发光器件和发光器件封装的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种发光器件和发光器件封装。所述发光器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层；第一电极焊盘，在所述第一导电半导体层上；第二电极焊盘，在所述第二导电半导体层上；以及电流阻挡图案，与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘中至少一个的边缘重叠。
【专利说明】发光器件和发光器件封装
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2015年I月29日提交的第10-2015-0014198号韩国专利申请的优先权，该专利申请通过引用的方式全部包括于此。
【背景技术】
[0003]实施例涉及一种发光器件和发光器件封装。
[0004]发光器件(LED)包括具有将电能转换为光能的特性的p-n结二极管。p-n结二极管可以通过使元素周期表的II1-V族元素结合来形成。通过调节化合物半导体的组成比，发光器件可以表现各种颜色。
[0005]基于GaN的发光器件(LED)已经被用于各种应用中，诸如自然色LED显示器、LED交通信号装置或白色LED。近年来，高效白色LED的发光效率优于常规荧光灯的发光效率，因此在普通照明领域中，预计白色LED将代替荧光灯。
[0006]根据现有技术的发光器件，由于电流拥挤现象(其由于诸如静电的高电压而使电流集中于电极的边缘上)，电极可能损坏。特别地，根据现有技术的发光器件，由于电流拥挤现象，使用高驱动电压的紫外发光器件的电极的边缘可能被损坏。
【发明内容】
[0007]实施例提供一种发光器件和能够提高可靠性的发光器件封装。
[0008]实施例提供一种稳定的发光器件和稳定的发光器件封装。
[0009]根据实施例，提供一种发光器件，包括:发光结构，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层;第一电极焊盘，在所述第一导电半导体层上；第二电极焊盘，在所述第二导电半导体层上；以及电流阻挡图案，与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘中至少一个的边缘重叠。
[0010]根据实施例的发光器件封装可以包括发光器件。
[0011]根据一个实施例，可以防止发光器件由于拥挤在所述第一电极焊盘的边缘和第二电极焊盘的边缘附近的电流而被损坏，使得可以提高紫外发光器件的稳定性，该紫外发光器件发射具有紫外线波长的光并且具有高驱动电压。
[0012]根据另一个实施例，所述第一电流阻挡图案和第二电流阻挡图案分别形成在所述第一导电半导体层和第二导电半导体层上，使得可以防止发光器件由于拥挤在所述第一电极焊盘的边缘和第二电极焊盘的边缘附近的电流而被损坏。因此，可以提高紫外发光器件的稳定性，该紫外发光器件发射具有紫外线波长的光并且具有高驱动电压。
[0013]根据又一个实施例的发光器件，通过离子注入方法，第一电流阻挡图案可以形成在第一导电半导体层中并且第二电流阻挡图案可以形成在第二导电半导体层中，使得可以防止发光器件由于拥挤在所述第一电极焊盘的边缘和第二电极焊盘的边缘附近的电流而被损坏。因此，可以提高紫外发光器件的稳定性，该紫外发光器件发射具有紫外线波长的光并且具有高驱动电压。
【附图说明】
[0014]图1是示出根据一个实施例的发光器件的平面图。
[0015]图2是沿图1中的1-1’线截取的剖视图。
[0016]图3至图6是示出根据实施例的制造发光器件封装的方法的视图。
[0017]图7是示出根据另一个实施例的发光器件的剖视图。
[0018]图8是示出根据又一个实施例的发光器件的剖视图。
[0019]图9是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的剖视图。
【具体实施方式】
[0020]下文中将参照附图描述根据实施例的发光器件和发光器件封装。在对实施例的描述中，应理解，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊盘或另一图案“上”或“下方”时，其可以“直接地”或“间接地”在其他衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案上，或者也可以存在一个或多个介入层。参照附图描述了层的这种位置。
