一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体，所述的透明导电组合体设置在体硅太阳能电池的正面和/或背面，包括：设置在钝化膜/减反射膜上的透明导电膜，及设置在透明导电膜上的金属电极，钝化膜/减反射膜设置在晶体硅片上；所述的晶体硅片的正面或背面按照规则图案成型有局部重掺杂区，所述的透明导电膜穿透钝化膜/减反射膜与局部重掺杂区直接接触，透明导电膜将局部重掺杂区及金属电极连接成为晶体硅电池电极的透明导电组合体。该透明导电组合体采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面或背面透明电极，局部接触区域为重掺杂，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。
【专利说明】
一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体
技术领域
[0001]本实用新型属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体。
【背景技术】
[0002]自1954年第一块太阳能电池在贝尔实验室诞生以来，晶体硅太阳能电池得到了广泛的应用，转换效率不断提升，生产成本持续下降。目前，晶体硅太阳能电池占太阳能电池全球市场总额的80%以上，晶体硅电池片的产线转换效率目前已突破20%，全球年新增装机容量约50GW且增速明显，与火力发电的度电成本不断缩小，在未来几年有望与之持平。晶体硅太阳能电池作为一种清洁能源在改变能源结构、缓解环境压力等方面的重要作用日益凸显。
[0003]晶体硅太阳能电池要想继续保持竞争力、获得更大的发展与应用，必须进一步提高转换效率，同时降低生产成本。目前晶体硅电池的受光面电极采用银浆丝网印刷的方式形成近百条细栅和若干条主栅，此工序使用的物料成本昂贵，且银电极会造成电池片表面5%?7%的面积形成对光的遮挡，大大降低了电池片的转换效率。
[0004]如何在减少遮光面积与保持良好的导电性之间进行平衡，是近几年晶体硅电池技术研究的一个重点。由于浆料技术与印刷技术的进步，晶体硅电池的受光面电极细栅宽度不断减小，根据SEMI预测，到2020年细栅的宽度将减小至35微米以下，同时主栅采用多主栅及无主栅。在这个栅线细化技术过程中，电极的遮光面积有所下降，导电性有所提升，同时获得了效率的提升与成本的下降。但随着栅线宽度的不断减小，电极制备的工艺难度不断加大，进一步提高效率、降低生产成本的空间缩小。
[0005]透明导电膜同时具有良好的透光性与导电性，是太阳能电池电极的理想材料，有望彻底解决金属电极的光遮挡及成本问题。虽然透明导电膜在薄膜及异质结太阳能电池中的应用已非常成熟，但在市场主流的晶体硅太阳能电池中应用却不多见，其主要原因是与现有工艺的匹配性较差、接触电阻较高等。所以，尽快推动透明导电膜在主流晶体硅太阳能电池中的应用是未来研究的热点之一。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的是提供了一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体，该透明导电组合体采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面或背面透明电极，局部接触区域为重掺杂，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。
[0007]为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0008]—种晶体硅太阳能电池透明导电组合体，所述的透明导电组合体设置在体硅太阳能电池的正面和/或背面，包括:设置在钝化膜/减反射膜上的透明导电膜，及设置在透明导电膜上的金属电极，钝化膜/减反射膜设置在晶体硅片上;所述的晶体硅片的正面或背面设置有按照规则图案布置的局部重掺杂区，所述的局部重掺杂区与对应位置的透明导电膜直接接触，透明导电膜将按照规则图案布置的局部重掺杂区及透明导电膜上的金属电极连接成为晶体硅电池电极的透明导电组合体。
