发光装置的制造方法
【专利摘要】本发明公开一种发光装置，具有一第一最外侧壁且包含一发光二极管以及一电极。发光二极管具有一电极垫及一侧表面。电极具有一区块形成电极垫上且延伸超出侧表面，及一第一突出部自区块延伸至第一最外侧壁。
【专利说明】
发光装置
技术领域
[0001]本发明涉及一种发光装置，尤其是涉及一种发光装置，其包含一具有突出部的电极。
【背景技术】
[0002]发光二极管具有耗能低、寿命长、体积小、反应速度快以及光学输出稳定等特性。因此，发光二极管渐渐地使用于各种应用中。然而，如何制造一具有良好品质以及竞争性价格的发光二极管或发光装置，仍是发展的目标。
【发明内容】
[0003]为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，说明如下。
[0004]—种发光装置具有一第一最外侧壁且包含一发光二极管以及一电极。发光二极管具有一电极垫及一侧表面。电极具有一区块形成电极垫上且延伸超出侧表面，及一第一突出部自区块延伸至第一最外侧壁。
【附图说明】
[0005]图1A为本发明一实施例中一发光装置的立体示意图；
[000?]图1B为图1A中一发光装置的下视不意图；
[0007]图1C为图1A中一发光装置的下视不意图；
[0008]图1D为图1B1-1线段的剖面示意图；
[0009]图1E为图1BI1-1I线段的剖面示意图；
[0010]图1F为图1DA区的放大图；
[0011]图1G为图1EB区的放大图；
[0012]图1H为图1BII1-1II线段的剖面示意图；
[0013]图2A?图2J为本发明一实施例中一发光装置的制造流程剖面示意图；
[0014]图3A?图3J分别为图2A?图2J的上视示意图；
[0015]图3K为切割步骤的上视不意图；
[0016]图3L为经过切割步骤所形成的一发光装置的上视示意图；
[0017]图4A、图5A、图6A、及图7A为金属叠层具有不同图案的上视示意图；
[0018]图4B、图5B、图6B、及图7B分别为本发明一实施例中一发光装置的上视示意图；
[0019]图8A为一侧投式背光通过的剖面示意图；
[°02°]图8B为图8A中发光源及导光板的立体不意图。
[0021]符号说明
[0022]100、200、300、400、500、600 发光装置
[0023]101 ?104 侧壁
[0024]11发光二极管
[0025]HO图案化基板
[0026]1101、1102 侧表面
[0027]IllAailB 发光主体
[0028]1110 孔洞
[0029]1111第一型半导体层
[0030]1112 活性层
[0031]1113第二型半导体层
[0032]1114第一绝缘层
[0033]1115第二绝缘层
[0034]1116 导电层
[0035]1117第三绝缘层
[0036]1118第一电极垫
[0037]1119第二电极垫
[0038]1161 第一区域
[0039]1162 第二区域
[0040]1163第三区域[0041 ]12波长转换结构
[0042]13光穿透结构
[0043]141 第一电极
[0044]141U1421 主区块
[0045]1411A?D、1421A?D 侦J
[0046]1411CU1421C1 第一角落
[0047]1411C2、1421C2 第二角落
[0048]1412A?E、1422A?E 突出部
[0049]142 第二电极
[0050]15绝缘结构[0051 ]161晶种层
[0052]161残留晶种层
[0053]1611 第一区
[0054]1612 第二区
[0055]17光致抗蚀剂层
[0056]171 第一区
[0057]172 第二区
[0058]18金属叠层
[0059]181第一金属层
[0060]182第二金属层[0061 ]183第三金属层
[0062]184 第一部
[0063]185 第二部
[0064]19反射壁
[0065]900背光通过
[0066]901发光源
[0067]902导光板
[0068]903扩散板
[0069]904反射结构
【具体实施方式】
[0070]以下实施例将伴随着【附图说明】本发明的概念，在附图或说明中，相似或相同的部分是使用相同的标号，并且在附图中，元件的形状或厚度可扩大或缩小。