[0021]图1是示出根据实施例的发光器件的平面图。图2是沿图1中的Ι-Γ线截取的剖视图。
[0022]参照图1和图2，根据实施例的发光器件100包括衬底105、发光结构110、第一电极焊盘151和第二电极焊盘152、以及第一电流阻挡图案161和第二电流阻挡图案162。
[0023]发光器件100可以发射具有UV-C波长(S卩，在10nm至280nm范围内的紫外线波长)的光。发光器件100不限定于上述情况，并且可以发射具有可见光波长和红外线波长中至少一种的光。
[0024]衬底105可以包括透明的、绝缘的或导电的衬底，基于GaN的半导体层可以生长在衬底105上。例如，可以通过使用厶1203、31(:、51、6&厶8、6&12110、51、6&?、11^、66、6&203、1^6&03和石英中的一种来形成衬底105。多个突起可以形成在衬底105的顶表面上。可以通过蚀刻方法来形成突起，或者突起可以形成为光提取结构(诸如分离的粗糙结构)。突起可以形成为条形、半球形或圆顶形。
[0025]虽然在附图中未示出，但缓冲层(未示出)还可以形成在衬底105上。缓冲层可以减弱衬底105与氮化物半导体层之间的晶格失配并且可以作为缺陷控制层。
[0026]缓冲层可以具有在衬底11的晶格常数与基于氮化物的半导体层的晶格常数之间的晶格常数。缓冲层可以由氧化物诸如ZnO形成，但是实施例不限于此。
[0027]发光结构110布置在衬底105上。发光结构110包括第一导电半导体层112、第二导电半导体层116和有源层114。
[0028]第一导电半导体层112可以形成为单层或多层结构。当第一导电半导体层112是N-型半导体层时，第一导电半导体层112可以是掺杂有第一导电掺杂剂的II1-V族化合物半导体。第一导电掺杂剂可以包括S1、Ge、Sn、Se或Te作为N-型掺杂剂，但是实施例不限于此。第一导电半导体层112可以包括具有111414&11—#(0 <x< l,0<y < l,0<x+y< I)的组成式的半导体材料。第一导电半导体层
AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP 和 InP 中的至少一种。
[0029]有源层114可以形成为单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。有源层114可以包括由基于GeN的半导体层形成的阱层和势皇层。
[0030]例如，有源层
GaAs/AI GaAs、I nGaAs/AI GaAs、Ga I nP/Al Ga I nP、GaP/AI GaP和 I nGaP/AI GaP 中的至少一种，但是实施例不限于此。阱层可以由具有比势皇层的带隙低的带隙的材料形成。
[0031 ]有源层114的势皇层和讲层可以被实施为未掺杂有杂质的无掺杂层，以便提高有源层114的结晶质量，但是杂质可以被部分地或者全部地掺杂进有源区域中以减小正向电压。
[0032]第二导电半导体层116可以布置在有源层114上并且形成为单层或多层结构。当第二导电半导体层116是P-型半导体层时，第二导电半导体层116可以包括掺杂有第二导电掺杂剂的II1-V族化合物半导体。第二导电掺杂剂可以包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba作为P-型掺杂剂，但是实施例不限于此。例如，第二导电半导体层116可以由诸如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP 或 InP 的化合物半导体组成。
[0033]第一电极焊盘151可以布置在第一导电半导体层112上。
[0034]第二电极焊盘152可以布置在第二导电半导体层116上。
[0035]第一电极焊盘151和第二电极焊盘152可以由选自由T1、Ru、Rh、Ir、Mg、Zn、Al、In、Ta、Pd、Co、N1、S1、Ge、Ag、Au和其合金构成的群组中的至少一种形成。