[0009]所述的透明导电膜为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成。透明导电膜的厚度为50?500nm。
[0010]局部重掺杂区采用阵列图案排布，其图案为一维、二维几何图形或一维与二维几何图形的组合;一维几何图形选自:线段、虚线段、弧线或栅线状;二维几何图形选自:圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。
[0011]所述一维几何图形的线宽为30?lOOum，长度为0.05?1.5mm;同一行中相邻两个线形的间距为0.5?2mm，同一列中相邻两个线形的间距为0.5?2mm。
[0012]所述二维几何图形X、Y方向的长度均为30?200um，相邻两个图形中心距为0.8?2mm ο
[0013]所述透明导电膜上的金属电极为银电极、铝电极、镍电极、铜电极、合金电极或金属复合电极;金属电极的排布图案为一组平行线段或多组平行线段的组合，线段的宽度为20?2000um，数量为5?100根，线长为2?156mm，相邻线段之间的距离为0.5?50mm。
[0014]所述的晶体硅片为P型或者N型的单晶硅片、P型或者N型的多晶硅片；局部重掺杂区为N型或P型重掺区，重掺杂的方阻为5?50 Ω/□。
[0015]所述的透明导电组合体形成于P型或N型硅基体的表面，或形成于P型或N型发射极表面。
[0016]减反射膜为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、碳化硅薄膜和氧化钛薄膜中的一种或多种叠层构成，厚度为50?10nm0
[0017]钝化膜为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化铝薄膜和非晶硅薄膜中的一种或多种叠层构成，厚度为5?50nmo
[0018]—种晶体硅太阳能电池透明导电组合体的制备方法，包括以下步骤:
[0019]I)将晶体硅片采用化学药液腐蚀、等离子刻蚀、纳米金属催化或激光刻蚀的方法进行表面织构化处理；
[0020]2)对晶体硅片进行掺杂处理以形成PN结；
[0021]3)在晶体硅片的正面或背面形成局部重掺杂区；形成局部重掺杂区的方法为:
[0022]a)按规则图形采用印刷、喷涂或3D打印的方法将掺杂剂涂敷在硅片正面或背面的减反射膜/钝化膜上，再采用激光对涂敷的掺杂剂进行脉冲加热，使杂质原子穿透减反射膜/钝化膜向硅基体扩散形成局部重掺杂区域;或者，
[0023]b)在经过热扩散的硅片表面按规则图形喷掩膜，再采用湿法刻蚀的方法进行清洗，在喷掩膜的区域形成局部重掺杂；
[0024]4)对于按b)方法形成的局部重掺杂，随后需制备减反射膜/钝化膜，再采用激光或化学腐蚀的方法去除局部重掺杂之上的减反射膜/钝化膜；
[0025]5)在钝化膜/减反射膜表面采用溅射、气相沉积、3D打印、印刷、喷涂工艺制作透明导电膜，透明导电膜的厚度控制在50?500nm;再在透明导电膜上制作金属电极，金属电极的图案为一组平行线段或多组平行线段的组合，线段的宽度为20?2000um，数量为5?100根，线长为2?156mm，相邻线段之间的距离为0.5?50mm。透明导电膜在重掺杂区域处与娃基体直接接触，并将局部重掺杂区及金属电极连接成为导电组合体。
[0026]作为本实用新型的进一步改进，步骤a)中:重掺杂的方阻为5?50Ω/口。
[0027]与现有技术相比，本实用新型具有以下有益的技术效果:
[0028]本实用新型使制作太阳能电池电极为透明导电组合体，采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面或背面透明电极，局部接触区域为重掺杂，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触，并通过在透明导电膜制作用于导通电流及便于制作电池组金属电极。使电池片的受光面积增加了4%?7%，同时保持了电极良好的导电性，使晶体硅电池的转换效率显著提升。此外，金属浆料的使用量大幅减少，使得生产成本显著降低，且生产上易于实现、控制。避免了金属电极光遮挡造成的功率损失，很好的平衡了晶硅电极光遮挡与导电性之间的两难问题，使电池的转换效率提升、生产成本降低。
