石墨舟u型槽工艺点的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及太阳能电池制造行业，尤其是一种镀膜用的石墨舟卡点及其生产工艺。
【背景技术】
[0002]在太阳能电池片的制造过程中，硅片进行其表面镀膜工序时，需要将未镀膜的硅片插入PECVD真空镀膜设备的载片器上，目前，载片器通常采用石墨舟，具体操作过程是:将硅片插入石墨舟并通过石墨舟卡点定位于其上，然后，将载有硅片的石墨舟放置在PECVD真空镀膜设备中，采用PECVD工艺对硅片进行镀膜。
[0003]如图1所示，现有的石墨舟卡点主要由卡块和用于安装在石墨舟片安装孔中的柱体形安装部组成，卡块为两个且对称分布在安装部两端面上，卡块是自外向内渐缩的圆柱体，其端面与侧面之间采用圆弧过渡面，卡块的根部与安装部的端面之间分别形成用于卡合硅片的卡槽。现有的石墨舟在使用到30run(次)时，会出现边缘发白现象，且到后期愈发严重，且在做MUL和NY工艺时，卡点会烧焦，尤其是做MUL工艺时，卡点烧焦加重，烧焦比例一度超过30%。
【实用新型内容】
[0004]针对上述现有技术存在的问题，本实用新型的目的是提供一种石墨舟U型槽工艺点，该石墨舟卡点可有效敢删石墨舟边缘发白及卡点烧焦的现象。为实现该目的，本实用新型采用如下技术方案:
[0005]—种石墨舟U型槽工艺点，包括卡块和用于安装在石墨舟片安装孔中的安装部组成，卡块为两个且对称分布在安装部的两端面上，卡块的端面与侧面之间设有过渡面，所述卡块由端部、过渡部、根部组成，卡块的根部及过渡部与安装部的端面之间分别形成硅片的卡槽，所述卡槽为开口大，底部小的“U”型槽。
[0006]进一步地，所述安装部的直径为9mm，卡块的直径为6.5mm，卡槽的直径为5.2mm。
[0007]进一步地，所述卡槽的底部的宽度为0.35mm。
[0008]进一步地，所述安装部为圆柱体，所述安装部的端面与侧面之间设有斜面过渡。
[0009]相比较现有技术，本实用新型具有的有益效果:(1)增加了卡槽深度，卡槽的深度是原始卡槽深度的将近1.7倍，以直径为9_的石墨舟卡点为例，原始卡槽深度为0.75mm,本实用新型的卡槽深度为1.25_，使卡点与硅片接触面积增加了；(2)卡槽由原来的“V”型变为现在的“U”型，使硅片与舟页贴合更紧密，降低了 SiNx或Si02沉积的几率。
【附图说明】
[0010]图1为现有技术石墨舟卡点结构不意图；
[0011]图2为本实用新型石墨舟卡点结构不意图；
[0012]图中，1-卡块，2-安装部，3-过渡面，4-卡槽。
【具体实施方式】
[0013]下面结合实施例以及附图对本实用新型作进一步描述。
[0014]实施例1
[0015]如图2所示，一种石墨舟U型槽工艺点，包括卡块1和用于安装在石墨舟片安装孔中的圆柱形的安装部2组成，卡块1为两个且对称分布在安装部2的两端面上，卡块1的端面与侧面之间设有过渡面3，所述卡块1由端部11、过渡部12、根部13组成，卡块1的根部13及过渡部12与安装部2的端面之间分别形成用于硅片的卡槽4，所述卡槽为开口大，底部小的“U”型槽。
[0016]所述石墨舟卡点的圆柱形的安装部2的直径为9mm，圆柱形的卡块1的直径为6.5mm，卡槽4的直径为5.2mm，所述卡槽4的底部的宽度为0.35mm。
[0017]最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型而并非限制本实用新型所描述的技术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本实用新型已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本实用新型进行修改或等同替换；而一切不脱离本实用新型的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围中。
【主权项】
1.一种石墨舟U型槽工艺点，包括卡块(1)和用于安装在石墨舟片安装孔中的安装部(2)组成，卡块(1)为两个且对称分布在安装部(2)的两端面上，卡块(1)的端面与侧面之间设有过渡面(3)，其特征在于:所述卡块(1)由端部(11)、过渡部(12)、根部(13)组成，卡块(1)的根部(13)及过渡部(12)与安装部(2)的端面之间分别形成硅片的卡槽(4)，所述卡槽⑷为开口大，底部小的“U”型槽。2.根据权利要求1所述的石墨舟U型槽工艺点，其特征在于:所述安装部(2)的直径为9mm，卡块(1)的直径为6.5mm，卡槽⑷的直径为5.2mm。3.根据权利要求2所述的石墨舟U型槽工艺点，其特征在于:所述卡槽(4)的底部的宽度为0.35mm。4.根据权利要求1至3任一权利要求所述的石墨舟U型槽工艺点，其特征在于:所述安装部(2)为圆柱体，所述安装部(2)的端面与侧面之间设有斜面过渡。
【专利摘要】本实用新型涉及太阳能电池制造行业，尤其是一种镀膜用的石墨舟卡点。一种石墨舟U型槽工艺点，包括卡块和用于安装在石墨舟片安装孔中的安装部组成，卡块为两个且对称分布在安装部的两端面上，卡块的端面与侧面之间设有过渡面，卡块的根部与安装部的端面之间分别形成硅片的卡槽，所述卡槽的侧面与柱形安装部的端面及卡块的端面之间的夹角为直角，卡槽的横截面为U形。相比较现有技术，本实用新型增加了卡槽深度，使卡点与硅片接触面积比原始卡点增加41.2％；卡槽由原来的“V”型变为现在的“U”型，使硅片与舟页贴合更紧密，降低了SiNx或SiO2沉积的几率。
【IPC分类】H01L21/673, H01L31/18
【公开号】CN205039136
【申请号】CN201520703734
【发明人】朱建中
【申请人】镇江鹏飞光伏技术有限公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年9月11日