[0036]第一电流阻挡图案161可以布置在第一导电半导体层112上。第一电流阻挡图案161可以布置在第一电极焊盘151下方。第一电流阻挡图案161可以与第一电极焊盘151的边缘重叠。也就是说，第一电流阻挡图案161可以沿着第一电极焊盘151的边缘延伸，而没有断开。第一电流阻挡图案161可以布置在第一电极焊盘151的边缘与第一导电半导体层112之间。第一电流阻挡图案161的部分可以具有与第一电极焊盘151重叠的区域0A，并且其剩余部分可以被从第一电极焊盘151暴露至外部。也就是说，第一电流阻挡图案161的剩余部分可以向外突出超出第一电极焊盘151的边缘。第一电流阻挡图案161可以与第一导电半导体层112的顶表面直接接触。第一电流阻挡图案161可以与第一电极焊盘151的底表面直接接触。例如，重叠区域OA可以为第一电极焊盘151的整个面积的5%至10%的范围。重叠区域OA的截面的宽度可以为5mi至15μπι的范围。当重叠区域OA可以小于第一电极焊盘151的整个面积的5%或者重叠区域OA的截面的宽度可以小于5μπι时，可能由于第一电极焊盘151与第一电流阻挡图案161之间的错位而难以获得电流阻挡效应。另外，当重叠区域OA可以超出第一电极焊盘151的整个面积的15%或者其截面的宽度可以超出15μπι时，电流阻挡区域可以被扩大，使得光效率可能恶化。第一电流阻挡图案161执行阻挡在第一电极焊盘151的边缘上集中的电流的功能。也就是说，第一电流阻挡图案161可以防止电流拥挤在第一电极焊盘151的边缘中。例如，发光器件100可以包括具有驱动电压高于传统可见光发光器件的驱动电压的紫外线发光器件，并且，因此，在邻近第一电极焊盘151的区域中可能发生电流拥挤现象。
[0037]根据实施例的第一电流阻挡图案161可以阻挡在第一电极焊盘151的边缘上集中的电流。因此，根据实施例的发光器件100可以防止第一电极焊盘151的边缘由于电流拥挤现象被损坏，使得可以提高发光器件100的稳定性。
[0038]第二电流阻挡图案162可以布置在第二导电半导体层116上。第二电流阻挡图案162可以布置在第二电极焊盘152下方。第二电流阻挡图案162可以与第二电极焊盘152的边缘重叠。也就是说，第二电流阻挡图案162可以沿着第二电极焊盘152的边缘延伸，而没有断开。第二电流阻挡图案162可以布置在第二电极焊盘152的边缘与第二导电半导体层116之间。第二电流阻挡图案162的部分可以具有与第二电极焊盘152重叠的区域0A，并且其剩余部分可以被从第二电极焊盘152暴露至外部。也就是说，第二电流阻挡图案162的剩余部分可以向外突出超出第二电极焊盘152的边缘。第二电流阻挡图案162可以与第二导电半导体层116的顶表面直接接触。第二电流阻挡图案162可以与第二电极焊盘152的底表面直接接触。例如，重叠区域OA可以为第二电极焊盘152的整个面积的5%至10%的范围。重叠区域OA的截面的宽度可以为5mi至15μπι的范围。当重叠区域OA可以小于第二电极焊盘152的整个面积的5%或者重叠区域OA的截面的宽度可以小于5μπι时，可能由于第二电极焊盘152与第二电流阻挡图案162之间的错位而难以获得电流阻挡效应。另外，当重叠区域OA可以超出第二电极焊盘152的整个面积的15%或者其截面的宽度可以超出15μπι时，电流阻挡区域可以被扩大，使得光效率可能恶化。
[0039]第二电流阻挡图案162执行阻挡在第二电极焊盘152的边缘上集中的电流的功能。也就是说，第二电流阻挡图案162可以防止电流拥挤在第二电极焊盘152的边缘中。例如，发光器件100可以包括具有驱动电压高于传统可见光发光器件的驱动电压的紫外线发光器件，并且，因此，在邻近第二电极焊盘152的区域中可能发生电流拥挤现象。
[0040]根据实施例的第二电流阻挡图案162可以阻挡在第二电极焊盘152的边缘上集中的电流。因此，根据实施例的发光器件100可以防止第二电极焊盘152的边缘由于电流拥挤现象被损坏，使得可以提高发光器件100的稳定性。
[0041]第一电流阻挡图案161和第二电流阻挡图案162可以同时形成，并且每个可以具有从100]11]1至300111]1的范围的厚度。
[0042]尽管已经根据实施例描述包括第一电流阻挡图案161和第二电流阻挡图案162的发光器件100，但实施例不限于此，并且因此，发光器件100可以只包括第一电流阻挡图案161或只包括第二电流阻挡图案162。