[0029]本实用新型的制备方法通过激光开模掺杂、二次扩散、离子注入、掩膜刻蚀、掺杂剂涂敷等方法在晶体硅片的正面或背面按特定的图形形成局部重掺杂，在局部重掺杂的硅片表面制作透明导电膜，再在透明导电膜的表面制作金属电极。透明导电膜与重掺杂区域直接接触，并将重掺杂区及金属电极连接成为一个可作为晶体硅电池电极的透明导电组合体。制备方法简单，可实现批量化、流程化。
【附图说明】
[0030]图1是基于正面透明导电膜局部接触电极的晶体硅电池剖面示意图；
[0031]图2是基于背面透明导电膜局部接触电极的晶体硅电池剖面示意图；
[0032]图3是点状局部重掺杂分布示意图；
[0033]图4是线段状局部重掺杂分布示意图；
[0034]其中，1、透明导电I旲，2、纯化I旲/减反射I旲，3、局部重惨杂区，4、晶体娃片，5、金属电极。
【具体实施方式】
[0035]下面结合附图对本实用新型做进一步说明。
[0036]如图1和图2所示，本实用新型一种晶体硅太阳能电池透明导电膜局部接触结构，通过激光开模掺杂、二次扩散、离子注入、掩膜刻蚀、掺杂剂涂敷等方法在晶体硅片4的正面或背面按特定的图形(可以是栅线状、点状阵列、线段状阵列及其他形状)形成局部重掺杂3，在局部重掺杂的硅片表面制作透明导电膜I，再在透明导电膜I的表面制作金属电极5。透明导电膜I与重掺杂区3直接接触，并将重掺杂区3及金属电极5连接成为一个可作为晶体硅电池电极的透明导电组合体。本实用新型所述方法形成的电极可以替代传统太阳能电池电极的金属细栅和主栅，或者在优化主栅的情况下替代细栅线。
[0037]上述晶体硅太阳能电池透明导电膜局部接触形成的方法包括如下步骤:
[0038]I)将晶体娃片进彳丁表面织构化处理，娃片可以是P型和N型的单晶娃片和多晶娃片，织构处理可以采用化学药液腐蚀、等离子刻蚀、纳米金属催化、激光刻蚀等方法。
[0039]2)对硅片进行掺杂处理以形成PN结，掺杂的方法可以采用常压扩散、低压扩散、离子注入、杂质浆料涂敷等。
[0040]3)按特定的图形在PN结上进行局部重掺杂，重掺杂图形可以是栅线状、点状阵列、线段状阵列及其他图形。如图3和图4，所示，点状图案的直径在50?200um之间，点与点之间的间距在0.8?2mm之间；线段状图案的线宽在40?10um之间，长度在0.05?I.5mm之间，线段在X、Y方向的间距为0.5?2_。形成局部重掺杂的方法可以采用二次热扩散、激光开模掺杂、局域离子注入、掩膜反刻蚀、掺杂剂局域涂敷等，与此对应，局部重掺杂可以在形成PN结的工序中完成，也可以在刻蚀清洗的工序中完成，还可以与激光掺杂同时完成。
[0041]4)在正面或背面制作透明导电膜，透明导电膜可以是ITO(铟锡氧化物)、ΑΖ0(掺铝氧化锌)、FTO(掺氟氧化锡)、IWO(掺钨氧化铟)、石墨烯、GZO(掺镓氧化锌)等，制作的方法可以采用溅射、印刷、喷涂、气相沉积等，透明导电膜的厚度控制在50?500nm。再在透明导电膜上制作金属电极，金属电极图案为一组平行线段或多组平行线段的组合，线段的宽度为20?2000um，数量为5?100根，线长为2?156mm，相邻线段之间的距离为0.5?50mm。透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区与金属电极连接成为导电组合体。
[0042]下面结合具体实施例，对本实用新型的制备方法进行详细说明:
[0043]实施例1:
[0044](I)采用扩散的方法，在经过表面织构化处理的P型单晶硅片正面形成80 Ω /□的均匀扩散层；
[0045](2)采用湿法刻蚀去掉磷硅玻璃及背结；
[0046](3)在硅片的正面先后沉积5nm左右的氧化硅和80nm左右的氮化硅；