[0071]图1A显示本发明一实施例中一发光装置的立体示意图。图1B显示图1A中一发光装置的下视示意图。图1C显示图1A中一发光装置的下视示意图。图1D显示图1B1-1线段的剖面示意图。图1E显示图1BI1-1I线段的剖面示意图。图1F显示图1D的A区的放大图。图1G显示图1E的B区的放大图。图1H显示图1B的II1-1II线段的剖面示意图。为清楚表示，图1B仅显示部分层且每一层皆以实线绘制(然，导电层1116以虚线表示，说明详述如后)而不论其材料为非透明、透明或半透明。
[0072]如图1A及图1B所示，发光装置100包括发光二极管11、波长转换结构12包覆发光二极管11、一第一电极141、一第二电极142、一绝缘结构15、及一反射壁19。第一电极141及第二电极142是通过表面粘着技术与外部电路(图未示)电连接。
[0073]如图1A及图1C所示，发光装置100实质上为一长方体且具有四个最外侧壁101?104。第一电极141及第二电极142分别具有一主区块1411、1421及多个突出部1412、1422。在一实施例中，电极141具有三个突出部1412六、14128、1412(:。电极142具有三个突出部1422八、1422B、1422C。如图1C所示，主区块1411、1412位于最外侧壁101?104之内且分别具有四侧14114?0、142认?0。侧14114、14118、1411(:分别与最外侧壁101、102、104相距一约10?150μπι距离。侧1421六、14218、1421(:分别与最外侧壁103、102、104相距一约10?15(^111距离。
[0074]突出部1412Α从主区块1411之侧1411Α沿着X轴(-X方向)向外延伸至最外侧壁101。突出部1412B、1412C从主区块1411沿着Y轴(+Y方向和-Y方向)往相反方向延伸。具体而言，突出部1412B从主区块1411之侧1411B延伸至最外侧壁102。突出部1412C从主区块1411之侧1411(:延伸至最外侧壁104。再者，突出部14124具有一宽度(胃1)为侧14114长度(1^1)的0.15?I倍。突出部1412B具有一宽度(W2)为侧1411B长度(L2)的0.15?1倍。突出部1412(:具有一宽度(胃3)为侧1411(:长度(1^)的0.15?1倍
[0075]突出部1422A从主区块1421之侧1421A沿着X轴(+X方向)延伸至最外侧壁103。突出部1422B、1422C从主区块1421沿着Y轴(+Y方向和-Y方向)往相反方向延伸。具体而言，突出部1422B从主区块1421之侧1421B延伸至最外侧壁102。突出部1422C从主区块1421之侧1421(:延伸至最外侧壁104。突出部14224具有一宽度(胃4)为侧142^长度仏4)的0.15?1倍。突出部1422B分别具有一宽度(W5)为侧1421B长度(L5)的0.15?1倍。突出部1422(:分别具有一宽度(W6)为侧1421C长度(L6)的0.15?1倍。突出部14124、14224往相反方向延伸(4方向和+X方向)。突出部1412B、1422B彼此互相平行。突出部1412C、1422C彼此互相平行。突出部用以作为电镀制作工艺中的导电路径。为了形成导电路径，每一电极具有至少两突出部(详述如后)
[0076]如图1C所示，第一电极141和第二电极142配置成将发光装置的底面区分成五个区域(I?V)，且没有任何电极位于此五个区域中(详述如后)。
[0077]如图1A、图1B、图1D及图1E所示，波长转换结构12实质上为一长方体且具有四个侧表面123?126。反射壁19仅覆盖侧表面123、125而并未覆盖侧表面124、126。反射壁19配置以反射发光结构11所发出的光而离开发光装置100。
[0078]如图1C、图1D、及图1H所示，突出部1412B、1412C(1422B、1422C)形成于反射壁19上且于Z方向上与反射壁19重叠。此外，突出部1412B、1412C(1422B、1422C)具有一部分于Z方向上与波长转换结构12重叠。突出部1412A(1422A)于Z方向上与波长转换结构12重叠而未与反射壁19重叠。