[0043]根据实施例的发光器件100，尽管已经描述了第一电流阻挡图案161的部分向外突出超出第一电极焊盘151的边缘以及第二电流阻挡图案162的部分向外突出超出第二电极焊盘152的边缘，但实施例不限于此，并且第一电流阻挡图案161的边缘和第二电流阻挡图案162的边缘可以分别与第一电极焊盘151的边缘和第二电极焊盘152的边缘平行布置。也就是说，整个第一电流阻挡图案161可以与第一电极焊盘151重叠，整个第二电流阻挡图案162可以与第二电极焊盘152重叠。
[0044]可以防止根据实施例的发光器件100由于拥挤在第一电极焊盘151的边缘和第二电极焊盘152的边缘附近的电流而被损坏，使得可以提高紫外线发光器件的稳定性，该紫外线发光器件发射具有紫外线波长的光。
[0045]图3至图6是示出根据实施例制造发光器件封装的方法的视图。
[0046]参照图3，根据实施例的发光器件包括在衬底110上的半导体结构110。
[0047]衬底105可以由具有优异导热性的材料形成，并且可以是导电衬底或者绝缘衬底。例如，衬底105可以包括63厶8、厶1203、3扣、51、6&12110、63?、11^、66和63203中的至少一种。凹凸结构P可以形成在衬底105上，但是实施例不限于此。通过湿法清洗可以将杂质从衬底105的表面去除。
[0048]缓冲层(未示出)可以形成在衬底105上。缓冲层可以缓解发光结构110与衬底105的材料之间的晶格失配。缓冲层可以由II1-V族化合物半导体(例如，GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和Al InN中的至少一种)形成。无掺杂半导体层(未示出)可以形成在缓冲层上，但是实施例不限于此。
[0049]包括第一导电半导体层112、第二导电半导体层116和有源层114的发光结构110可以形成在衬底105或者缓冲层上。
[0050]第一导电半导体层112可以由半导体化合物(诸如II1-V族或I1-VI族化合物半导体)形成，并且掺杂有第一导电掺杂剂。当第一导电半导体层112是N-型半导体层时，第一导电掺杂剂可以是N-型掺杂剂，诸如S1、Ge、Sn、Se或Te，但是实施例不限于此。
[0051]第一导电半导体层112 可以包括具有 InxAlyGa1-x—yP(0<x< l，0<y<l，0<x+y <I)或InxAlyGa1-x—yN(0<x< l，0<y< l，0<x+y< I)的组成式的半导体材料。
[0052]第一导电半导体层112可以由厶16&卩、1116&?、厶11116&?、11^、6&111^、厶111116&1AlGaN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、InGaAs、Al I nGaAs和GaP 中的至少一种形成。
[0053 ] 通过化学气相沉积(CDV)方法、分子束外延(MBE)方法、溅射方法、或氢化物气相外延(HVPE)方法可以形成第一导电半导体层112，但是实施例不限于此。
[0054]通过第一导电半导体层112注入的电子与通过第二导电半导体层116注入的空穴在有源层114处结合，所以有源层114发射具有以下能量的光，该能量是根据构成有源层114(发光层)的材料的典型能带确定的。
[0055]有源层114可以包括单量子讲结构、多量子讲(MQW)结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。
[0056]有源层114可以包括阱层/势皇层的结构。有源层114可以包括6&11^/^16&11^、GaP/AlGaP、InGaP/AlGaP、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs中的至少一种，但是实施例不限于此。阱层可以由具有比势皇层的带隙低的带隙的材料形成。
[0057]第二导电半导体层116可以由半导体化合物(诸如II1-V族或I1-VI族化合物半导体)形成，并且掺杂有第二导电掺杂剂。例如，第二导电半导体层116可以包括具有InxAlyGa1-X—yP(0 <x<l,0<y<l,0< x+y < I)或InxAlyGa1-x—yN(0 <x<l,0<y<l,0< x+y <I)的组成式的半导体材料。当第二导电半导体层116是P-型半导体层时，第二导电掺杂剂可以是P-型掺杂剂，诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
