处理装置的制造方法
【专利摘要】实施方式的处理装置具备：载置台，能够供试样载置；旋转机构，使载置台旋转；第1喷嘴，对试样喷射物质；以及第2喷嘴，对试样的旋转中心供给液体。
【专利说明】处理装置
[0001]相关串请案
[0002]本申请案享有以日本专利申请案2015-80861号(申请日:2015年4月10日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
技术领域
[0003]本发明的实施方式涉及一种用于切割半导体衬底的半导体制造装置等处理装置。
【背景技术】
[0004]形成在晶片等半导体衬底上的多个半导体元件通过沿着设置在半导体衬底的切割区域进行切割而被分割成多个半导体芯片。于在半导体衬底的一面形成着成为半导体元件的电极的金属膜或芯片接合膜等树脂膜的情况下，必须在切割时将切割区域的金属膜或树脂膜均去除。
[0005]作为去除金属膜或树脂膜的方法，例如有通过刀片切割将半导体衬底与金属膜或树脂膜同时去除的方法。在此情况下，金属膜或树脂膜容易产生突起(毛边)等形状异常。如果产生金属膜或树脂膜的形状异常，那么会因被判定为半导体芯片的外观检查不良或产生底座与半导体芯片的接合不良而导致产品成品率降低，因此会成为问题。
【发明内容】
[0006]本发明的实施方式提供一种能够抑制对金属膜、树脂膜等进行处理时的形状异常的处理装置。
[0007]实施方式的处理装置具备:载置台，能够供试样载置；旋转机构，使所述载置台旋转；第I喷嘴，对所述试样喷射物质；以及第2喷嘴，对所述试样的旋转中心供给液体。
【附图说明】
[0008]图1A、1B是第I实施方式的处理装置的示意图。
[0009]图2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G是表示第I实施方式的器件的制造方法的示意步骤剖视图。
[0010]图3是第I实施方式的处理装置的作用的说明图。
[0011]图4是第2实施方式的处理装置的示意图。
[0012]图5A、5B是第3实施方式的处理装置的示意图。
[0013]图6是第3实施方式的变化例的处理装置的示意图。
[0014]图7是第4实施方式的处理装置的示意图。
[0015]图8A、8B是第5实施方式的处理装置的示意图。
[0016]图9A、9B是第6实施方式的处理装置的示意图。
[0017]图10是第7实施方式的处理装置的示意图。
[0018]图11是第8实施方式的处理装置的示意图。
【具体实施方式】
[0019]以下，一边参照附图，一边对本发明的实施方式进行说明。此外，在以下的说明中，对相同的部件等标注相同的符号，对于已经说明过一次的部件等适当省略其说明。
[0020](第I实施方式)
[0021]本实施方式的处理装置具备:载置台，能够供试样载置；旋转机构，使所述载置台旋转；第I喷嘴，对所述试样喷射物质；以及第2喷嘴，对所述试样的旋转中心供给液体。而且，本实施方式的处理装置还具备:移动机构，使载置台与第I喷嘴在与载置台的旋转轴垂直的方向上相对移动；以及控制部，控制移动机构。
[0022]本实施方式的处理装置例如为用于切割半导体衬底的半导体制造装置。例如，用于在切割时将设置在半导体衬底的一面且成为半导体元件的电极等的金属膜去除的情况。
[0023]而且，在本实施方式中，以喷射至金属膜的物质为包含二氧化碳的粒子的情况为例进行说明。此外，所谓含有二氧化碳的粒子(以下，也简记为二氧化碳粒子)是指以二氧化碳为主成分的粒子。除二氧化碳以外，也可以含有例如不可避免的杂质。
[0024]图1A、IB是本实施方式的处理装置的示意图。图1A是包含装置的截面构造的示意图，图1B是载置台部分的俯视图。
[0025]本实施方式的半导体制造装置具备载置台10、支撑轴12、旋转机构14、第I喷嘴16、移动机构(第I移动机构)18、控制部20、处理室22、及第2喷嘴26。