[0079]波长转换结构12包含一第一基质与多个散布在第一基质内的波长转换粒子。波长转换粒子吸收发光二极管所发出的第一光线并转换成峰值波长(peak wavelength)或主波长(dominant wavelength)不同于第一光线的第二光线。基质包含有娃基底的基质材料、环氧树脂基底的基质材料、或前述两者。基质的折射率(η)介于约1.4?1.6或者1.5?1.6之间。波长转换粒子包含一种或者多种无机的焚光粉(inorganicphosphor)、有机分子焚光色素(organic fluorescent colorant)、半导体材料(semiconductor)、或上述材料的组合。无机的荧光粉包含了黄绿色荧光粉、红色荧光粉或蓝色荧光粉。黄绿色荧光粉包含了 YAG、TAG，硅酸盐，钒酸盐，碱土金属砸化物，或金属氮化物。红色荧光粉包括氟化物(例如K2TiF6:Mn4+SK2SiF6: Mn4+)、硅酸盐、钒酸盐、碱土金属硫化物、金属氮氧化物、钨酸盐和钼酸盐的混合物。蓝色焚光粉包括BaMgAl ιο0?7: Eu2+。半导体材料包含量子点发光材料，其可选自一由硫化锌(ZnS)、砸化锌(ZnSe)、碲化锌(ZnTe)、氧化锌(ZnO)、硫化镉(CdS)、砸化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砸化镓(GaSe)、锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)、氮化铝(AlN)、磷化铝(AlP)、砷化铝(AlAs)、磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)、碲(Te)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、碲化铅(PbTe)、砸化铅(PbSe)、碲化锑(SbTe)、硫化锌镉砸(ZnCdSeS)、硫化铜铟(CuInS)、CsPbCl3、CsPbBr3、及CsPbI3所组成的群组。
[0080]第一光线可以跟第二光线混合以成为白光或者非白光。在本实施例中，白光在(^1931色度图中具有一色点座标(1、7)，其中，0.27$叉$0.285;0.23$7$0.26。在一实施例中，白光具有一色温介于约2200?6500K(例如2200K、2400K、2700K、3000K、5000K、5700K、6500Κ)且在CIE1931色度图中具有一色点座标(x、y)位于7阶麦克亚当椭圆(seven-stepMacAdam ellipse)内。非白光可以是紫光、琥?白光(amber light)、绿光或者黄光。
[0081]反射壁19通过固化一白漆(whitepaint)所形成。白漆包含一第二基质与多个散布在基质中的反射粒子(图未示)。第二基质具有娃基底的基质材料(silicone-basedmaterial)、环氧树脂基底的基质材料(epoxy-based material)、或前述两者，并具有介于约1.4?1.6或者1.5?1.6之间的折射率(η)。在一实施例中，第二基质可包含聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PoIyetherimide)、氟碳聚合物(FluorocarbonPolymer)。反射粒子包括二氧化钛、二氧化娃、氧化铝、氧化锌，或二氧化错。在一实施例中，当发光二极管发射的光线撞击到反射壁19时，光线会被反射。具体而言，于反射壁19所产生反射属于漫反射(diffuse reflect1n)。
[0082]白漆具有约0.5?100Pa.s的黏度(例如0.5、1、2、10、30、100、500、1000)且反射壁19(白漆完全地固化后)具有一介于约40?90之间的硬度(shore D)。或者，白漆具有约100?100Pa.8的黏度(例如100、300、500、1000、5000、10000)且反射壁19具有一介于约30?60之间的硬度(shore D)。绝缘结构15可反射光且其材料的选用可参考反射壁19。若绝缘结构15与反射壁19具有相同或相似的基质时，绝缘结构15与反射壁19之间的界面于电子显微镜的观察下无法视得或变得模糊。
