半导体发光元件及其制作方法
【专利摘要】本发明提供一种半导体发光元件及其制作方法。其半导体发光元件，包括基板、至少一配置于基板上的发光单元、至少覆盖发光单元的上表面的荧光层以及配置于基板上并环绕发光单元的反射层。一种半导体发光元件的制作方法亦被提出。本发明提供的半导体发光元件的反射层可以遮蔽发光单元自侧表面所发出的光束，进而使半导体发光元件可以发出具有良好质量的光。本发明同时提供的半导体发光元件的制作方法在以荧光层以及反射层封装发光单元时会遮蔽发光单元的侧表面，进而做出可以发出良好质量的光的半导体发光元件。
【专利说明】
半导体发光元件及其制作方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种发光元件及其制作方法，尤其涉及一种半导体发光元件及其制作方法。【背景技术】
[0002]在现有的光源产品中，藉由半导体形成的例如是发光二极管、有机发光二极管及高分子发光二极管等的固态照明已经广泛的应用于人类的生活中。同时，发光二极管藉由低耗电、高寿命、体积小等优点已经广泛得取代传统光源。
[0003]为了提供适当的色光，现有以发光二极管形成的光源除了会藉由发光二极管来发光外，还会让发光二极管发出的光激发荧光粉来产生激发光，进而使发光二极管所发出的光与激发光可以混成适当的颜色。然而，荧光粉的喷涂质量也会直接影响到光源的整体发光质量。
[0004]荧光粉的喷涂质量尤其在发光二极管的侧表面容易出现厚度不一或分布不均的情形。以蓝光发光二极管以及黄色荧光粉为例，当荧光粉在发光二极管的侧表面分布太少或甚至直接暴露发光二极管时，整体光源就会在发光时于侧面(即大角度方向)发出蓝色光束。当荧光粉在发光二极管的侧表面分布太多时，整体光源就会在发光时于侧面发出。上述两个情形都会降低整体光源的发光质量，进而使光源的良率降低，并使整体制作成本提高。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种半导体发光元件，其具有良好的发光质量。
[0006]本发明提供一种半导体发光元件的制作方法，其可以制作出具有良好的发光质量的半导体发光元件。
[0007]本发明的实施例的一种半导体发光元件包括基板、至少一配置于基板上的发光单元、至少覆盖发光单元的上表面的荧光层以及配置于基板上并环绕发光单元的反射层。
[0008]在本发明的一实施例中，上述的反射层覆盖发光单元的侧表面。
[0009]在本发明的一实施例中，上述的反射层的上表面与发光单元的上表面齐平。[〇〇1〇]在本发明的一实施例中，上述的荧光层将发光单元封装于基板上，且反射层覆盖于封装发光单元的荧光层的侧表面。
[0011]在本发明的一实施例中，上述的反射层的上表面较发光单元的上表面高。
[0012]在本发明的一实施例中，上述的半导体发光元件还包括一封装胶体。封装胶体将发光单元、荧光层以及反射层封装于基板上。
[0013]在本发明的一实施例中，上述的半导体发光元件还包括一阻挡墙，阻挡墙配置于基板上并环绕一发光区域，发光单元、荧光层以及反射层配置于发光区域中。
[0014]在本发明的一实施例中，上述的反射层的上表面实质上低于阻挡墙的上表面以及发光单元的上表面。
[0015]在本发明的一实施例中，上述的发光单元是由多个发光芯片形成，这些发光芯片互相连接。
[0016]在本发明的一实施例中，上述的半导体发光元件包括多个发光单元时，反射层更配置于这些发光单元之间。
[0017]本发明的实施例的一种半导体发光元件的制作方法包括提供一基板;配置至少一发光单元于基板上；以及以一荧光层以及一反射层封装发光单元于基板上，其中荧光层至少覆盖发光单元的上表面，反射层环绕发光单元。
[0018]在本发明的一实施例中，上述的以荧光层以及反射层封装发光单元于基板上的步骤还包括配置反射层于基板上并覆盖发光单元的侧表面，以及在反射层覆盖发光单元的侧表面后配置荧光层于发光单元的上表面或发光单元以及反射层的上表面。
[0019]在本发明的一实施例中，上述的反射层的上表面与发光单元的上表面实质上齐平。
