专利名称：将漏电流转换成dc输出的制作方法
将漏电流转换成DC输出
背景技术：
可在较低电平的直流(DC)电压(例如，5伏特DC)下操作消费者和商业电子系统。 较低电平的DC电压可经由开关电源提供给电子系统内的微控制器和其他电子组件。然而， 在一些电子系统中，第二电压或辅助电压可用于电子系统的电子组件，这些电子组件以与开关电源的输出电压不同的电压操作。
发明内容
在本文中发明人已经开发了一种提供初级电源和次级电源的方法，该方法包括 经由变压器生成第一电压，变压器包括初级接地和次级接地；以及经由初级接地和次级接地之间的电势差生成经调节第二电压。提供本发明内容以便以简化形式介绍在以下的具体实施方式
中进一步描述的一些概念。本发明内容既不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。此外，所要求保护的主题不限于解决在本公开的任何部分中提及的任何或所有缺点的实现。
图1示出其中漏电流和开关噪声可被转换成DC输出的示例电子系统；图2示出用于提供以次级接地为基准的双电平DC输出的现有技术电路；图3示出初级接地和次级接地之间的电势差的示例预示图；图4示出用于将漏电流和开关噪声转换成以次级接地为基准的DC输出的示例电路；图5示出初级接地和次级接地之间的电势差、以及将漏电流和开关噪声转换成DC 输出的电压源的输出的示例图；图6示出用于将漏电流和开关噪声转换成以次级接地为基准的双电平DC输出的示例电路；图7示出初级接地和次级接地之间的电势差、以及将漏电流和开关噪声转换成DC 输出的两个电压源的输出的示例图；图8示出用于将漏电流和开关噪声转换成以初级接地为基准的双电平DC输出的示例电路；图9示出用于将漏电极和开关噪声转换成DC输出的示例方法。
具体实施例方式本描述涉及将漏电流和开关噪声转换成经调节DC输出电压。在一个示例中，两个电压电平经由诸如图4示出的开关电源和电压调节电路提供给如图1示出的系统。经由开关电源的次级绕组提供第一电压，并且经由初级接地和次级接地之间的电势差提供第二电压。图6和8示出用于经由初级接地和次级接地之间的电势差提供第二电压和第三电压的替换示例。图3、5和7示出初级接地和次级接地之间的电势差、以及从漏电流和开关噪声转换的经调节电压的预示性示例。在图9中示出了一种用于将漏电流和开关噪声转换成DC 输出的方法。现在参考图1，示出了其中漏电流和开关噪声可被转换成DC输出的示例电子系统。电子系统100可包括用于将视觉信息提供给操作人员的显示器102。电子系统100还可包括容纳电源和由电源供电的电子设备的机壳104。电子系统100还示出具有供操作人员向电子系统100输入的可任选手持式控制器106。在一个示例中，该系统是游戏控制台， 并且机壳104内的组件可执行用于视频游戏的指令。在其他示例中，电子系统100可包括用于家用电器(例如，微波炉)、计算机、或其他消费者电子设备的电子设备。此外，在一些示例中，电子系统100可包括用于诸如计算机、示波器和仪器之间的商业应用的电子设备和可执行代码。可用多个电压电平来操作电子系统100的显示器102、机壳104和手持式控制器106的电子设备。例如，可在第一电压下操作电子系统100的微控制器，而可在第二电压下操作功率控制开关。现在参考图2，示出了用于提供以次级接地为基准的双电平DC输出的现有技术电路。电子系统200包括用于将AC输入电压调节成较低电平的系统电压(例如，5伏特)的电源202。AC经由端子290和292输入到电源202。AC经由全波整流器204被整流成DC。 DC电压从全波整流器204输出，由体电容器2M滤波，并且电耦合到变压器206。具体而言， DC电压电耦合到初级绕组208的一侧。初级绕组208的另一侧电耦合到开关晶体管214。 开关晶体管214还耦合到初级接地观0。开关晶体管214开关的占空比(S卩，导通时间与截止时间的比率)由隔离和脉宽调制电路216控制。功率被存储在初级绕组208中，并且被传送到次级绕组212和辅助绕组210。Y电容器250、252和218减少电磁干扰，并且电耦合到AC输入线、初级接地280和次级接地观2。次级绕组212输出系统电压(例如，用于向电子系统200内的电子设备的至少一部分供电的电压)，当激活场效应晶体管(FET) 222(通过将电压施加到FET 222的栅极来导通)时该系统电压可用于系统电子设备。次级绕组212的输出是经肖特基二极管258整流且经体电容器266滤波的低电压(例如，5伏特)。可通过来自辅助绕组210的高电压 (例如，15伏特)激活FET 222。辅助绕组210的输出由肖特基二极管256整流，由体电容器260和陶瓷电容器262滤波，并且随后经由齐纳二极管264调节。当操作人员激活按钮开关220时，来自辅助绕组210的电压可激活FET 222。由此，为了提供以次级接地观2为基准的两个电压，现有技术电路需要辅助绕组以及整流和滤波电路。