[0083]如图1B?图1G所示，发光结构11包含图案化基板110、两发光主体111A、IllB共同形成于图案化基板110上、一沟槽112形成于两发光主体111A、111B间以使两发光主体111A、I IlB彼此物理性分离。每一发光主体111A、11IB包含一第一型半导体层1111、一活性层1112、及一第二型半导体层1113。一第一绝缘层1114形成于沟槽112中并覆盖发光主体
IIIA、IllB的第一半型导体层1111以避免相邻发光主体111A、IllB间不必要的电路路径(短路)。
[0084]一第二绝缘层1115形成于第一绝缘层1114上且曝露出发光主体111A、111B的第二型半导体层1113。一导电层1116形成于第二绝缘层1115以曝露出发光主体111A、111B的第二型半导体层1113上。此外，第二绝缘层1115会覆盖第一绝缘层1114的侧壁。导电层1116覆盖部分第二绝缘层1115的侧壁并延伸至第一型半导体层1111。
[0085]一第三绝缘层1117形成于导电层1116上且覆盖发光主体111A、111B，并曝露部分的导电层1116。一第一电极垫1118及一第二电极垫1119分别电连接发光主体11IA及发光主体111B。发光主体111A、111B间的电连接将于后描述。
[0086]为清楚表示，图1B的导电层1116以虚线表示。参照图1B、图1D及图1F，导电层1116具有一第一区域1161、一第二区域1162(图1B的斜线区块)及一第三区域1163。第一区域1161形成于发光主体11IA并与第二区域1162物理性分离。第二区域1162环绕第一区域1161。第二区域1162与发光主体I IlA的第一型半导体层1111相接触，并进一步形成于沟槽112中的第二绝缘层1115且延伸至发光主体11IB的第二型半导体层1113，藉此导电层1116串联连接发光主体IllA与发光主体IllB(由于剖面线的位置，此连接关系未显示在图1D中
[0087]参照图1B、图1E及图1G，多个孔洞1110形成于第三绝缘层1117中，且孔洞1110形成于发光主体IllA处而未形成于发光主体IllB处。第一电极垫1118可延伸至孔洞1110并与发光主体11IA上导电层1116的第一区域1161形成电连接，藉此，第一电极垫1118与发光主体IllA的第二型半导体层1113形成电连接。导电层1116的第三区域1163形成于发光主体
IIIB。第二电极1119直接与从第三绝缘层1117所曝露出的导电层1116的第三区域1163相接触。导电层1116的第三区域1163与发光主体IllB的第一型半导体层1111相接触。
[0088]在一实施中，举例来说，当第一电极垫1118与外部电极的正极电连接，且第二电极垫1119与外部电极的负极电连接时，电流依序流经孔洞1110内的第一电极垫1118、导电层1116的第一区域1161、发光主体IllA的第二型半导体层1113、发光主体IllA的活性层1112、发光主体IllA的第一型半导体层1111、导电层1116的第二区域1162、发光主体IllB的第二型半导体层1113、发光主体IllB的活性层1112、发光主体IllB的第一型半导体层1111、导电层1116的第三区域1163、最后至第二电极垫1119。因此，发光主体IllA与发光主体IllB彼此串联连接。此外，综合以上整体设计，可减少孔洞1110形成于发光主体IllB的制造程序，且导电层1116覆盖发光主体111A、111B的侧壁可增加发光装置100的光强度并降低发光装置100整体的顺向偏压(Vf)。
[0089]如图1C及图1D所示，第一电极141的主区块1411形成于且电连接至第一电极垫1118上，并延伸超出发光二极管11的一侧表面1101。换言之，侧1411A较侧表面1101靠近最外侧壁101。第二电极142的主区块1421形成于且电连接至第二电极垫1119上，并延伸超出发光二极管11的一侧表面1102。换言之，侧1421A较侧表面1102靠近最外侧壁103。突出部1412六?(:、14224?(:未与电极垫1118、1119重叠。
