一种石英舟结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及硅片扩散载具技术领域，公开了一种石英舟结构，包括左支撑板、右支撑板，左支撑板与右支撑板相互平行，左支撑板、右支撑板的底部设有支撑脚，左支撑板与右支撑板之间设有两根上限位杆、两根下限位杆，左支撑板与右支撑板的下端之间设有两根支撑杆，上限位杆、下限位杆水平分布，上限位杆、下限位杆的截面呈正方形，上限位杆、下限位杆的底面与水平面呈45°夹角，上限位杆、下限位杆的内侧棱边处设有若干硅片限位槽。本实用新型具有在保证硅片定位稳定的条件下有效减小硅片与硅片限位槽的接触面，从而提高硅片扩散品质的有益效果。
【专利说明】
_种石英舟结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及硅片扩散载具技术领域，尤其涉及一种石英舟结构。
【背景技术】
[0002]近几年，我国太阳能光伏产业以倍增速度快速发展，一举成为全球最大的太阳能电池生产国。随着市场竞争的越演越烈，不断提高产品的竞争力已成为市场所趋，只有提高产品的质量，才能提高企业的竞争力。晶体硅太阳能电池制作工艺包括制绒、扩散、刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极等步骤，扩散步骤一般采用石英舟作为承载工具。随着光伏产能的不断扩产，为了提高硅片的扩散处理效率，石英舟上的硅片排列密度越来越高，由于硅片之间的间距减短，必然导致片内的均匀性变差，且由于硅片是依靠石英舟上的卡槽固定在石英舟上的，而现有的卡槽一般呈矩形，因此硅片的部分会与支撑柱、限位柱形成面接触。在扩散和氧化过程中，面接触的部分周围气体氛围与无接触面的气体氛围不同，从而造成此区域硅片掺杂浓度、表面磷硅玻璃层厚度和氧化层出现不同，最终导致整个批次的硅片品质下降。
[0003]中国专利授权公告号:CN202712236U，授权公告日2013年I月30日，公开了一种扩散用石英舟，包括侧面连接件和支架，支架包括一对上支架和一对下支架;上支架对称固定于侧面连接件上端内侧壁，下支架对称固定于侧面连接件底部内侧壁，且上支架所在平面与下支架所在平面相互平行，上支架之间的距离比下支架之间的距离宽;上支架内侧表面、下支架上侧表面设置有间隔大小不同的凹槽。其不足之处是凹槽与硅片接触面较大，导致面接触的部分周围气体氛围与无接触面的气体氛围不同，从而导致硅片品质下降。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型为了克服现有技术中硅片扩散时，石英舟上的凹槽与硅片的接触面积大而导致硅片品质降低的不足，提供了一种在保证硅片定位稳定的条件下有效减小硅片与硅片限位槽的接触面，从而提高硅片扩散品质的石英舟结构。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案:
[0006]—种石英舟结构，包括左支撑板、右支撑板，所述左支撑板与右支撑板相互平行，所述左支撑板、右支撑板的底部设有支撑脚，所述左支撑板与右支撑板之间设有两根上限位杆、两根下限位杆，左支撑板与右支撑板的下端之间设有两根支撑杆，上限位杆、下限位杆水平分布，上限位杆、下限位杆的截面呈正方形，所述上限位杆、下限位杆的底面与水平面呈45°夹角，所述上限位杆、下限位杆的内侧棱边处设有若干硅片限位槽。将硅片限位槽设置在上限位杆、下限位杆的棱边处，硅片卡入硅片限位槽内，硅片限位槽在同等深度的情况下，设置在棱边处的硅片限位槽与硅片的接触面比设置在平面上或者弧面上的小，从而能减小娃片与娃片限位槽的接触面，提尚娃片的品质。
[0007]作为优选，所述支撑杆的截面呈圆形，支撑杆的上侧面设有水平支撑面。水平支撑面用于支撑硅片下端。
[0008]作为优选，所述上限位杆、下限位杆的每条棱边处均设有圆倒角。圆倒角进一步减小了硅片与硅片限位槽的接触面积，同时能防止上限位杆、下限位杆棱边处应力集中，提高硅片限位槽的强度。
[0009]作为优选，所述硅片限位槽的截面呈倒梯形结构。倒梯形结构的硅片限位槽便于硅片卡入，硅片卡入后，硅片不会与硅片限位槽的侧面接触，从而实现硅片与硅片限位槽之间线接触，进一步减小两者之间的接触面积。