辅助绕组增加了系统成本和重量。由于与将电能从初级绕组传送到辅助绕组相关的损耗，辅助绕组还可降低电子系统的效率。现在参考图3，示出了初级接地和次级接地之间的电势差的示例预示图。具体而言，信号302表示初级接地和次级接地之间的电势差。Y轴表示电压电平，而X轴表示时间。 X轴上方的电压电平为正，而X轴下方的电压电平为负。由此，图3示出初级接地和次级接地之间的电势差在振幅和时间上的改变。在一个示例中，在其中交流电流(AC)被整流成DC且DC被输入到电源变压器初级侧上的绕组(例如，初级绕组)的系统中发生类似于信号302的电势差。绕组被切换到初级接地，从而在变压器的次级绕组处提供输出。来自次级绕组的输出被整流成DC。初级接地是在变压器的次级绕组处将输入电压调节成系统电平电压的变压器的初级侧上的接地。 变压器的初级绕组可以初级接地为基准并被切换到初级接地以操作变压器。变压器的次级绕组可以变压器次级侧上的次级接地为基准。初级接地与次级接地电隔离。然而，在一些系统中，Y电容器可存在于初级接地和次级接地之间以抑制电磁干扰。信号302表示可在初级接地和次级接地之间产生的电压或电势。初级接地和次级接地之间所产生的峰到峰电压可以是大于50伏特的峰到峰电压。图3所示的电势表示可由漏电流和开关噪声的组合产生的初级接地和次级接地之间的电势。漏电流可源于诸如晶体管和二极管之类的半导体。此外，漏电流可源于电容器、印刷电路板和变压器。在一些示例中，漏电流可由不是理想电绝缘体的材料产生。在其他示例中，漏电流可由耦合有电源变压器的磁场的电路产生。由此，从图3可见，在电源的初级接地和次级接地之间可存在电势差。并且，图3所示的初级接地和次级接地之间的电势差可以是用于生成与变压器次级绕组的输出电压不同的电压的基础。图4、6和8示出用于将漏电流和开关噪声转换成DC输出的示例电路的示例。应当理解，在若干示例中，相同附图标记指示相同或相应的组件和单元。现在参考图4，示出了用于将漏电流和开关噪声转换成以次级接地为基准的DC输出的示例电路。初级接地480是变压器406的初级(即，输入)侧上的接地。初级接地480 用叉形符号指示。次级接地482是变压器406的次级(即，输出)侧上的接地。次级接地 482用三角形符号指示。除了在该示例中Y电容器418置于初级接地和次级接地之间以外， 初级接地和次级接地彼此隔离。Y电容器418、420和422可用于减少电磁干扰。电子系统400包括用于将AC输入电压调节成低电平系统电压(例如，5伏特)的电源402。AC经由端子460和462输入到电源402。AC电源线电耦合到端子460，而AC中性线耦合到端子462。AC经由全波整流器404整流成DC。DC电压从全波整流器404输出， 并且在电压经体电容器2M滤波之后电耦合到变压器406。具体而言，DC电压电耦合到初级绕组408的一侧。初级绕组408的另一侧电耦合到开关晶体管414。开关晶体管414还耦合到初级接地480。开关晶体管414在激活时周期性地导通(例如，通过将电压施加到栅极来导通)，并且在尚未激活时(例如，通过从栅极移除电压来截止)周期性地用作开路。 开关晶体管414开关的占空比(即，导通时间与截止时间的比率)由隔离和脉宽调制电路 416控制。在一个示例中，隔离和脉宽调制电路416输出的占空比与施加到变压器406的输出的负载相关。当激活开关时，电力经由磁场存储在初级绕组408中。当停用开关晶体管 414时磁场坍缩，从而在次级绕组410中感生出电流。绕组410的输出由肖特基晶体管448 整流，并且肖特基晶体管448的阴极处的输出电压由体滤波器电容器466滤波。输出电压还与脉宽调制电路416的反馈电路连通，或电耦合到脉宽调制电路416的反馈电路。次级绕组410输出系统电压(例如，用于向电子系统400内的电子设备的至少一部分供电的电压)，当激活场效应晶体管(FET)452(通过将电压施加到FET 452的栅极来导通)时该系统电压可用于系统电子设备。次级绕组410的输出电压可随应用而改变。例如，在一些系统中，电源402的输出是5伏特DC。在其他示例中，电源402的输出是15伏特 DC。在本示例中，通过将第二电平的DC电压供应到FET 452的栅极来激活FET452。 第二电平的DC电压与次级绕组410输出的电压电平相比是不同的电压电平，并且为了“导