[0090]第一电极垫1118、第二电极垫1119、导电层1116、第一电极141、及第二电极142可以是金属，例如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、络(Cr)、招(Al)、铀(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、锡(Sn)或其合金或其叠层组合。第一绝缘层1114可为单层或多层。当第一绝缘层1114为单层时，材料可包含氧化物、氮化物、或聚合物(polymer);氧化物可包含氧化铝(Al2O3)、氧化硅(S12)、二氧化钛(Ti02)、五氧化二钽(Tantalum Pentoxide，Ta205)或氧化招(AlOx);氮化物可包含氮化铝(AlN)、氮化硅(SiNx);聚合物可包含聚酰亚胺(po lyimide)或苯并环丁烷(benzocyclobutane，BCB)。当第一绝缘层1114为多层时，材料可包含氧化招(六1203)、氧化娃(Si02)、二氧化钛(Ti02)、五氧化二银(M32O5)及氮化娃(SiNx)的叠层以形成一布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector)。第二绝缘层1115及/或第三绝缘层1117材料的选用由一或多种材料，其材料可参考第一绝缘层1114的相关段落。
[0091]当发光二极管11为一异质结构时，第一型半导体层1111及第二型半导体层1113例如为包覆层(cladding layer)及/或限制层(confinement layer)，可分别提供电子、空穴且具有一大于活性层的带隙，藉此提高电子、空穴于活性层中结合以发光的机率。第一型半导体层1111、活性层1112、及第二型半导体层1113可包含ΙΠ-V族半导体材料，例如AlxInyGa(Ity)N或AlxInyGa(Ity)P，其中O S x，d (x+y) S I。依据活性层的材料，发光主体可发出一波峰值(peak wave length)或主波长(dominant wave length)介于 61 Onm 及650nm之间的红光、波峰值或主波长介于530nm及570nm之间的绿光、波峰值或主波长介于450nm及490nm之间的蓝光、波峰值或主波长介于400nm?440nm的紫光、或波峰值介于200nm?400nm的紫外光。
[0092]图1B中的二发光主体111A、IllB彼此串联。在其他实施例，发光二极管11可包含一个发光主体或是三个以上的发光主体彼此串联、并联、串并混合连接或桥式连接。当发光二极管11包含多个发光主体时，多个发光主体可共同形成于一基板上，或是多个发光主体各自具有一基板，再固定于一载板上，或是部分发光主体共同形成于一基板上，另一部分发光主体各自具有一基板，二者再共同固定于一载板上。此外，实施例中的二个发光主体111A、IllB以倒装结构且通过一导电层1116彼此电连接，然，二发光主体111A、IllB也可为一水平式结构且通过打线方式彼此电连接。
[0093]图2A?图2J显示本发明一实施例中一发光装置的制造流程剖面示意图。图3A?图3J分别显示图2A?图2J的上视示意图。为了简洁故，图2A?图2H中发光二极管11及发光装置200仅以长方体为例作解释。一实施例中，方形、梯形、平行四边形、菱形、三角形、五边形、六角形、或圆形也可应用于本发明的实施例中。图3K显示切割步骤的一上视示意图。
[0094]如图2A和图3A所示，多个发光二极管11(以九个发光二极管为例)设置在一暂时胶带191上。第一电极垫1118及第二电极垫1119被粘接到暂时胶带191。
[0095]如图2B和图3B所示，多个波长转换颗粒121与一基质122混合以形成一波长转换混合物。涂布波长转换混合物完全地将发光二极管11包覆在其中。之后，进行一热处理以固化波长转换混和物而形成波长转换结构12。在一实施例中，在热处理的过程中，因为重力，波长转换粒子121会沉淀而直接接触发光二极管11。
[0096]在另一实施例中，添加抗沉淀剂(例如:二氧化硅)于基质122中以降低波长转换颗粒121沉淀的速度，藉此波长转换颗粒121可以均匀地分散在基质122之中。在另一实施例中，含有多个波长转换颗粒121的基质122可预先形成为一波长转换片，再贴合于发光结构11上。在波长转换片中，波长转换颗粒121可更均匀地分散在基质122之中。