[0026]载置台10构成为能够供欲处理的试样W载置。载置台10例如供粘接于固定在切割框的切割片的半导体晶片载置。
[0027]载置台10固定在支撑轴12。旋转机构14使载置台10旋转。旋转机构14例如具备电动机、及保持支撑轴12使之能够旋转的轴承。通过旋转机构14，载置台10以旋转轴C为中心进行旋转。
[0028]从第I喷嘴16喷射去除金属膜的二氧化碳粒子。通过喷射二氧化碳粒子来去除金属膜，例如将试样W分离。二氧化碳粒子为固体状态的二氧化碳。二氧化碳粒子是所谓的干冰。二氧化碳粒子的形状例如为颗粒状、粉末状、球状、或不固定形状。
[0029]第I喷嘴16例如连接在未图示的液化二氧化碳气体的储气罐。通过绝热膨胀而使储气罐内的液化二氧化碳气体固体化，而产生二氧化碳粒子。第I喷嘴16例如连接在未图示的氮气或压缩空气的供给源。从第I喷嘴16将所产生的二氧化碳粒子与例如氮气或压缩空气一并向载置在载置台10的试样W喷射。
[0030]第I喷嘴16的直径例如为Φ Imm以上且Φ 3mm以下。而且，第I喷嘴16与试样W的表面的距离例如设定为1mm以上且20mm以下。
[0031]第I喷嘴16喷射二氧化碳粒子的方向例如相对于载置台10的表面大致垂直。
[0032]如图1A、1B中箭头所示，移动机构18使载置台10与第I喷嘴16在与载置台10的旋转轴C垂直的方向上直线性地相对移动。例如，以在载置台10的旋转轴C与试样W的端部之间反复进行扫描的方式使第I喷嘴16移动。在图1A、1B中表示通过移动机构18使第I喷嘴16而非载置台10移动的情况。
[0033]移动机构18只要为能使第I喷嘴16相对于载置台10直线性地往返移动的机构，那么并无特别限定。例如使用将皮带、皮带轮、及使皮带轮旋转的电动机组合而成的皮带驱动梭式机构。而且，例如使用齿条小齿轮机构与电动机的组合。而且，例如使用线性电动机。
[0034]此外，移动机构18也可以为并非使第I喷嘴16移动，而是使载置台10相对于经固定的第I喷嘴16移动的机构。
[0035]控制部20控制移动机构18。例如将第I喷嘴16相对于载置台10的扫描范围、第I喷嘴16相对于载置台10的相对速度等控制为所需的值。控制部20例如既可以为电路衬底等硬件，也可以为硬件与存储在存储器中的控制程序等软件的组合。控制部20也可以为控制移动机构18使其与旋转机构14同步的构成。而且，例如控制部20使载置台10与第I喷嘴16在与载置台10的表面平行的方向上相对移动。
[0036]第2喷嘴26将液体供给至试样W的至少包含旋转中心的区域。液体例如为水。通过将水供给至旋转的试样W的旋转中心，而在试样W的整个表面形成水的覆膜。
[0037]壳体22中内置载置台10、第I喷嘴16、移动机构18、及第2喷嘴26等。壳体22保护载置台10、第I喷嘴16、移动机构18、及第2喷嘴26等，并且防止对试样W的处理受到来自外部环境的影响。
[0038]接下来，示出使用本实施方式的半导体制造装置的半导体器件的制造方法的一例。以下，以欲制造的半导体器件为在半导体器件的两面具备金属电极且使用了硅(Si)的纵型功率 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)的情况为例进行说明。
[0039]图2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G是表示本实施方式的器件的制造方法的示意步骤剖视图。
[0040]首先，在具备第I面(以下，也称为正面)与第2面(以下，也称为背面)的硅衬底(半导体衬底)30的正面侧形成纵型MOSFET (半导体元件)的基底区域、源极区域、栅极绝缘膜、栅电极、及源电极等图案。之后，在最上层形成保护膜。保护膜例如为聚酰亚胺等树脂膜、氮化硅膜或氧化硅膜等无机绝缘膜。较理想为硅衬底30露出于设置在正面侧的切割区域的表面。
[0041]接下来，将支撑衬底32贴合在硅衬底30的正面侧(图2A)。支撑衬底32例如为石英玻璃。