[0020]在本发明的一实施例中，上述的以荧光层以及反射层封装发光单元于基板上的步骤还包括以荧光层封装发光单元于基板上，以及配置反射层于封装发光单元的荧光层的侧表面。
[0021]在本发明的一实施例中，上述的反射层的上表面实质上较发光单元的上表面高。
[0022]在本发明的一实施例中，上述的以荧光层以及反射层封装发光单元于基板上的步骤之后更以一封装胶体将发光单元、荧光层以及反射层封装于基板上。
[0023]在本发明的一实施例中，上述的以荧光层以及反射层封装发光单元于基板上的步骤之前更配置一阻挡墙于基板上并环绕一发光区域。发光单元、荧光层以及反射层配置于发光区域中。
[0024]在本发明的一实施例中，当上述的荧光层以及反射层封装发光单元于基板上时， 阻挡墙适于限制反射层于发光区域中。[〇〇25]在本发明的一实施例中，配置上述的发光单元于基板上的步骤更配置多个互相连接的发光芯片于基板上，这些发光芯片形成发光单元。
[0026]在本发明的一实施例中，上述的发光元件的制作方法配置多个发光单元于基板上时，反射层更配置于这些发光单元之间。
[0027]基于上述，本发明的实施例的半导体发光元件的反射层可以遮蔽发光单元自侧表面所发出的光束，进而使半导体发光元件可以发出具有良好质量的光。本发明的实施例的半导体发光元件的制作方法在以荧光层以及反射层封装发光单元时会遮蔽发光单元的侧表面，进而做出可以发出良好质量的光的半导体发光元件。
[0028]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。【附图说明】
[0029]图1A是依照本发明的第一实施例的一种半导体发光元件的俯视示意图；
[0030]图1B是根据图1A中剖面线1山所显示的剖视图；[〇〇31]图2A至图2D是依照本发明的第二实施例的一种半导体发光元件于制作方法的各步骤的剖视图；[〇〇32]图3A至图3D是依照本发明的第三实施例的一种半导体发光元件于制作方法的各步骤的剖视图；
[0033]图4是依照本发明的第四实施例的一种半导体发光元件的俯视示意图；
[0034]图5A至图5D是依照本发明的第四实施例的半导体发光元件于制作方法的各步骤的剖视图；[〇〇35]图6A至图6D是依照本发明的第五实施例的一种半导体发光元件于制作方法的各步骤的剖视图；
[0036]图7A是依照本发明的第六实施例的一种半导体发光元件的俯视示意图；[〇〇37]图7B是根据图7A的剖面线1313所显示的剖视图。
[0038]附图标记:
[0039]A、B、C:区域
[0040]100、100A、100B、100C、100D、100E:发光元件[0041 ]110、110A、110B、110C、110D、110E:基板
[0042]111、111A、111B、111C、111D:上表面
[0043]120、120A、120B、120C、120D、120E:发光单元
[0044]121、121A、121B、121C、121D、121E:上表面
[0045]122C、122D:发光芯片
[0046]123、123A、123B、123C、123D:侧表面
[0047]130、130A、130B、130C、130D、130E:荧光层
[0048]131B:侧表面
[0049]140、140A、140B、140C、140D、140E:反射层
[0050]141A、141B、141E:上表面[0051 ]150A、150B:封装胶体
[0052]160C、160D、160E:阻挡墙
[0053]161E:上表面[〇〇54]170E:金属层
[0055]171E:金属表面【具体实施方式】