[0097]如图2C及图3C所示，一光穿透结构13被黏接到波长转换结构12。具体而言，一第一结合层(图未示)形成于光穿透结构13上。一第二结合层形成于波长转换结构12。接着，利用热压步骤将第一结合层与第二结合层接合在一起，藉此光穿透结构13结合至波长转换结构12上。
[0098]如图2D及图3D所示，翻转图2C(或图3C)的结构，并移除暂时胶带191以曝露第一电极垫1118及第二电极垫1119。
[0099]如图2E及图3E所示，一绝缘结构15形成以覆盖波长转换结构12及发光二极管11。具体而言，绝缘结构15并未完全覆盖第一电极垫1118及第二电极垫1119且曝露出一部分的第一电极垫1118及第二电极垫1119。换言之，除了曝露出的第一电极垫1118及第二电极垫1119，其余的部分皆完全地被绝缘结构15所覆盖。在图2E中，曝露出的第一电极垫1118及第二电极垫1119的面积大于被绝缘结构15所覆盖的第一电极垫1118及第二电极垫1119的面积。绝缘结构15可通过喷涂、点胶、或印刷方式形成。
[0100]如图2F及图3F所示，一晶种层161形成以覆盖曝露出的第一电极垫1118及第二电极垫1119以及绝缘结构15。其中，晶种层161的厚度远小于电极垫1118或1119。然，为了清楚表示，晶种层161放大尺寸而绘制。晶种层161的厚度约为100?lOOOnm。
[0101]如图2G及图3G所示，提供一光致抗蚀剂层17以作为后续步骤移除晶种层161中的光罩。光致抗蚀剂层17图案化以曝露出一部分的晶种层161。光致抗蚀剂层17具有一第一区171及一第二区172。第一区171形成在每一发光二极管11的从绝缘结构15所附曝露出的电极垫1118、1119的位置以及形成在一部分的绝缘结构15上。第一区171具有一投影面积大于电极垫1118、1119。第二区172具有一宽度小于第一区171且形成于绝缘结构15上以连接至第一区171。
[0102]如图2H及图3!1所示，曝露出的晶种层161被移除以曝露出绝缘结构15。
[0103]如图21及图31所示，移除光致抗蚀剂层17以曝露出于电极垫1118、1119及绝缘结构15上的残留晶种层161’。残留晶种层161’具有一图案实质上等同于光致抗蚀剂层17。因此，残留晶种层161’具有一第一区1611覆盖每一发光二极管的电极垫1118、1119及一部分的绝缘结构15，并具有一投影面积大于相对应的电极垫1118、1119。残留晶种层161’具有第二区1612覆盖绝缘结构15。第二区1612具有一宽度小于第一区1611。第二区1612连接第一区161并于后续电镀过程中作为一导电路径。
[0104]如图2J及图3J所示，进行一电镀步骤以形成金属叠层18。金属叠层18的位置相对应于残留晶种层161’，亦即金属叠层18形成于第一电极垫1118、第二电极垫1119、即一部分的绝缘结构15。在一实施例中，金属叠层18包含第一金属层181、第二金属层182、及第三金属层183。第一金属层181直接地覆盖电极垫1118、1119和绝缘结构15。第二金属层182形成在第一金属层181上且包覆全部的第一金属层181，并进一步接触到绝缘结构15。第三金属层183形成在第二金属层182上且包覆全部的第二金属层182，并进一步接触到绝缘结构15。在本实施例中，第一金属层181的材料为铜且具有一厚度大于第二金属层182。第二金属层182的材料为镍且具有一厚度大于第三金属层183。第三金属层183的材料为金。此外，形成第一金属层181的电镀电流密度为I?5A/dm2、形成第二金属层182的电镀电流密度为I?5A/dm2、形成第三金属层183的电镀电流密度为0.5?3A/dm2。
[0105]因为金属叠层18形成的位置为残留晶种层161’形成的位置，所以金属叠层18具有一投影形状实质上等同于残留晶种层161’的形状。因此，金属叠层18具有一第一部184形成于电极垫1118、1119及一部分绝缘结构15上，与一第二部185形成于绝缘结构15上。第二部185具有一宽度小于第一部184的宽度。如同上述，因为残留晶种层161’的图案由光致抗蚀剂层17所定义，所以，金属叠层18的图案也由光致抗蚀剂层17所定义。因此，可通过调整光致抗蚀剂层17的图案，金属叠层18的图案可做改变。具体而言，残留晶种层161’的第二区1612作为一导电路径，所以，在电镀过程中，只要电流可经由第二区1612而流至残留晶种层161’的第一区1611，第二区1612的图案可做任意变化。