[0042]接下来，通过研削去除硅衬底30的背面侧，而使硅衬底30薄膜化。之后，在硅衬底30的背面侧形成金属膜34 (图2B)。
[0043]金属膜34为MOSFET的漏电极。金属膜34例如为异质金属的积层膜。金属膜34例如为从硅衬底30的背面侧起为铝/钛/镍/金的积层膜。金属膜34例如是通过溅镀法而形成。
[0044]接下来，将树脂片36贴附在硅衬底30的背面侧。树脂片36是所谓的切割片。树脂片36例如固定在金属框架38。树脂片36粘接在金属膜34的表面。之后，将支撑衬底32从硅衬底30剥离(图2C)。
[0045]接下来，沿着设置在硅衬底30的正面侧的切割区域，以背面侧的金属膜34从正面侧露出的方式在硅衬底30形成槽40 (图2D)。此处，所谓切割区域是指用以通过切割将半导体芯片分割的具备特定宽度的预定区域，且设置在硅衬底30的正面侧。在切割区域未形成半导体元件的图案。切割区域例如以格子状设置在硅衬底30的正面侧。
[0046]槽40例如是通过等离子体蚀刻而形成。等离子体蚀刻例如是重复进行使用F系自由基的各向同性蚀刻步骤、使用CF4€自由基的保护膜形成步骤、使用F系离子的各向异性蚀刻的所谓的博世工艺(Bosch process)。
[0047]槽40较理想为以硅衬底30的正面侧的保护膜为掩膜，并通过整面蚀刻而形成。根据该方法，由于未使用光刻法，因此能够简化制造步骤及降低成本。
[0048]接下来，将树脂片42贴附在硅衬底30的正面侧。树脂片42是所谓的切割片。树脂片42例如固定在金属框架44。树脂片42粘接在正面侧的保护膜或金属电极的表面。之后，将背面侧的树脂片36剥离(图2E)。
[0049]接下来，使用图1A、IB的半导体制造装置，从硅衬底30的背面侧向金属膜34吹送二氧化碳粒子(图2F)。首先，以树脂片42到达载置台10 (图1A、1B)的表面的方式将框架44载置在载置台10上。接下来，通过旋转驱动机构14使载置台10旋转。
[0050]从第2喷嘴26向试样W的旋转中心供给水。通过将水供给至旋转的试样W的旋转中心，而在试样W的整个表面形成水的覆膜。接下来，一边通过移动机构18使第I喷嘴16在与载置台10的旋转轴垂直的方向上直线往返运动，一边从第I喷嘴16喷射二氧化碳粒子。
[0051]通过吹送二氧化碳粒子，来去除槽40的背面侧的金属膜34。此时，通过包含从第I喷嘴16喷射的二氧化碳粒子的气体的势头而在试样W表面的水的覆膜形成间隙，从而能够去除金属膜34。就稳定地形成间隙的观点来说，第I喷嘴16喷射二氧化碳粒子的方向较理想为相对于载置台10的表面大致垂直。
[0052]通过去除金属膜34，而将硅衬底30分离成多个M0SFET。金属膜34是通过被二氧化碳粒子刮落至槽40内而被去除(图2G)。
[0053]二氧化碳粒子为固体状态的二氧化碳。二氧化碳粒子是所谓的干冰。二氧化碳粒子的形状例如为颗粒状、粉末状、球状或不固定形状。
[0054]二氧化碳粒子与氮气或压缩空气一并从喷嘴喷射，并被吹送至金属膜34。二氧化碳粒子的平均粒径较理想为10 μ m以上且200 μ m以下。而且，二氧化碳粒子被吹送至金属膜34时的金属膜34表面上的点径例如较理想为Φ 3mm以上且Φ 1mm以下。
[0055]在吹送二氧化碳粒子来去除金属膜34时，较理想为如图2F所示，利用掩膜46覆盖树脂片42的区域。通过利用掩膜46覆盖树脂片42的区域，能够抑制例如树脂片42因二氧化碳粒子的冲击而从框架44剥落。掩膜46例如为金属。
[0056]之后，通过将硅衬底30的正面侧的树脂片42剥离，而获得经分割的多个M0SFET。
[0057]以下，对本实施方式的处理装置的作用及效果进行说明。
[0058]在像纵型MOSFET那样也在硅衬底30的背面侧形成金属膜34的情况下，必须在切割时将切割区域的背面侧的金属膜34也去除。例如，在利用刀片切割将半导体衬底30与金属膜34从正面侧同时去除的情况下，切割区域的槽40端部的金属膜34向背面侧卷起而产生所谓的毛边。