[0056]图1A是依照本发明的第一实施例的一种半导体发光元件的俯视示意图。图1B是根据图1A中剖面线Idi所显示的剖视图。请参照图1A及图1B，本发明的第一实施例的半导体发光元件100包括基板110、配置于基板110上的发光单元120、荧光层130以及反射层140。荧光层130至少覆盖发光单元120的上表面121，反射层140在基板110上环绕发光单元120。换句话说，在本实施例的半导体发光元件100中，荧光层130邻近发光单元120的上表面121，而反射层140邻近发光单元120的侧表面123。[〇〇57]本发明的第一实施例的半导体发光元件100藉由荧光层130以及反射层140将发光单元120封装于基板110的表面111上，荧光层130由于覆盖于发光单元120的上表面121因此可以轻易的形成良好的厚度，因此发光单元120自上表面121发出的光束可以经由荧光层 130转换成适当的颜色。另一方面，反射层140可以遮蔽或反射发光单元120自侧表面123发出的光束，同时又可以反射自荧光层130或是其他上表面121上的光学元件所反射的光束，因此本实施例的半导体发光元件100所发出的光束主要都是来自发光单元120的上表面121 的具有适当色光的光束，进而提升半导体发光元件100的整体发光质量。[〇〇58]以上本发明的第一实施例仅示例性的以半导体发光元件100说明本发明的实施例的半导体发光元件，但本发明并不限于此，以下将以其他实施例的半导体发光元件以及其制作方法来说明本发明的实施例的半导体发光元件。[〇〇59]图2A至图2D是依照本发明的第二实施例的一种半导体发光元件于制作方法的各步骤的剖视图。请参照图2A，本发明的第二实施例的半导体发光元件的制作方法先提供基板110A，接着配置发光单元120A于基板110A上。
[0060]具体来说，本实施例的基板110A例如为表面111A配置有线路层的陶瓷基板，因此基板110A适于对发光单元120A提供承载、电性连接以及散热的功能。另一方面，本实施例的发光单元120A例如是覆晶连接发光二极管(Flip-chip light emitting d1de)，因此发光单元120A可以直接电性连接至基板110A的表面111A上。[〇〇61]请参照图2B及图2C，本实施例的半导体发光元件的制作方法在基板110A上配置发光单元120A后，接着以荧光层130A以及反射层140A封装发光单元120A于基板110A上。也就是说，本实施例的荧光层130A以及反射层140A大致覆盖发光单元120A被基板110A暴露的表面。
[0062]详细来说，请参照图2B，本实施例的半导体发光元件的制作方法先配置反射层 140A于基板110A的表面111A上，并让反射层140A环绕发光单元120A，进而让反射层140A覆盖发光单元120A的侧表面123A。[〇〇63]请参照图2C，由于本实施例的反射层140A沿着发光单元120A的侧表面123A环绕发光单元120A，且反射层140A的上表面141A以及发光单元120A的上表面121A实质上可以共平面。因此，当本实施例的半导体发光元件的制作方法在配置反射层140A于基板110A上后可以良好得配置荧光层130A在发光单元120A的上表面121A以及反射层140A的上表面141A上， 进而使发光单元120A封装于基板110A上。换句话说，本实施例的半导体发光元件的制作方法在以荧光层130A以及反射层140A封装发光单元120A于基板110A上的步骤是先配置反射层140A再配置荧光层130A，且荧光层130A藉由反射层140A以及发光单元120A实质上齐平的上表面141A、上表面121A来良好得覆盖其上。
[0064]详细来说，本实施例的反射层140A的材质例如包括硅(silicon)以及二氧化钛 (Titanium d1xide，Ti〇2)，且反射层140A的黏度例如落在1000至20000毫帕.秒(mPa.s)的范围内，反射层140A的反射率则落在90%至99%的范围内，而荧光层例如是以荧光粉以及具有黏着性的胶体形成，但本发明不限于反射层的材质、黏度、反射率以及荧光粉的材质。 在本发明的其他实施例中，反射层更可以是以其他具有适当黏度以及反射率的材质所形成，而荧光层更可以是以其他具有适当荧光效果的荧光粉搭配适当的物质混合而成。更具体来说，本实施例的反射层140A例如是由白胶形成，因此反射层140A可以轻易的形成于基板110A上并环绕发光单元120A。[〇〇65]请参照图2D，本发明的第二实施例的半导体发光元件的制作方法在以荧光层130A 以及反射层140A封装发光单元120A于基板110A上更以封装胶体150A将发光单元120A、荧光层130A以及反射层140A封装于基板110A上。封装胶体150A例如是由透明或透光材质所成， 其适于覆盖基板110A上的发光单元120A、荧光层130A以及反射层140A并形成透镜外型以使发光单元120A所发出的光可以经由封装胶体150A的折射来以良好的出光角度提供照明。