[0058]尽管在实施例中，第一导电半导体层112可以被示为N-型半导体层，第二导电半导体层116可以被示为P-型半导体层，但是本实施例不限于此。此外，在发光结构110中，具有与第二导电半导体层116的极性相反的极性的半导体层，例如，N-型半导体层(未示出)可以形成在第二导电半导体层116上。由此，发光结构110可以具有N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的一种。
[0059]参照图4，有源层114以及第一导电半导体层112和第二导电半导体层116可以被部分地去除以暴露第一导电半导体层112。在这种情况下，可以通过湿法蚀刻方法或者干法蚀刻方法来执行该过程，但是实施例不限于此。
[0060]参照图5，第一电流阻挡图案161可以形成在被暴露的第一导电半导体层112上，第二电流阻挡图案162上可以形成在第二导电半导体层116上。
[0061]通过使用光致抗蚀剂的蚀刻工艺可以形成第一电流阻挡图案161和第二电流阻挡图案162，但是实施例不限于此。
[0062]可以通过使用氧化物或氮化物来实施第一电流阻挡图案161和第二电流阻挡图案162。例如，电流阻挡层 160可以由选自由Si02、SiNx、Six0y、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02和AlN构成的群组中的至少一种形成，但是实施例不限于此。
[0063]第一电流阻挡图案161和第二电流阻挡图案162可以形成为环形，而没有断开。
[0064]参照图6，第一电极焊盘151可以布置在被暴露的第一导电半导体层112上，第二电极焊盘152可以形成在第二导电半导体层116上。
[0065]第一电极焊盘151可以形成在由第一电流阻挡图案161形成的分隔部中。第一电极焊盘151的边缘可以具有与第一电流阻挡图案161重叠的区域0A，并且可以与第一电流阻挡图案161的边缘平行布置。
[0066]第二电极焊盘152可以形成在由第二电流阻挡图案162形成的分隔部中。第二电极焊盘151的边缘可以具有与第二电流阻挡图案162重叠的区域0A，并且可以与第二电流阻挡图案162的边缘平行布置。
[0067]第一电极焊盘151和第二电极焊盘152可以由T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W和Mo中的至少一种形成，但是实施例不限于此。
[0068]可以防止根据实施例的发光器件100由于拥挤在第一电极焊盘151的边缘和第二电极焊盘152的边缘附近的电流而被损坏，使得可以提高紫外线发光器件的稳定性，该紫外线发光器件发射具有紫外线波长的光。
[0069]图7是示出根据另一个实施例的发光器件的剖视图。
[0070]另一个实施例可以使用图1至图6的技术特性。
[0071]参照图7，因为除了第一电流阻挡图案261和第二电流阻挡图案262以及第一电极焊盘251和第二电极焊盘252之外，根据另一个实施例的发光器件200与根据图1的实施例的发光器件100的配置是相同的，所以相同的附图标记将被分配给相同的元件并且将省略其细节。在以下描述中，将集中于另一个实施例的主要特征。
[0072]发光结构110布置在衬底105上。发光结构110包括第一导电半导体层112、第二导电半导体层116和有源层114。
[0073]第一导电半导体层112包括第一容纳槽112a。第一容纳槽112a可以形成环型，而没有断开。
[0074]第二导电半导体层116包括第二容纳槽116a。第二容纳槽116a可以形成环型，而没有断开。
[0075]第一电流阻挡图案261可以形成在第一容纳槽112a中。第一电流阻挡图案261的顶表面和第一导电半导体层112的顶表面可以布置在相同的平面上。
[0076]第二电流阻挡图案262可以形成在第二容纳槽116a中。第二电流阻挡图案262的顶表面和第二导电半导体层116的顶表面可以布置在相同的平面上。
[0077]第一电流阻挡图案261和第二电流阻挡图案262可以同时形成，并且每个可以具有从10nm至300nm的范围的厚度D。可以通过使用氧化物或氮化物来实施第一电流阻挡图案261和第二电流阻挡图案262。例如，第一电流阻挡层261和第二电流阻挡层262可以由选自由Si02、SiNx、Six0y、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02和AlN构成的群组中的至少一种形成，但是实施例不限于此。