[0059]如果产生金属膜34的毛边，那么例如会有半导体芯片变成外观检查不良而无法制成产品的顾虑。而且，例如在利用焊料等接合材料将半导体芯片与底座接合时，因毛边的部分而导致密接性变差，因此有产生接合不良的顾虑。
[0060]在使用本实施方式的半导体制造装置的切割中，在沿着硅衬底30的切割区域形成槽40后，从背面侧向金属膜34吹送二氧化碳粒子，来去除跨及槽部40内的部分的金属膜34。由于被去除的金属膜34被刮落至槽部40，因此能够抑制毛边的产生。而且，能够自对准地仅去除槽部40的金属膜34。
[0061]认为主要是由二氧化碳粒子的物理冲击而去除跨及槽部40的部分的金属膜34。此外，认为通过利用低温的二氧化碳粒子使金属膜34骤冷、及施加能让已碰撞到金属膜34的二氧化碳气化膨胀的力，会促进利用物理冲击去除金属膜34的效果。
[0062]进而，在本实施方式的半导体制造装置中，对旋转的载置台10上的试样喷射二氧化碳粒子。因此，与对被固定的载置台上的试样喷射二氧化碳粒子的情况相比，能够对试样表面均匀地喷射二氧化碳粒子。因此，能够均匀性良好地去除金属膜34。
[0063]而且，由于对旋转的试样喷射二氧化碳粒子，因此将二氧化碳粒子的碰撞速度加上试样的速度。因此，二氧化碳粒子碰撞金属膜34时的速度增大。因此，能够高效率地去除金属膜34。
[0064]图3是本实施方式的作用的说明图。图3是试样W的已被喷射了二氧化碳粒子的区域的放大示意图。
[0065]通过从第2喷嘴26将水供给至试样W的旋转中心，而在试样W的整个表面形成水的覆膜60。通过包含从第I喷嘴16喷射的二氧化碳粒子的气体的势头，而在试样W表面的水的覆膜60形成间隙62。
[0066]在间隙62中，试样W表面的金属膜露出，而二氧化碳粒子碰撞金属膜，由此去除金属膜。此时，有微粒64从试样W表面飞散的顾虑。微粒64例如为已被去除的金属膜的碎片。而且，微粒64例如为附着在金属膜表面的异物。
[0067]有分散的微粒64掉落并附着在试样W表面或进入切割的槽内而成为残渣的顾虑。如果是这样，那么例如在利用焊料等接合材料将半导体芯片与底座接合时，有在存在微粒64的部分产生空隙等而产生接合不良的顾虑。
[0068]根据本实施方式，分散的微粒64会附着在试样W表面的水的覆膜60上。因此，微粒64与因试样W的旋转而向载置台10外周流动的水一并被去除。因此，能够防止微粒64直接附着在试样W的表面。因此，能够抑制产生接合不良。
[0069]以上，根据本实施方式的处理装置，能够抑制切割时的金属膜的形状异常。而且，能够均匀且高效率地进行切割时的金属膜的去除。进而，防止微粒的附着，从而能够抑制产生接合不良。
[0070]此外，在制造在硅衬底30的背面侧除具备金属膜以外还具备树脂膜的半导体器件的情况下，也可以使用本实施方式的半导体制造装置。在此情况下，通过吹送二氧化碳粒子，不仅去除金属膜，也去除树脂膜。
[0071](第2实施方式)
[0072]本实施方式的处理装置还具备:整流板，包围载置台；以及吸引机构，在载置台与整流板之间产生气流；除此以外，与第I实施方式相同。因此，对于与第I实施方式重复的内容，省略记述。
[0073]图4是本实施方式的处理装置的示意图。图4是包含装置的截面构造的示意图。
[0074]本实施方式的半导体制造装置具备进气口 48、排气口 50、整流板52、及吸引栗54。
[0075]进气口 48与排气口 50设置在壳体22。进气口 48例如设置在壳体22的上部，排气口 50例如设置在壳体22的下部。
[0076]吸引栗54连接在排气口 50。吸引栗54例如为真空栗。排气口 50与吸引栗54为吸引机构的一例。
[0077]整流板52包围载置台10而设置。整流板52例如以上端覆盖载置台10的上表面的方式设置。整流板52例如由金属或树脂形成。