[0047](4)在正面按特定图形印刷含磷的掺杂剂，印刷图形采用点状阵列，单个点的直径为50um，点与点之间的间距为0.8mm ；
[0048](5)采用激光按步骤(4)中所述的特定图形对掺杂剂进行脉冲加热，使磷原子穿透减反射膜及钝化膜向硅基体扩散，在硅片的正面形成点状阵列的局部重掺杂区域；
[0049](6)采用溅射法在正面制备10nm的AZO透明导电膜，再在透明导电膜上采用丝网印刷的方法制作银电极，银电极图案由I组等距平行的栅线构成，栅线数量为20根，栅线宽度为20um ^ZO透明导电膜与重掺区的硅基体直接接触，并将点状阵列分布的局部重掺杂区域及银栅线电极连接成为一个可作为晶硅电池正面电极的导电组合体。
[0050]实施例2:
[0051](I)在经过表面织构化处理的P型多晶硅片正面按特定的图形印刷含磷浆料，印刷图形为点状阵列，单个点的直径为200um，点与点之间的间距为2.0mm；
[0052](2)在扩散炉中进行低压扩散，在印刷磷浆的区域形成重掺杂，在没有印刷磷浆的区域形成轻掺杂；
[0053](3)采用湿法刻蚀去掉磷硅玻璃及背结；
[0054](4)在硅片的正面沉积80nm左右的氮氧化硅；
[0055](5)采用激光按步骤(I)中所述的图形去掉正面重掺区域的减反射膜；
[0050] (6)采用化学气相沉积在正面制备80nm的石墨稀透明导电膜，再在石墨稀透明导电膜上制作银电极，银电极由一组等距平行的细栅线与一组等距平行的主栅线构成，细栅线与主栅线垂直相交。细栅线为30根，截面宽度为30um;主栅为4根，截面宽度为1mm。石墨烯透明导电膜与重掺区的硅基体直接接触，并将点状阵列分布的局部重掺杂区及银栅状电极域连接成为一个可作为晶硅电池正面电极的导电组合体。
[0057] 实施例3:
[0058](I)采用离子注入的方法，在经过表面织构化处理的N型单晶硅片正面与背面分别形成90 Ω /□与50 Ω /□的均匀扩散层；
[0059](2)化学清洗硅片的正面与背面；
[0060](3)在硅片正面先后沉积25nm左右的氧化铝和80nm左右的氮化硅；
[0061 ] (4)在硅片背面先后沉积25nm左右的氧化硅和80nm左右的氮化硅；
[0062](5)在正面与背面分别喷涂含硼掺杂剂与含磷掺杂剂，喷涂图形为点状阵列，单个点的直径为10um，点与点之间的间距为1.5mm；
[0063](6)采用激光按步骤(5)中所述的图形对掺杂剂进行脉冲加热，使正面的硼原子与背面的磷原子穿透减反射膜及钝化膜向硅基体扩散，在硅片的正面与背面形成点状阵列的局部重掺杂区域；
[0064](7)采用溅射法在正面与背面分别制备150nm的ITO透明导电膜，该透明导电膜与重掺区的硅基体直接接触，并将点状阵列分布的局部重掺杂区域连接成为一个可作为晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。
[0065]实施例4:
[0066](I)采用扩散的方法，在经过表面织构化处理的P型单晶硅片正面形成40 Ω /□的均匀扩散层；
[0067](2)在扩散层上按特定的图形喷掩膜，掩膜图形采用线段状阵列，线段的长度为50um，宽度为40um，线段与线段之间的间距为0.5mm ；
[0068](3)采用湿法刻蚀去掉磷硅玻璃、掩膜及背结，在喷有掩膜的区域形成重掺杂，在没有喷掩膜的区域形成轻掺杂；
[0069](4)在正面沉积80nm左右的氧化硅；
[0070](5)采用掩膜及化学药剂腐蚀的方法按步骤(2)中所述的图形去掉重掺杂区域的减反射膜；
[0071](6)采用溅射法在正面制备200nm的IWO透明导电膜，再在透明导电膜上采用喷墨的方法制备银电极，银电极由10组相互平行的等距平行栅线构成，每组栅线为30根，截面宽度为20um，相邻两组平行栅线之间的间距为Smm13IWO透明导电膜与重掺区的硅基体直接接触，并将线段状阵列分布的局部重掺杂区域及银栅线电极连接成为一个可作为晶硅电池正面电极的导电组合体。
[0072]实施例5:
[0073](I)采用扩散的方法，在经过表面织构化处理的N型多晶硅片正面形成70 Ω/□的均匀扩散层；
[0074](2)采用湿法刻蚀去掉硼硅玻璃及背结；
