一种基于芯片级封装的led的制作方法

文档序号:10423074阅读:303来源:国知局
一种基于芯片级封装的led的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种LED光学领域,具体涉及一种基于芯片级封装的LED。
【背景技术】
[0002]随着上游芯片产能不断扩产,封装行业已经步入微利时代,许多企业为了抢夺客户大打价格牌,激烈的价格竞争和无序的业内生态链促使行业开始需求新的封装工艺,而具有提升发光效率以及提高散热能力等优势的倒装LED芯片技术的革新与应用正是当今封装企业专注研发的重点。倒装芯片是一种很久以前就有的芯片结构,与垂直结构、水平结构并列,其特点是有源层朝下,而透明蓝宝石层位于有源层上方,具有高光效,低成本,易配光等诸多优势。

【发明内容】

[0003]本发明所要解决的技术问题是芯片级封装方式LED应用在背光源领域以及照明成本高、不易二次配光、光效较低的现状问题。
[0004]为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:一种基于晶片级的倒装封装方式,出光面为单面出光,
[0005]汇聚原向四周发散光,对非要求发光面采取反光材料涂覆形成单面发光
[0006]—种基于芯片级封装的LED,包括LED芯片,所述LED芯片顶部设有荧光胶层,所述LED芯片侧面设有反光涂布层,所述LED芯片底部设有电极。
[0007]所述LED外形为圆形或方形或菱形。
[0008]所述圆形尺寸为0.2-8mm,所述方形(正方形/长方形)尺寸为0.2_8mm,所述菱形尺寸为0.2_8mm。
[0009]本发明提供一种基于芯片级封装的LED,具有以下有益效果:
[00?0] 1、无载体方式封装降低物料成本;
[0011]2、汇聚原四周发散光使其单面出光增加光效;
[0012]3、光线集中,无杂光,利于LED 二次光学的配光;
[0013]4、可满足大电流,亮度高,温度低,性能稳定;
[0014]5、发光角度可依据应用端需求进行调整。
【附图说明】
[0015]图1:本发明为方形结构示意图;
[0016]图2:为本发明为圆形结构不意图;
[0017]图3:本发明出光示意图;
[0018]其中:LED芯片I,荧光胶层2,反光涂布层3,电极4。
【具体实施方式】
[0019]下面结合实施例来进一步说明本实用新型,但本实用新型要求保护的范围并不局限于实施例表述的范围。
[0020]实施例1
[0021]—种基于芯片级封装的LED,包括LED芯片I,所述LED芯片顶部设有荧光胶层2,所述LED芯片I侧面设有反光涂布层3,所述LED芯片底部设有电极4。
[0022]所述LED外形为圆形或方形或菱形。
[0023]所述圆形尺寸为0.2-8_,所述方形尺寸为0.2-8_,所述菱形尺寸为0.2-8_。
[0024]制作所述基于芯片级封装的LED的方法包括以下步骤:
[0025]I)将芯片移动到玻璃载体上使用环氧树脂以及硅胶混合后的荧光粉涂布在芯片上;
[0026]2)将非出光面使用特殊材料进行涂布,使光线形成内反射;
[0027]3)使用超高精度切割设备对产品外形结构进行切割成型(圆形、方形(正方形/长方形)、菱形等);此阶段根据应用端需求确认出具体形状,并定义尺寸和发光角度。
[0028]上述的实施例仅为本发明的优选技术方案,而不应视为对于本发明的限制,本申请中的实施例及实施例中的特征在不冲突的情况下,可以相互任意组合。本发明的保护范围应以权利要求记载的技术方案,包括权利要求记载的技术方案中技术特征的等同替换方案为保护范围。即在此范围内的等同替换改进,也在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种基于芯片级封装的LED,包括LED芯片(I),其特征在于:所述LED芯片顶部设有荧光胶层(2),所述LED芯片(I)侧面设有反光涂布层(3),所述LED芯片底部设有电极(4),所述LED外形为圆形或方形或菱形,所述圆形尺寸为0.2-8mm,所述方形尺寸为0.2_8mm,所述菱形尺寸为0.2_8mm。
【专利摘要】本实用新型涉及一种LED光学领域,具体涉及一种基于芯片级封装的LED。一种基于芯片级封装的LED,包括LED芯片,所述LED芯片顶部设有荧光胶层,所述LED芯片侧面设有反光涂布层,所述LED芯片底部设有电极,所述LED外形为圆形或方形或菱形,所述圆形尺寸为0.2-8mm,所述方形尺寸为0.2-8mm,所述菱形尺寸为0.2-8mm。本实用新型提供的基于芯片级封装的LED无载体方式封装降低物料成本;汇聚原四周发散光使其单面出光增加光效;发光角度可依据应用端需求进行调整。
【IPC分类】H01L33/60, H01L33/58, H01L33/48
【公开号】CN205335286
【申请号】CN201521121486
【发明人】丁仁雄, 敬鑫清, 杨涛, 朱其
【申请人】宜昌惠科科技有限公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2015年12月31日
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