[0066]由上述可知，由于本实施例的半导体发光元件的制作方法以反射层140A以及荧光层130A将发光单元120A封装于基板110A上，且配置于基板110A上的反射层140A包围发光单元120A，因此反射层140A可以阻挡自发光单元120A的侧面所发出的光束，而自发光单元 120A的上表面121A所发出的光可以经由具有适当厚度并均匀覆盖的荧光层130A来转换成具有适当颜色的光束。因此，本实施例的半导体发光元件的制作方法可以制作出具有良好的发光质量的半导体发光元件100A。然而，本发明的半导体发光元件的制作方法并不限于上述第二实施例的半导体发光元件的制作方法。[〇〇67]图3A至图3D是依照本发明的第三实施例的一种半导体发光元件于制作方法的各步骤的剖视图。请参照图3A，本发明的第三实施例的半导体发光元件的制作方法类似于上述第二实施例，先提供基板110B并配置发光单元120b于基板110b上，进而让基板110B对发光单元120B提供承载、电性连接以及散热的功能。[〇〇68]请参照图3B，本实施例的半导体发光元件的制作方法先配置荧光层130B于基板 110B以及发光单元120B上，进而让荧光层130B封装发光单元120B于基板110B上。换句话说， 本实施例的半导体发光元件的制作方法先将荧光层130B覆盖发光单元120B的上表面121B 以及侧表面123B。[〇〇69]请参照图3C，本实施例的半导体发光元件的制作方法在配置荧光层130B后配置反射层140B，且环绕发光单元120B的反射层140B配置于封装发光单元120B的荧光层130B的侧表面131B。因此，来自发光单元120B的侧表面123B发出的光会被反射层140B反射，而只有自发光单元120B的上表面121B发出的光会可以发出。[〇〇7〇]由于荧光层130B可以在发光单元120B的上表面121B以适当的厚度形成，因此发光单元120B可以经由荧光层130B发出具有适当颜色的光，同时藉由反射层140B阻隔颜色差异较大的光束。
[0071]进一步而言，本实施例的反射层140B的上表面141B实质上较发光单元120B的上表面121B高，因此可以提供良好的光学阻隔效果。[〇〇72]详细来说，本实施例的反射层140B的材质例如包括硅(silicon)以及二氧化钛 (Titanium d1xide，Ti〇2)，且反射层140B的黏度例如落在1000至20000毫帕.秒(mPa.s)的范围内，反射层140B的反射率则落在90%至99%的范围内，而荧光层例如是以荧光粉以及具有黏着性的胶体形成，但本发明不限于反射层的材质、黏度、反射率以及荧光粉的材质。 在本发明的其他实施例中，反射层更可以是以其他具有适当黏度以及反射率的材质所形成，而荧光层更可以是以其他具有适当荧光效果的荧光粉搭配适当的物质混合而成。[〇〇73]请参照图3D，本发明的第三实施例的半导体发光元件的制作方法在以荧光层130B 以及反射层140B封装发光单元120B于基板110B上更以封装胶体150B将发光单元120B、荧光层130B以及反射层140B封装于基板110B上。封装胶体150B例如是由透明或透光材质所成， 其适于覆盖基板110B上的发光单元120B、荧光层130B以及反射层140B并形成透镜外型以使发光单元120B所发出的光可以经由封装胶体150B的折射来以良好的出光角度提供照明。
[0074]由上述可知，由于本实施例的半导体发光元件的制作方法以反射层140B以及荧光层130B将发光单元120B封装于基板110B上，且配置于基板110B上的反射层140B包围被荧光层130B覆盖的发光单元120B，因此反射层140B可以阻挡自发光单元120B的侧面所发出的光束，而自发光单元120B的上表面121B所发出的光可以经由具有适当厚度并均匀覆盖的荧光层130B来转换成具有适当颜色的光束。因此，本实施例的半导体发光元件的制作方法可以制作出具有良好的发光质量的半导体发光元件l〇OB。