[0078]空气或氮气等气体从进气口 48被供给至壳体22内，并利用进气栗54进行吸引而自排气口 50被排出。气体在壳体22内从上部向下部流动。能够在壳体22内形成所谓的降流(down flow) ο
[0079]进而，如图4中的虚线箭头所示，在载置台10与整流板52之间形成从壳体22的上部向下部流动的气流。因此，能够有效地将在去除试样W表面的金属膜时飞散的微粒或包含微粒的薄雾从试样W上表面的空间排除。由此，能够进一步抑制微粒附着在试样W表面。
[0080]根据本实施方式，在利用二氧化碳粒子去除金属膜时产生的微粒或包含微粒的薄雾因壳体22内的气体的流动而自排气口 50排出。因此，能够抑制已被去除的金属膜附着在试样W。由此，能够进一步抑制产生接合不良。
[0081](第3实施方式)
[0082]本实施方式的处理装置还具备对试样喷射气体的第3喷嘴，除此以外，与第I实施方式相同。因此，对于与第I实施方式重复的内容，省略记述。
[0083]图5A、5B是本实施方式的处理装置的示意图。图5A是包含装置的截面构造的示意图，图5B是第I及第3喷嘴的示意剖视图。
[0084]本实施方式的半导体制造装置具备第3喷嘴28。第3喷嘴28对试样W的表面喷射气体。气体例如为空气或氮气。
[0085]第3喷嘴28例如设置在第I喷嘴16的外周。通过设置第3喷嘴28来对试样W的表面喷射气体，而能够促进在试样W表面的水的覆膜形成间隙。
[0086](变化例)
[0087]图6是本实施方式的半导体制造装置的变化例的示意图。图6是本变化例的载置台部分的俯视图。第3喷嘴28在与第I喷嘴16分离地设置的方面与实施方式不同。
[0088]第3喷嘴28较理想为相对于第I喷嘴16设置在与载置台10的旋转方向为反方向的位置。在本变化例中，也能够促进在试样W的表面的水的覆膜形成间隙。
[0089](第4实施方式)
[0090]本实施方式的处理装置还具备对试样供给液体的第4喷嘴，除此以外，与第I实施方式相同。因此，对于与第I实施方式重复的内容，省略记述。
[0091]图7是本实施方式的半导体制造装置的示意图。图7是本实施方式的载置台部分的俯视图。
[0092]本实施方式的处理装置除具备将液体供给至试样W的旋转中心的第2喷嘴26以夕卜，还具备对试样W供给液体的第4喷嘴29。液体例如为水。
[0093]通过从第4喷嘴29将水供给至试样W的表面，能够缩短在利用二氧化碳粒子去除金属膜后且试样W的表面的水的覆膜所产生的间隙闭合之前的时间。因此，能够抑制微粒附着在于间隙的部分露出的试样W表面。
[0094]就缩短间隙闭合之前的时间的观点来说，第4喷嘴29较理想为相对于第I喷嘴16设置在载置台10的旋转方向的位置。
[0095](第5实施方式)
[0096]本实施方式的处理装置还具备使第I喷嘴相对于载置台的表面的倾斜角变化的倾斜机构，除此以外，与第I实施方式相同。因此，对于与第I实施方式重复的内容，省略记述。
[0097]图8A、8B是本实施方式的处理装置的示意图。图8A是包含装置的截面构造的示意图，图8B是包含与图8A垂直的方向的截面构造的示意图。
[0098]本实施方式的半导体制造装置具备倾斜机构24。倾斜机构24使第I喷嘴16相对于载置台10的表面的倾斜角变化。倾斜机构24的倾斜角例如由控制部20控制。
[0099]倾斜机构24例如为组合旋转轴与步进电动机而成的旋转倾斜机构。第I喷嘴16的倾斜角较理想为被向二氧化碳粒子对旋转的试样W表面的碰撞速度相比于倾斜角为90度的情况增大的方向控制。具体来说，较理想为以喷出的二氧化碳粒子在试样W表面上的方向成为试样W表面的旋转移动的方向的反方向的方式设定第I喷嘴16的倾斜角。
[0100]在使用本实施方式的半导体制造装置的制造方法中，在使第I喷嘴16相对于载置台10的表面的倾斜角小于90度的状态下、例如15度以上且45度以下的状态下对试样W吹送二氧化碳粒子。