[0075](3)在硅片的正面先后沉积20nm左右的氧化铝和70nm左右的氮化硅；
[0076](4)在正面按特定图形喷涂含硼的掺杂剂，喷涂图形采用线段状阵列，线段的长度为1.5mm，宽度为lOOum，线段与线段之间的间距为2mm;
[0077](5)采用激光按步骤(4)中所述的特定图形对掺杂剂进行脉冲加热，使硼原子穿透减反射膜及钝化膜向硅基体扩散，在硅片的正面形成线段状阵列的局部重掺杂区域；
[0078](6)采用溅射法在正面制备200nm的FTO透明导电膜，再在透明导电膜上制作银电极，银电极由一组等距平行的细栅线与一组等距平行的主栅线构成，细栅线与主栅线垂直相交。细栅线为10根，截面宽度为40um;主栅为5根，截面宽度为Imm JTO透明导电膜与重掺区的硅基体直接接触，并将线段状阵列分布的局部重掺杂区域及银电极连接成为一个可作为晶硅电池正面电极的导电组合体。
[0079]实施例6:
[0080](I)采用扩散的方法，在经过表面织构化处理的P型多晶硅片正面形成40 Ω/□的均匀扩散层；
[0081](2)在扩散层上按特定的图形喷掩膜，掩膜图形为栅线状，细栅由100条宽度为30um左右的等间距平行线组成，主栅由5条宽度为Imm的等间距平行线组成，细栅与主栅垂直相交。
[0082](3)采用湿法刻蚀去掉磷硅玻璃、掩膜及背结，在喷有掩膜的区域形成重掺杂，在没有喷掩膜的区域形成轻掺杂；
[0083](4)在正面沉积80nm左右的氮化硅；
[0084](5)采用掩膜及化学药剂腐蚀的方法按步骤(2)中所述的图形去掉重掺杂区域的减反射膜；
[0085](6)采用溅射法在正面沉积200nm的GZO透明导电膜，再在透明导电膜上采用丝网印刷的方法制作银电极，银电极图案由I组等距平行的栅线构成，栅线数量为40根，栅线宽度为30UHUGZ0透明导电膜与重掺区的硅基体直接接触，并将栅线状重掺杂区域及银电极连接成为一个可作为晶硅电池正面电极的导电组合体。
[0086]实施例7:
[0087](I)采用扩散的方法，在经过表面织构化处理的P型多晶硅片正面形成40 Ω/□的均匀扩散层；
[0088](2)在扩散层上按特定的图形喷掩膜，掩膜图形为栅线状，细栅由80条宽度为60um左右的等间距平行线组成，主栅由3条宽度为1.5mm的等间距平行线组成，细栅与主栅垂直相交。
[0089](3)采用湿法刻蚀去掉磷硅玻璃、掩膜及背结，在喷有掩膜的区域形成重掺杂，在没有喷掩膜的区域形成轻掺杂；
[0090](4)在正面沉积80nm左右的氮化硅；
[0091](5)采用激光按步骤(2)中所述的图形去掉重掺杂区域的减反射膜；
[0092](6)采用溅射法在正面沉积10nm的AZO透明导电膜，该透明导电膜与重掺区的硅基体直接接触，并将栅线状的局部重掺杂区域连接成为一个可作为晶硅电池正面电极的导电组合体。
[0093]本实用新型一种晶体硅太阳能电池透明导电膜局部接触结构，采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面或背面透明电极，局部接触区域为重掺杂，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。本实用新型使制作太阳能电池电极的金属(银、铜、铝、镍等)使用量大幅降低，甚至可以完全不使用金属，避免了金属电极光遮挡造成的功率损失，很好的平衡了晶硅电极光遮挡与导电性之间的两难问题，使电池的转换效率提升、生产成本降低。
[0094]以上所述仅为本实用新型的几种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本实用新型说明书而对本实用新型技术方案采取的任何等效的变换，均为本实用新型的权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体，其特征在于，所述的透明导电组合体设置在体硅太阳能电池的正面和/或背面，包括:设置在钝化膜或减反射膜(2)上的透明导电膜(I)和设置在透明导电膜(I)上的金属电极(5)，钝化膜或减反射膜(2)设置在晶体硅片(4)上;所述的晶体硅片(4)的正面或背面设置有按照规则图案布置的局部重掺杂区(3)，所述的局部重掺杂区(3)与对应位置的透明导电膜(I)直接接触，透明导电膜(I)将局部重掺杂区(3)及金属电极(5)连接成为晶体硅电池电极的透明导电组合体。