[0078]根据另一个实施例，所述第一电流阻挡图案和第二电流阻挡图案分别形成在所述第一导电半导体层和第二导电半导体层上，使得可以防止发光器件由于拥挤在所述第一电极焊盘的边缘和第二电极焊盘的边缘附近的电流而被损坏。因此，根据另一个实施例的发光器件200，可以提高紫外发光器件的稳定性，该紫外发光器件发射具有紫外线波长的光并且具有高驱动电压。
[0079]图8是示出根据又一个实施例的发光器件的剖视图。
[0080]又一个实施例可以使用图1至图6的技术特性。
[0081]参照图8，因为除了第一电流阻挡图案361和第二电流阻挡图案362以及第一电极焊盘351和第二电极焊盘352之外，根据又一个实施例的发光器件300与根据图1的实施例的发光器件100的配置是相同的，所以相同的附图标记将被分配给相同的元件并且将省略其细节。在以下描述中，将集中于又一个实施例的主要特征。
[0082]发光结构110布置在衬底105上。发光结构110包括第一导电半导体层112、第二导电半导体层116和有源层114。
[0083]第一电流阻挡图案361可以形成在第一导电半导体层112中。第一电流阻挡图案361可以包括与第一导电半导体层112的掺杂剂不同的掺杂剂。例如，当第一导电半导体层112是N-型半导体层时，第一电流阻挡图案361可以包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba作为P-型掺杂剂，但是实施例不限于此。第一电流阻挡图案361的顶表面和第一导电半导体层112的顶表面可以布置在相同的平面上。
[0084]第二电流阻挡图案362可以形成在第二导电半导体层116中。第二电流阻挡图案362可以包括与第二导电半导体层116的掺杂剂不同的掺杂剂。例如，当第二导电半导体层116是P-型半导体层时，第二电流阻挡图案362可以包括S1、Ge、Sn、Se或Te作为N-型掺杂剂，但是实施例不限于此。第二电流阻挡图案362的顶表面和第二导电半导体层116的顶表面可以布置在相同的平面上。
[0085]第一电流阻挡图案361和第二电流阻挡图案362可以同时形成，并且每个可以具有从100]11]1至300111]1的范围的厚度。
[0086]根据又一个实施例的发光器件300，通过离子注入方法，第一电流阻挡图案361可以形成在第一导电半导体层112中并且第二电流阻挡图案362可以形成在第二导电半导体层116中，使得可以防止发光器件300由于拥挤在第一电极焊盘351的边缘和第二电极焊盘352的边缘附近的电流而被损坏。因此，可以提高紫外发光器件的稳定性，该紫外发光器件发射具有紫外线波长的光并且具有高驱动电压。
[0087]图9是示出根据实施例包括发光器件的发光器件封装的剖视图。
[0088]参照图9，发光器件封装700包括本体750、第一引线电极721和第二引线电极723(其至少一部分布置在本体750上)、发光器件800(其布置在本体750上且电连接至第一引线电极721和第二引线电极723)、以及模塑构件730(其包围在本体750上的发光器件100)。
[0089]发光器件800可以采用图1至图8的技术特征。
[0090]本体750可以包括硅、合成树脂或者金属材料。
[0091]第一引线电极721和第二引线电极723可以彼此电隔离，并且穿过本体750的内部。也就是说，第一引线电极721和第二引线电极723的部分可以布置在本体750的腔中并且其他部分可以布置在本体750的外部。
[0092]通过第一引线电极721和第二引线电极723可以将电力供应到发光器件800，并且从发光器件800产生的光可以在第一引线电极721和第二引线电极723上被反射，使得可以提高光效率，并且从发光器件800产生的热可以被排出。
[0093]发光器件封装700可以被应用于灯单元。灯单元可以包括其中排列有多个发光器件或发光器件封装的结构，并且可以包括电灯、信号灯、车头灯和电子标识牌。
[0094]该说明书中提及的任何“一个实施例”、“一实施例”、“示例实施例”等，意指结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。这些词语在说明书中各个地方出现并不必然涉及相同的实施例。此外，当结合任何一个实施例描述特定特征、结构或特性时，主张在所属技术领域的技术人员的范围内，这些特征、结构和特性可以结合到其他的那些实施例。
【主权项】