[0106]残留晶种层161’的第二区 1612具有一宽度约为 10?500μπι(30μπι、40μπι、70μπι、100μ
111、15(^111、20(^111、30(^111、40(^111)。若残留晶种层161’的第二区1612的宽度小于3(^111，在电镀过程中，可能会很难形成金属叠层18。若残留晶种层161’的第二区1612的宽度太大，制作工艺成本会增加以及后续切割步骤中所使用的切割器可能会受损害。
[0107]如图3Κ所示，沿着切割线(C)进行一切割步骤以形成多个各自独立的发光装置200(图3L中显示一个发光装置200)。如图3L所示，因发光装置200通过切割金属叠层18的第二部185而彼此分开，因此，一部分的第二部185会留在每一发光装置200。换言之，于每一发光装置200中，第二部185即为前述的突出部。于第一电极垫1118上的金属叠层18的第一部分184即为第一电极141，且第二电极垫1119上的金属叠层18的第一部分184即为第二电极142。
[0108]图4Α、图4Β、图5Α、图6Α、及图7Α显示金属叠层18具有不同图案的上视示意图。如前所述，金属叠层18的第二部185的图案由光致抗蚀剂层17的图案所定义，因此切割步骤前的其他步骤的相关描述及附图可参考相对应的段落，且为简洁故于此省略。
[0109]于图4Α中，沿着切割线(C)进行一切割步骤，以形成多个各自独立的发光装置300(图4Β中显示其中一个)。因发光装置300通过切割金属叠层18的第二部185而彼此分开，因此，一部分的第二部185会留在每一发光装置300。类似于图1C，第一电极141 (金属叠层18)具有一主区块1411(第一部184)及三个突出部1412Α?C(第二部185)，且第二电极142(金属叠层18)具有一主区块1421(第一部184)及三个突出部1422A?C(第二部185)。每一突出部1412A?C、1422A?C具有一宽度(W)等同于主区块1411、1421的长度(L)。第一电极141和第二电极142配置成将发光装置300的底面区分成五个区域(I?V)，且没有任何电极位于此五个区域中。
[0110]于图5A中，沿着切割线(C)进行一切割步骤，以形成多个各自独立的发光装置400(图5B中显示其中一个)。因发光装置400通过切割金属叠层18的第二部185而彼此分开，因此，一部分的第二部185会留在每一发光装置400。第一电极141(金属叠层18)具有一主区块1411(第一部184)及五个突出部1412A?E(第二部185)，且第二电极142(金属叠层18)具有一主区块1421(第一部184)及五个突出部1422A?E(第二部185)。突出部1412B?C、1422B?C彼此平行，以及突出部1412D?E、1422D?E彼此平行。第一电极141和第二电极142配置成将发光装置400的底面区分成五个区域(I?IX)，且没有任何电极位于此九个区域中。
[0111]于图6A中，沿着切割线(C)进行一切割步骤，以形成多个各自独立的发光装置500(图6B中显示其中一个)。因发光装置500通过切割金属叠层18的第二部185而彼此分开，因此，一部分的第二部185会留在每一发光装置400。第一电极141(金属叠层18)具有一主区块1411(第一部184)及四个突出部1412A?D(第二部185)，且第二电极142(金属叠层18)具有一主区块1421(第一部184)及四个突出部1422A?D(第二部185)。突出部1412A?B、1422A?B分别位于主区块1411、1421的第一角落1411(:1、1421(:1。突出部1412(:?0、1422(:?0分别位于主区块1411、1421的第二角落141102、142102。第一电极141和第二电极142配置成将发光装置500的底面区分成七个区域(I?VII)，且没有任何电极位于此七个区域中。