[0101]根据本实施方式，二氧化碳粒子的喷射相对于试样W表面具有水平方向成分。因此，已被二氧化碳粒子去除的金属膜或树脂膜不易进入切割的槽内。因此，能够抑制被去除的金属膜或树脂膜成为槽内的残渣。而且，由于能够增大二氧化碳粒子对试样W的碰撞速度，因此能更高效率地去除金属膜34。而且，能够将倾斜角设定为所需的值，从而能设定适于试样W的最佳的处理条件。
[0102]此外，也可以构成为第I喷嘴16以相对于载置台10的表面具有小于90度的倾斜角的方式被固定。通过该构成，也能够抑制已被二氧化碳粒子去除的金属膜或树脂膜进入切割的槽内而成为残渣。而且，由于能够增大二氧化碳粒子对试样W的碰撞速度，因此能更高效率地去除金属膜。
[0103](第6实施方式)
[0104]本实施方式的处理装置还具备使载置台与第2喷嘴在与载置台的旋转轴垂直的方向上相对移动的移动机构，除此以外，与第I实施方式相同。因此，对于与第I实施方式重复的内容，省略记述。
[0105]图9A、9B是本实施方式的处理装置的示意图。图9A是包含装置的截面构造的示意图，图9B是载置台部分的俯视图。
[0106]本实施方式的半导体制造装置具备移动机构(第2移动机构)62。
[0107]移动机构62只要为能够使第2喷嘴26相对于载置台10直线性地往返移动的机构，那么并无特别限定。例如使用将皮带、皮带轮、及使皮带轮旋转的电动机组合而成的皮带驱动梭式机构。而且，例如使用齿条小齿轮机构与电动机的组合。而且，例如使用线性电动机。
[0108]移动机构62例如由控制部20控制。控制部20例如将第2喷嘴26相对于载置台10的扫描范围、第2喷嘴26相对于载置台10的相对速度等控制为所需的值。
[0109]通过使第2喷嘴26移动，能够在试样W的表面均匀地形成水的覆膜。
[0110](第7实施方式)
[0111]本实施方式的处理装置具备多个第I喷嘴，除此以外，与第I实施方式相同。因此，对于与第I实施方式重复的内容，省略记述。
[0112]图10是本实施方式的处理装置的示意图。图10是包含装置的截面构造的示意图。
[0113]如图10所示，本实施方式的半导体制造装置具备3个第I喷嘴16。第I喷嘴16只要为2个以上，那么并不限定于3个。
[0114]根据本实施方式，通过具备多个第I喷嘴16，能够提高处理的生产性。
[0115](第8实施方式)
[0116]本实施方式的处理装置中，自第I喷嘴的物质的喷射方向往朝向载置台的外周部的方向倾斜，除此以外，与第I实施方式相同。因此，对于与第I实施方式重复的内容，省略记述。
[0117]图11是本实施方式的处理装置的示意图。图11是包含装置的截面构造的示意图。
[0118]如图11所示，本实施方式的半导体制造装置中，第I喷嘴16喷射物质的方向往朝向载置台10的外周部的方向倾斜。
[0119]根据本实施方式，能够有效地将从试样W表面飞散的微粒或包含微粒的薄雾从试样W上表面的空间排除。由此，能够进一步抑制微粒附着于试样W表面。
[0120]以上，在第I至第8实施方式中，以半导体元件为纵型MOSFET的情况为例进行了说明，但半导体元件并不限定于纵型M0SFET。
[0121]而且，在第I至第8实施方式中，以切割时去除金属膜或树脂膜为例进行了说明，但也可以将实施方式的处理装置应用在例如清洗半导体衬底表面。
[0122]而且，在第I至第8实施方式中，以喷射的物质为包含二氧化碳的粒子的情况为例进行了说明，但喷射的物质例如也可以为经加压的水、包含研磨粒的经加压的水、二氧化碳粒子以外的粒子等其它物质。例如，也可以应用当从喷嘴喷射时为固体，在常温等的放置着衬底的环境中会气化的其它粒子。例如，也可以应用氮粒子或氩粒子。
[0123]而且，第I至第8实施方式中，以半导体制造装置为例进行了说明，但也可以将本发明应用在MEMS (Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)制造装置。