1.一种发光器件，包括: 发光结构，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层； 第一电极焊盘，在所述第一导电半导体层上； 第二电极焊盘，在所述第二导电半导体层上；以及 电流阻挡图案，与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘中至少一个的边缘重叠。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡图案包括第一电流阻挡图案和第二电流阻挡图案，其中所述第一电流阻挡图案布置在所述第一电极焊盘下方且与所述第一电极焊盘的边缘重叠，所述第二电流阻挡图案布置在所述第二电极焊盘下方且与所述第二电极焊盘的边缘重叠。3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一电流阻挡图案沿着所述第一电极焊盘的所述边缘延伸。4.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第一电流阻挡图案包括具有与所述第一电极焊盘重叠的区域的一部分以及从所述第一电极焊盘暴露至外面的另一部分。5.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第一电流阻挡图案的一部分向外突出超出所述第一电极焊盘的所述边缘。6.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第一电流阻挡图案布置在所述第一导电半导体层上且与所述第一导电半导体层直接接触。7.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第一电极焊盘与所述第一导电半导体层和所述第一电流阻挡图案直接接触。8.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第二电流阻挡图案沿着所述第二电极焊盘的所述边缘延伸。9.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第二电流阻挡图案包括具有与所述第二电极焊盘重叠的区域的一部分以及从所述第二电极焊盘暴露至外面的另一部分。10.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第二电流阻挡图案的一部分向外突出超出所述第二电极焊盘的所述边缘。11.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第二电流阻挡图案布置在所述第二导电半导体层上且与所述第二导电半导体层直接接触。12.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第二电极焊盘与所述第二导电半导体层和所述第二电流阻挡图案直接接触。13.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第一导电半导体层包括容纳所述第一电流阻挡图案的第一容纳槽。14.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第二导电半导体层包括容纳所述第二电流阻挡图案的第二容纳槽。15.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述第一电流阻挡图案包括与所述第一导电半导体层的掺杂剂不同的掺杂剂，所述第二电流阻挡图案包括与所述第二导电半导体层的掺杂剂不同的掺杂剂。16.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中所述电流阻挡图案的外边缘与所述第一电极焊盘的外边缘和所述第二电极焊盘的外边缘平行布置。17.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中所述发光结构具有深紫外波长。18.—种发光器件封装，包括根据权利要求1或2所述的发光器件。
【文档编号】H01L33/36GK105845799SQ201610064065
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年1月29日
【发明人】姜基晩, 吴政勋
【申请人】Lg伊诺特有限公司