一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置。
【背景技术】
[0002]21世纪在显示领域是平板显示的时代。诸如液晶显示面板(LCD,Liquid CrystalDisplay)、电致发光(EL,electroluminescence)显示面板以及电子纸等显示装置已为人所熟知。在这些显示装置中具有控制各像素开关的薄膜晶体管(TFT，Th in FilmTransistor)，其中TFT按结构的不同可以分为:顶栅型TFT和底栅型TFT。
[0003]以底栅型TFT为例，其制作工艺如下:首先，在衬底基板上通过一次构图工艺形成栅极的图形，在栅极的图形上形成栅绝缘层;然后，在栅绝缘层上通过一次构图工艺形成有源层的图形；之后，在有源层的图形上通过一次构图工艺形成源漏极的图形。可以看到，在TFT的制作过程中需要采用三次构图工艺，其制作过程使用的掩膜板次数较多，不利于提高生产效率及降低生产成本。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置，用以解决现有的制作薄膜晶体管时使用掩膜板次数较多，生产效率低的问题。
[0005]因此，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括:
[0006]在衬底基板上通过一次构图工艺形成有源层、源漏极以及刻蚀阻挡层的图形，所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层且位于所述源漏极之间。
[0007]在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在衬底基板上通过一次构图工艺形成有源层、源漏极以及刻蚀阻挡层的图形，具体包括:
[0008]在所述衬底基板上依次形成氧化物半导体薄膜和金属薄膜；
[0009]在所述金属薄膜上形成光刻胶，使用掩膜板对所述光刻胶曝光显影，得到光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全保留区域;所述光刻胶完全去除区域对应于形成所述刻蚀阻挡层的图形区域，所述光刻胶完全保留区域对应于形成所述源漏极的图形区域；
[0010]在所述光刻胶完全去除区域的氧化物半导体薄膜上，形成覆盖在所述有源层且位于所述源漏极之间的刻蚀阻挡层的图形；
[0011 ]利用所述光刻胶完全保留区域的光刻胶和所述刻蚀阻挡层的遮挡，去除掉所述光刻胶部分保留区域的所述氧化物半导体薄膜和金属薄膜，形成所述有源层和源漏极的图形。
[0012]在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在所述光刻胶完全去除区域的氧化物半导体薄膜上，形成覆盖在所述有源层且位于所述源漏极之间的刻蚀阻挡层的图形，具体包括:
[0013]采用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶完全去除区域的金属薄膜，得到位于所述源漏极之间沟道；
[0014]利用所述光刻胶完全保留区域和光刻胶部分保留区域的光刻胶的遮挡，采用离子注入工艺在所述沟道内形成刻蚀阻挡层的图形。
[0015]在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述制作方法中，所述利用所述光刻胶完全保留区域的光刻胶和所述刻蚀阻挡层的遮挡，去除掉所述光刻胶部分保留区域的所述氧化物半导体薄膜和金属薄膜，形成所述有源层和源漏极的图形，具体包括:
[0016]采用灰化工艺去除掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶，同时减薄光刻胶完全保留区域的光刻胶；
[0017]采用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶部分保留区域的金属薄膜和氧化物半导体薄膜，得到所述有源层的图形；
[0018]剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，得到所述源漏极的图形。
[0019]在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述制作方法中，所述掩膜板为半色调掩膜板或灰色调掩膜板。
[0020]在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在衬底基板上通过一次构图工艺形成有源层、源漏极以及刻蚀阻挡层的图形之前，还包括:
[0021]在衬底基板上通过一次构图工艺形成栅极的图形；
[0022]在形成有所述栅极的图形的衬底基板上形成栅绝缘层。
[0023]在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述制作方法中，在所述在衬底基板上通过一次构图工艺形成有源层、源漏极以及刻蚀阻挡层的图形之后，还包括:
[0024]在所述衬底基板上形成保护层后进行退火工艺;和/或，
[0025]采用等离子体对所述刻蚀阻挡层进行处理。
[0026]在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在衬底基板上通过一次构图工艺形成有源层、源漏极以及刻蚀阻挡层的图形之后，还包括:
[0027]在衬底基板上形成栅绝缘层；
[0028]在所述栅绝缘层上通过一次构图工艺形成栅极的图形。
[0029]在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述制作方法中，在所述在衬底基板上通过一次构图工艺形成有源层、源漏极以及刻蚀阻挡层的图形之后，还包括:
[0030]在所述衬底基板上形成栅绝缘层后进行退火工艺;和/或，
[0031 ]采用等离子体对所述刻蚀阻挡层进行处理。
[0032]本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用本发明实施例提供的上述制作方法制得。
[0033]本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括:本发明实施例提供的上述薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管中的漏极连接的像素电极。
[0034]本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法，包括:
[0035]制作本发明实施例提供的上述薄膜晶体管；
[0036]在所述薄膜晶体管上通过一次构图工艺形成像素电极的图形。
[0037]本发明实施例提供的一种显示装置，包括:本发明实施例提供的上述阵列基板。
[0038]本发明实施例的有益效果包括:
[0039]本发明实施例提供的一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置，通过一次构图工艺形成有源层、源漏极以及刻蚀阻挡层的图形，所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层且位于所述源漏极之间，即通过一次构图工艺同时完成了有源层、源漏极和刻蚀阻挡层三个图形的构图，减少了薄膜晶体管制作过程中的构图次数，简化了生产工艺，节约了生产成本。
【附图说明】
[0040]图1为本发明实施例提供的薄膜晶体管的制作方法的流程图；
[0041]图2a_图2f分别为本发明实施例提供薄膜晶体管的制作方法中各步骤执行后的结构示意图；
[0042]图3a和图3b分别为本发明实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图；
[0043]图4a和图4b分别为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0044]图5和图6分别为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图。
【具体实施方式】
[0045]下面结合附图，对本发明实施例提供的薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0046]附图中各层薄膜厚度和区域形状大小不反映薄膜晶体管的真实比例，目的只是示意说明本
【发明内容】
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[0047]本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤:在衬底基板上通过一次构图工艺形成有源层、源漏极以及刻蚀阻挡层的图形，所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层且位于所述源漏极之间。
[0048]在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，由于通过一次构图工艺同时完成了有源层、源漏极和刻蚀阻挡层三个图形的构图，可以减少薄膜晶体管制作过程中的构图次数，简化了生产工艺，节约了生产成本。
[0049]目前，由于非晶硅(a-Si)易于在低温下大面积制备，其制作技术较为成熟，因此，目前在薄膜晶体管中广泛使用非晶硅制作有源层。但a-Si材料的带隙只有1.7V，且对可见光不透明，并在可见光范围内具有光敏性，因此需要在器件中增加不透明金属掩模