[0075]图4是依照本发明的第四实施例的一种半导体发光元件的俯视示意图。请参照图 4,本发明的实施例的发光单元并不限于上述第二实施例或第三实施例的半导体发光元件的制作方法是对单颗的发光单元作加工，本发明的第四实施例的半导体发光元件100C的发光单元120C是由多个发光芯片122C形成，这些发光芯片122C互相连接，藉以排列成具有适当大小及形状的发光元件120C。[〇〇76]另一方面，本实施例的半导体发光元件100C还包括在阻挡墙160C，阻挡墙160C环绕一发光区域A，发光单元120C、荧光层130C以及反射层140C配置于发光区域A中。以下将以剖视图逐步说明本发明的第四实施例的半导体发光元件100C的制作方法以及半导体发光元件。[〇〇77]为了清楚说明本实施例的半导体发光元件的制作方法及其所制作的半导体发光元件，图5A至图f5D是依照本发明的第四实施例的半导体发光元件100C于制作方法的各步骤的剖视图，且图5A至图?所显示的剖视图例如是对应至图4中的剖面线1212来逐步显示。 [〇〇78]请参照图5A，本实施例类似于上述实施例先提供基板110C并于其上配置发光单元 120C，进而让基板110C对发光单元120C提供承载、电性连接以及散热的功能。[〇〇79]请参照图5B，本实施例的半导体发光元件的制作方法在形成发光单元120C于基板 110C上后配置阻挡墙160C于基板110C上并环绕发光区域A。换句话说，阻挡墙160C固定于基板110C的上表面111C并环绕配置有发光单元120C的发光区域A。
[0080]详细来说，本实施例的阻挡墙160C的材质例如包括硅(silicon)以及二氧化钛 (Titanium d1xide，Ti〇2)或是二氧化娃(Silicon d1xide，Si〇2)，其预先凝固于基板 110C 上以围绕发光区域A。
[0081]请参照图5C，本实施例的半导体发光元件的制作方法在配置阻挡墙160C后于发光区域A填入反射层140C。阻挡墙160C适于将反射层140C限制于发光区域A中，且反射层140C 暴露发光单元120C的上表面122C，进而阻挡发光单元120C自侧表面123C发出的光。
[0082]详细来说，本实施例的反射层140C的材质例如包括硅(silicon)以及二氧化钛 (Titanium d1xide，Ti〇2)，且反射层140C的黏度例如落在1000至20000毫帕?秒(mPa.s)的范围内，反射层140C的反射率则落在90%至99%的范围内，但本发明不限于反射层的材质、 黏度、反射率。在本发明的其他实施例中，反射层更可以是以其他具有适当黏度以及反射率的材质所形成。[〇〇83]请参照图5D，本实施例的半导体发光元件的制作方法在配置反射层140C后接着配置荧光层130C于发光单元120C的上表面121C。即，本实施例的发光单元120C、荧光层130C以及反射层140C均配置于阻挡墙160C所围绕的发光区域中，进而形成半导体发光元件100C。 [〇〇84]图6A至图6D是依照本发明的第五实施例的一种半导体发光元件于制作方法的各步骤的剖视图。请参照图6A，本实施例类似于上述实施例先提供基板110D并于其上配置发光单元120D，进而让基板110D对发光单元120D提供承载、电性连接以及散热的功能。[〇〇85]请参照图6B，本实施例的半导体发光元件的制作方法在形成发光单元120D于基板 110D上后配置荧光层130D于基板110D以及发光单元120D上，进而让荧光层130D封装发光单元120D于基板110D上。换句话说，本实施例的半导体发光元件的制作方法先将荧光层130D 覆盖发光单元120D的上表面121D以及侧表面123D。
[0086]请参照图6C，本实施例的半导体发光元件的制作方法在配置荧光层130D并覆盖发光单元120D后配置阻挡墙160D于基板110D上并环绕发光区域B。换句话说，阻挡墙160D固定于基板110D上并环绕被荧光层130D覆盖的发光单元120D。
