:
[0039]I)清洗:将氮化镓基垂直LED片依次置于丙酮中超声3min、乙醇中超声3min、去离子水中超声3min;取出后经去离子水清洗，用氮气吹干;该氮化镓基垂直LED片自下至上依次由硅衬底、LED外延层和金属衬底复合而成；
[0040]2)旋涂表面处理剂:将步骤I)处理后的氮化镓基垂直LED片以金属衬底面朝上的方式吸附于勾胶机上，在金属衬底面中心以ImL/cm2的量滴加六甲基二娃胺，以100rpm预转5s后再以3000rpm旋转30s使六甲基二娃胺分散均勾；
[0041 ] 3)旋涂光刻胶:在金属衬底面中心以3mL/cm2的量滴加正性光刻胶，以100rpm预转5s后再以3000rpm旋转30s使正性光刻胶在金属衬底上分散均勾；
[0042]4)刷涂光刻胶:用刷子将金属衬底的侧面刷上正性光刻胶;使金属衬底侧面封口；
[0043]5)烘干:将步骤4)处理后的氮化镓基垂直LED片先于110°C干燥60s后再于140°C烘干 60s ；
[0044]6)湿法剥离:采用由氢氟酸和硝酸按1:2的体积比组成的混合硅腐蚀液将硅衬底剥离，取出；
[0045]7)去光刻胶:将步骤6)处理后的氮化镓基垂直LED片放入KMP ST600中于70_85°C超声15-30min;再放入到丙酮中于40-45°C超声10-20min;再放入到异丙醇中于45-55°C超声15-20min，用去离子水清洗后采用氮气吹干。
[0046]上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。
【主权项】
1.湿法剥离中防止氮化镓基垂直LED衬底被腐蚀的方法，包括以下步骤: 1)清洗:将氮化镓基垂直LED片依次置于丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗;取出后经去离子水清洗，用氮气吹干;该氮化镓基垂直LED片自下至上依次由硅衬底、LED外延层和金属衬底复合而成； 2)旋涂表面处理剂:在金属衬底面中心滴加表面处理剂，以100rpm预转后再以3000rpm旋转使表面处理剂在金属衬底上分散均匀； 3)旋涂光刻胶:在金属衬底面中心滴加正性光刻胶，以100rpm预转后再以3000rpm旋转使正性光刻胶在金属衬底上分散均匀； 4)刷涂光刻胶:用刷子将金属衬底的侧面刷上正性光刻胶;使金属衬底侧面封口； 5)烘干:将步骤4)处理后的氮化镓基垂直LED片先于105-115°C干燥后再于135-145°C烘干。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，使用匀胶机旋涂表面处理剂，将氮化镓基垂直LED片以金属衬底朝上的方式吸附于匀胶机吸盘。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，所述表面处理剂为六甲基二硅胺。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，表面处理剂的旋涂量为l-2mL/cm2。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)中，光刻胶的旋涂量为3-4mL/cm2。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5)中，先于105-115°C干燥40-80S后再于135-145°C 烘干40-80s。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5)后还包括步骤6)湿法剥离:采用以氢氟酸和硝酸按1:2的体积比混合硅腐蚀液将硅衬底剥离，取出。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤6)后还包括步骤7)去光刻胶:采用正胶去膜剂超声振荡去胶，清洗，干燥。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤7)中，所述正胶去膜剂为KMPST600。10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤7)中，将步骤6)处理后的氮化镓基垂直LED片放入KMP ST600中于70-85°C超声15-30min;再放入到丙酮中于40-45°C超声10-20min；再放入到异丙醇中于45-55 °C超声15_20min。
【专利摘要】本发明提供湿法剥离中防止氮化镓基垂直LED衬底被腐蚀的方法，该方法用于防止氮化镓基垂直LED片硅腐蚀液湿法剥离过程中不被腐蚀，该氮化镓基垂直LED片自下至上依次由硅衬底、LED外延层和金属衬底复合而成；该方法依次包括清洗、旋涂表面处理剂、旋涂表面处理剂光刻胶、刷涂光刻胶和烘干，以在金属衬底层上依次形成表面处理剂层以及在该氮化镓基垂直LED片外形成光刻胶层步骤。该方法使用的原料均可市售，原料成本低廉；该方法在氮化镓基垂直LED片衬底在湿法剥离过程中不易损伤；该方法能更有效地防止外延层的翘曲，减少了裂纹的产生。
【IPC分类】H01L33/00, H01L21/306
【公开号】CN105679889
【申请号】CN201610099451
【发明人】李国强
【申请人】河源市众拓光电科技有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2016年2月23日