[0112]于图7A中，沿着切割线(C)进行一切割步骤，以形成多个各自独立的发光装置600(图7B中显示其中一个)。因发光装置600通过切割金属叠层18的第二部185而彼此分开，因此，一部分的第二部185会留在每一发光装置600。第一电极141 (金属叠层18)具有一主区块1411(第一部184)及两个突出部1412A?B(第二部185)，且第二电极142(金属叠层18)具有一主区块1421(第一部184)及两个突出部1422A?B(第二部185)。突出部1412A、1422A分别位于主区块1411、1421的第一角落1411(:1，1421(:1。突出部14128、14228分别位于主区块1411、1421的第二角落141102，142102。突出部1412厶?8、1422厶?8以一倾斜于父方向或丫方向的方向延伸。第一电极141和第二电极142配置成将发光装置600的底面区分成三个区域(I?III)，且没有任何电极位于此三个区域中。
[0113]图8A显示一用于液晶显示器的侧投式背光通过900的剖面示意图。背光通过900包含一发光源901、一导光板902、一扩散板903及一反射结构904。发光源901包含一载板9011、多个发光装置100设置于载板9011上，以及电路结构(图未示)形成于载板9011上以控制发光装置100。发光源901设置在导光板902的侧边，当发光装置100发光且其光线(R)射入导光板902。于导光板902中的光线(R)可被导引且朝向扩散板903。反射结构904设置以反射光线(R)朝向扩散板903。第一电极141及第二电极142通过焊料(soldering)固定于电路结构上。
[0114]图8B显示发光源901及导光板902的立体示意图。发光装置100沿着X方向排成一维阵列。发光装置100的数目及排列方式仅做为例示而不限于此。
[0115]在应用上，前述的发光装置也可用于使用于球泡灯、崁灯、豆灯或杯灯(MR16)上的光引擎上。或者，前述的发光装置可以应用于手机或相机的闪光灯通过中。
[0116]暂时胶带191包含蓝膜、散热片/胶、光解胶膜(UVrelease tape)或聚苯二甲酸乙二酯(PET)用以在制作过程中时暂时固定发光二极管或发光装置。光穿透结构13包含蓝宝石、碳化硅、氧化锌、氮化镓、硅、玻璃、石英、或陶瓷材料(例如:氮化铝或氧化铝)。
[0117]以上所述的实施例仅为说明本发明的技术思想及特点，其目的在使熟习此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，不能以此限定本发明的专利范围，即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本发明的专利范围内。
【主权项】
1.一种发光装置，具有一第一最外侧壁，该发光装置包含: 发光二极管，具有电极垫及侧表面；以及 电极，具有区块形成于该电极垫上且延伸超出该侧表面，及第一突出部自该区块延伸至该第一最外侧壁。2.如权利要求1所述的发光装置，其中，该第一突出部窄于该区块。3.如权利要求1所述的发光装置，还包含一反射壁，于一方向上与该第一突出部重叠。4.如权利要求1所述的发光装置，其中，该电极垫未与该第一突出部重叠。5.如权利要求1所述的发光装置，其中，该电极包含第一层及一第二层，该第二层包覆该第一层并接触绝缘结构。6.如权利要求1所述的发光装置，其中，该第一突出部具有一不小于ΙΟμπι的宽度。7.如权利要求1所述的发光装置，其中，该发光装置具有一第二最外侧壁，该电极还具有一第二突出部自该该区块延伸至该第二最外侧壁。8.如权利要求7所述的发光装置，其中，该第一突出部与该第二突出部是往相反方向延伸。9.如权利要求1所述的发光装置，还包含一波长转换结构包覆该发光二极管。10.如权利要求9所述的发光装置，其中，该区块与该波长转换结构于一方向上重叠。
【文档编号】H01L33/46GK105845800SQ201610076021
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年2月3日
【发明人】陈宏萱, 倪志鹏, 张瑞贤, 李欣瑜, 王振奎, 范晨彦
【申请人】晶元光电股份有限公司