[0124]而且，第I至第8实施方式中，以通过使喷嘴对试样的部分区域喷射物质，并使载置台与喷嘴相对移动而对试样的整个区域进行处理的情况为例进行了说明。但是，例如也可以构成为能够从喷嘴对试样的整个区域同时地喷射物质，而一次性地对试样的整个区域进行处理。例如，能够构成如下喷嘴:通过使喷嘴直径大于试样的尺寸或组合多个喷嘴，而一次性地对试样整个区域进行处理。
[0125]对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例而提出，并不意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能以其它各种方式实施，且能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、替换、变更。这些实施方式或其变化包含在发明的范围或主旨中，并且包含在权利要求所记载的发明与其均等的范围内。
【主权项】
1.一种处理装置，其特征在于具备: 载置台，能够供试样载置； 旋转机构，使所述载置台旋转； 第I喷嘴，对所述试样喷射物质；以及 第2喷嘴，对所述试样的旋转中心供给液体。2.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于进而具备: 移动机构，使所述载置台与所述第I喷嘴在与所述载置台的旋转轴垂直的方向上相对移动；以及 控制部，控制所述移动机构。3.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于进而具备: 整流板，包围所述载置台；以及 吸引机构，在所述载置台与所述整流板之间产生气流。4.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于:所述物质为含有二氧化碳的粒子。5.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于进而具备:第3喷嘴，对所述试样喷射气体。6.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于:所述第I喷嘴的所述物质的喷射方向相对于所述载置台的表面为大致垂直。7.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于:所述液体为水。8.根据权利要求4所述的处理装置，其特征在于:所述粒子的平均粒径为10μ m以上且200 μπι以下。9.根据权利要求5所述的处理装置，其特征在于:所述第3喷嘴设置在所述第I喷嘴的外周。10.根据权利要求5所述的处理装置，其特征在于:所述第3喷嘴与所述第I喷嘴分离地设置。11.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于进而具备:第4喷嘴，所述第4喷嘴相对于所述第I喷嘴设置在所述载置台的旋转方向的位置，并对所述试样供给液体。12.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于进而具备:倾斜机构，使所述第I喷嘴的相对于所述载置台的表面的倾斜角变化。13.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于进而具备:移动机构，使所述载置台与所述第2喷嘴在与所述载置台的旋转轴垂直的方向上相对移动。14.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于:自所述第I喷嘴的所述物质的喷射方向往朝向所述载置台的外周部的方向倾斜。
【文档编号】H01L21/67GK106057703SQ201510555732
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2015年9月2日
【发明人】鹰野正宗
【申请人】株式会社东芝