2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体，其特征在于，所述的透明导电膜(I)为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成，透明导电膜(I)的厚度为50?500nm。3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体，其特征在于，局部重掺杂区(3)采用阵列图案排布，其图案为一维、二维几何图形或一维与二维几何图形的组合;一维几何图形选自:线段、虚线段、弧线或栅线状;二维几何图形选自:圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。4.根据权利要求3所述的一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体，其特征在于，所述一维几何图形的线宽为30?lOOum，长度为0.05?1.5mm;同一行中相邻两个线形的间距为0.5?2mm，同一列中相邻两个线形的间距为0.5?2mm。5.根据权利要求3所述的一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体，其特征在于，所述二维几何图形的尺寸为30?200um，相邻两个图形中心距为0.8?2mm。6.根据权利要求1所述一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体，其特征在于，金属电极(5)为银电极、铝电极、镍电极、铜电极、合金电极或金属复合电极;金属电极(5)的排布图案为一组平行线段或多组平行线段的组合，线段的宽度为20?2000um，数量为5?100根，线长为2?156mm，相邻线段之间的距离为0.5?50mm。7.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体，其特征在于，所述的晶体硅片(4)为P型或者N型的单晶硅片、P型或者N型的多晶硅片；局部重掺杂区(3)为N型或P型重掺区，重掺杂的方阻为5?50 Ω/□。8.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体，其特征在于，所述的透明导电组合体形成于P型或N型硅基体的表面，或形成于P型或N型发射极表面。9.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体，其特征在于，减反射膜为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、碳化硅薄膜和氧化钛薄膜中的一种或多种叠层构成，厚度为50?10nm010.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体，其特征在于，钝化膜为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化铝薄膜和非晶硅薄膜中的一种或多种叠层构成，厚度为5?50nmo
【文档编号】H01L31/0224GK205657063SQ201620285483
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2016年4月7日 公开号201620285483.9, CN 201620285483, CN 205657063 U, CN 205657063U, CN-U-205657063, CN201620285483, CN201620285483.9, CN205657063 U, CN205657063U
【发明人】钟宝申, 李华, 赵科雄
【申请人】乐叶光伏科技有限公司