[0087]详细来说，本实施例的阻挡墙160C的材质例如包括硅(silicon)以及二氧化钛 (Titanium d1xide，Ti〇2)或是二氧化娃(Silicon d1xide，Si〇2)，其预先凝固于基板 110D 上以为绕发光区域B。[〇〇88]参照图6D，本实施例的半导体发光元件的制作方法在配置阻挡墙160D后于发光区域B填入反射层140D。阻挡墙160D适于将反射层140D限制于发光区域B中，且反射层140D暴露邻近发光单元120D的上表面122D的部份反射层130D，进而阻挡发光单元120D自侧表面发出的光。简单来说，本实施例的半导体发光元件100D的制作方法在配置发光单元120D、荧光层130D、阻挡墙160D于基板110D上后再填入反射层140D于阻挡墙160D所围绕的发光区域B 中以形成发光元件100D。
[0089]由上述可知，由于本实施例的半导体发光元件的制作方法以反射层140D以及荧光层130D将发光单元120D封装于基板110D上，且阻挡墙160D可以避免反射层140D溢流至发光区域B外或基板110D外，进而提升半导体发光元件100D的生产良率。配置于基板110D上的反射层140D包围被荧光层130D覆盖的发光单元120D，因此反射层140D可以阻挡自发光单元 120D的侧面所发出的光束，而自发光单元120D的上表面121D所发出的光可以经由具有适当厚度并均匀覆盖的荧光层130D来转换成具有适当颜色的光束。因此，本实施例的半导体发光元件的制作方法可以制作出具有良好的发光质量的半导体发光元件100D。
[0090]在本发明上述的第四实施例、第五实施例中，发光芯片122C、发光芯片122D之间例如是紧密排列，但本发明并不限于此。在其他实施例中，发光芯片之间更可以保持例如是50 微米(micrometer，ym)的间距。
[0091]图7A是依照本发明的第六实施例的一种半导体发光元件的俯视示意图，且图7A为了清楚说明半导体发光元件中的各元件的相对关系，省略显示了荧光层，其并非用以限定本发明。请参照图7A，本发明的第六实施例的半导体发光元件100E包括有多个发光单元 120E、阻挡墙160E以及反射层140E配置于基板110E上。这些发光单元120E配置于基板110E 上的发光区域C，且阻挡墙160E环绕发光区域C，所以阻挡墙160E可以让反射层140E限制于发光区域C中，且反射层140E配置于这些发光单元120E之间，进而提供更大的反射面来提升半导体发光元件100E的整体发光效率。[〇〇92]图7B是根据图7A的剖面线1313所显示的剖视图。请参照图7B，本实施例的基板110E 上配置有金属层170E，金属层170E的金属表面171E上配置这些发光单元120E。本实施例的基板110E例如是由陶瓷材质或金属材质形成，藉以对这些发光单元120E提供良好的散热效能。[〇〇93]在本实施例中，发光单元120E以及金属层170E配置于基板110E上的发光区域C，且阻挡墙160E在发光单元120E配置于金属表面171E上后环绕发光区域C。详细来说，本实施例的阻挡墙160E的材质例如包括娃(silicon)以及二氧化钛(Titanium d1xide，Ti〇2)或是二氧化娃(Silicon d1xide，Si〇2)，其预先凝固于基板110E上以为绕发光区域C。
[0094]本实施例的反射层140E配置于发光区域C中，且阻挡墙160E适于将反射层140E限制于发光区域C中，且反射层140E填充于发光单元120E之间，即反射层140E配置于发光区域 C中被发光单元120E所暴露的区域并覆盖这些发光单元120E的侧表面。[〇〇95]另一方面，本实施例的反射层140E的上表面141E实质上低于阻挡墙160E的上表面 161E以及发光单元120E的上表面121E。也就是说，本实施例的反射层140E的上表面141E不超过这些发光单元120E的上表面，因此形成反射层140E的可流动材质可以轻易的形成于发光区域C中。[〇〇96]本实施例的荧光层130E覆盖反射层140E以及发光单元120E，进而使这些发光单元 120E封装于基板110E上。由于反射层140E可以阻挡发光单元120E的侧表面所发出的光，同时反射层140E的上表面141E可以形成大面积的反射面让发光单元120E经上表面120E所发出的光可以更有效率的发出，且反射层140E与这些发光单元120E可以让荧光层130E良好的形成其上。因此，本实施例的半导体发光元件100具有良好的出光质量。