[0010]作为优选，所述硅片限位槽的底部宽度为1.1mm-1.3_，所述硅片限位槽的深度为1.8mm-2.2mm，所述娃片限位槽的两侧壁的夹角为30°-40°。
[0011 ] 作为优选，相邻硅片限位槽的间距为2.3mm-2.4mm。
[0012]作为优选，所述左支撑板、右支撑板的底部之间还设有两根承重杆。承重杆用于加强整体强度。
[0013]因此，本实用新型具有在保证硅片定位稳定的条件下有效减小硅片与硅片限位槽的接触面，从而提高硅片扩散品质的有益效果。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型的一种示意图。
[0015]图2为图1中A-A处剖视图。
[0016]图3为图1中B处局部放大示意图。
[0017]图4为图3的俯视图。
[0018]图5为图1中C处局部放大示意图。
[0019]图中:左支撑板1、右支撑板2、支撑脚3、上限位杆4、下限位杆5、支撑杆6、承重杆7、硅片限位槽8、硅片9、水平支撑面60。
【具体实施方式】
[0020]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步描述:
[0021]如图1和图2所示的一种石英舟结构，包括左支撑板1、右支撑板2，左支撑板与右支撑板相互平行，左支撑板1、右支撑板2的底部设有支撑脚3，左支撑板I与右支撑板2之间设有两根上限位杆4、两根下限位杆5，上限位杆4、下限位杆5分别位于左支撑板I与右支撑板2的两侧，左支撑板与右支撑板的下端之间设有两根支撑杆6、两根承重杆7，上限位杆、下限位杆水平分布，上限位杆、下限位杆的截面呈正方形，上限位杆、下限位杆的底面与水平面呈45°夹角，上限位杆、下限位杆的内侧棱边处设有若干硅片限位槽8，上限位杆、下限位杆的每条棱边处均设有圆倒角；
[0022]如图3和图4所示，硅片限位槽的截面呈倒梯形结构，相邻硅片限位槽的间距为
2.3mm_2.4mm，娃片限位槽的底部宽度为I.lmm-1.3mm，娃片限位槽的深度为I.8mm-2.2mm,所述硅片限位槽的两侧壁的夹角为30°-40°;如图5所示，支撑杆6的截面呈圆形，支撑杆的上侧面设有水平支撑面60。
[0023]硅片9卡入硅片限位槽内，如图2所述的虚线框为硅片，硅片两侧上端受到上限位杆上的硅片限位槽限位，硅片两侧下端受到下限位杆上的硅片限位槽限位，硅片底部受到支撑杆上水平支撑面的支撑;硅片限位槽在同等深度的情况下，设置在棱边处的硅片限位槽与硅片的接触面比设置在平面上或者弧面上的小，本实施例中，硅片仅是棱边受到硅片限位槽底面两侧的限位，实现线接触，极大的减小硅片与硅片限位槽的接触面，提高硅片的品质。
【主权项】
1.一种石英舟结构，包括左支撑板、右支撑板，所述左支撑板与右支撑板相互平行，所述左支撑板、右支撑板的底部设有支撑脚，其特征是，所述左支撑板与右支撑板之间设有两根上限位杆、两根下限位杆，左支撑板与右支撑板的下端之间设有两根支撑杆，上限位杆、下限位杆水平分布，上限位杆、下限位杆的截面呈正方形，所述上限位杆、下限位杆的底面与水平面呈45°夹角，所述上限位杆、下限位杆的内侧棱边处设有若干硅片限位槽。2.根据权利要求1所述的一种石英舟结构，其特征是，所述支撑杆的截面呈圆形，支撑杆的上侧面设有水平支撑面。3.根据权利要求1所述的一种石英舟结构，其特征是，所述上限位杆、下限位杆的每条棱边处均设有圆倒角。4.根据权利要求1或2或3所述的一种石英舟结构，其特征是，所述硅片限位槽的截面呈倒梯形结构。5.根据权利要求4所述的一种石英舟结构，其特征是，所述硅片限位槽的底部宽度为1.1mm-1.3mm，所述娃片限位槽的深度为I.8mm_2.2mm，所述娃片限位槽的两侧壁的夹角为30。-40。ο6.根据权利要求1所述的一种石英舟结构，其特征是，相邻硅片限位槽的间距为2.3mm-2.4mm07.根据权利要求1所述的一种石英舟结构，其特征是，所述左支撑板、右支撑板的底部之间还设有两根承重杆。
【文档编号】H01L21/673GK205564795SQ201620315458
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年4月15日
【发明人】胡玉婷, 董方
【申请人】横店集团东磁股份有限公司