[0097]综上所述，本发明的实施例的半导体发光元件的基板上包括有环绕发光单元并暴露发光单元的上表面的荧光层的反射层，反射层在反射上表面所发出的光束的同时，更可以遮蔽发光单元自侧表面所发出的光束，进而使半导体发光元件可以发出具有良好质量的光。本发明的实施例的半导体发光元件的制作方法在以荧光层以及反射层封装发光单元时，会以反射层环绕发光单元并暴露邻近发光单元的上表面的荧光层，让反射层在反射发光单元的上表面所发出的光束的同时，更可以遮蔽发光单元自侧表面所发出的光束，进而制作出可以发出良好质量的光的半导体发光元件。[〇〇98]虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的改动与润饰，故本发明的保护范围当视所附权利要求界定范围为准。
【主权项】
1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括:一基板；至少一发光单元，配置于所述基板上；一荧光层，至少覆盖所述发光单元的上表面:以及一反射层，配置于所述基板上并环绕所述发光单元。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述反射层覆盖所述发光单元 的侧表面。3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述反射层的上表面与所述发 光单元的上表面齐平。4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述荧光层将所述发光单元封 装于所述基板上，所述反射层覆盖于封装所述发光单元的所述荧光层的侧表面。5.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，所述反射层的上表面较所述发 光单元的上表面高。6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，还包括一封装胶体，将所述发 光单元、所述荧光层以及所述反射层封装于所述基板上。7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，还包括一阻挡墙，配置于所述 基板上并环绕一发光区域，所述发光单元、所述荧光层以及所述反射层配置于所述发光区 域中。8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，包括多个所述发光单元时，所 述反射层更配置于所述多个发光单元之间。9.一种半导体发光元件的制作方法，其特征在于，包括:提供一基板；配置至少一发光单元于所述基板上；以及以一荧光层以及一反射层封装所述发光单元于所述基板上，其中所述荧光层至少覆盖 所述发光单元的上表面，所述反射层环绕所述发光单元。10.根据权利要求9所述的半导体发光元件的制作方法，其特征在于，以所述荧光层以 及所述反射层封装所述发光单元于所述基板上的步骤还包括:配置所述反射层于所述基板上并覆盖所述发光单元的侧表面；以及在所述反射层覆盖所述发光单元的侧表面后配置所述荧光层于所述发光单元的上表 面或所述发光单元以及所述反射层的上表面。
【文档编号】H01L33/60GK105990505SQ201610157182
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2016年3月18日
【发明人】洪钦华, 林育锋, 洪政暐, 李皓钧, 詹勋贤
【申请人】新世纪光电股份有限公司