5通”FET 452，第二电平的DC电压必须比次级绕组410输出的电压电平高。例如，可通过将 15伏特施加到FET 452的栅极来激活或导通FET 452。电压可经由操作人员控件450施加到FET 452的栅极。在一个示例中，操作人员控件450是按钮开关。按钮开关可提供电源和FET 452的栅极之间的选择性电连续性。由此，操作人员控件450能够将电源选择性地置为与FET452的栅极连通。二极管430、齐纳二极管434和电容器432电耦合成包括电压调节电路，由此初级接地480和次级接地482之间的电势差被转换成以次级接地482为基准的经调节电压。当二极管430正向偏置时，二极管430允许电流经由Y电容器418从初级接地480流到电容器432。当二极管430反向偏置时，二极管430阻断经由Y电容器418从电容器432流到初级接地480的电流。电容器432存储电荷，电容器432还对从二极管430和电容器432之间取得的输出电压进行滤波。当齐纳二极管434正向偏置时，齐纳二极管434准许电流经由Y电容器418从次级接地482流到初级接地480。在比齐纳二极管434的齐纳击穿电压小的电压下、且当齐纳二极管434反向偏置时，齐纳二极管434限制经由Y电容器418从初级接地480流到次级接地482的电流。在比齐纳二极管434的齐纳击穿电压大的电压下、 且当齐纳二极管434反向偏置时，齐纳二极管434允许电流经由Y电容器418从初级接地 480流到次级接地482。由此，齐纳二极管434用来将电容器432的电压调节成齐纳击穿电压，并且提供供负漏电压和噪声电压经由Y电容器418从次级接地482到初级接地480的返回路径。初级接地480和次级接地482之间的电势差可能是打开和关闭开关晶体管414所生成的漏电流和开关噪声的结果。在一个示例中，齐纳击穿电压可选在15.0伏特，即适于激活FET 452的电压。然而，可选择具有不同齐纳击穿电压的不同齐纳二极管来提供不同的输出电压电平。在该示例中，15伏特的输出被示为与用于激活和停用FET 452的操作人员控件450连通或电耦合。图4的电路允许来自单个开关电源的不同电压电平的多个电压输出。此外，图4 的电路允许具有单个次级绕组的电源402生成不同的电压，从而可避免用于向FET 452供电的变压器辅助绕组、电容器、肖特基二极管和齐纳二极管的重量和成本。此外，由于从与开关噪声和漏电流相关的电压生成附加电压，因此在不损失变压器406的效率的情况下提供附加电压。并且，由于Y电容器418与电容器432串联、且由于Y电容器418的大小相对于电容器432(例如，0. IuF)为小量的电容(例如，1. 5nF)，因此从初级接地480流到次级接地482的电流可限于小于5mA，就像电容器432不在电路中一样。现在参考图5，示出了初级接地和次级接地之间的电势差、以及将漏电流和开关噪声转换成DC输出的电压源的输出的示例预示图。具体而言，图5的信号表示图4的电路。 信号502表示图4电路的初级接地480和次级接地482之间的电势差。信号504表示将漏电流和开关噪声转换成DC输出的电源(例如，图4的元件430、432和434)的输出。Y轴表示电压电平，而X轴表示时间。X轴上方的电压电平为正，而X轴下方的电压电平为负。由此，与图3 —样，图5示出初级接地和次级接地之间的电势差在振幅和时间上的改变。在本示例中，信号504是在来自图4所示电路的电容器432和二极管430之间取得的。信号502和信号504以不同的比例示出，并且未示出以供电压电平比较，但是相反示出了可从信号502的电压生成信号504。
现在参考图6，示出了用于将漏电流和开关噪声转换成以次级接地为基准的DC输出的示例电路。数字标识符与图4的元件相同的图6的元件与图4所描述的元件相同地操作。因此，为了简洁起见，在图4中已经描述的元件的描述不再赘述，但是数字标识符与图 4中的元件相同的图6的元件应当被理解为结构和操作是相同的。二极管630、二极管632、齐纳二极管634、齐纳二极管640、电容器636和电容器 638电耦合成包括两个输出电压调节电路，由此初级接地480和次级接地482之间的电势差被转换成以次级接地482为基准的两个经调节电压。第一输出电压在二极管630和电容器 638之间可用。第二输出电压在二极管632和电容器636之间可用。当二极管630正向偏置时，二极管638允许电流经由Y电容器418从初级接地480 流到电容器638和齐纳二极管640。当二极管630反向偏置时，二极管630阻断经由Y电容器418从电容器638和齐纳二极管640流到初级接地480的电流。电容器638存储相对于次级接地482的正电荷，电容器638还对从二极管630和电容器638之间取得的输出电压进行滤波。当齐纳二极管640在比齐纳二极管640的齐纳击穿电压小的电压下反向偏置时，齐纳二极管434限制经由Y电容器418和二极管630从初级接地480流出的电流。但是，由于齐纳二极管640与电容器638并联，因此当初级接地480处于比次级接地483高的电势时、且当齐纳二极管640两端的电压比齐纳二极管640的齐纳击穿电压小时，可对电容器638充电。当电容器638两端存在比齐纳二极管640的齐纳击穿电压大的电压时、且当齐纳二极管640反向偏置时，齐纳二极管640允许电流经由Y电容器418从初级接地480 流到次级接地482。由此，齐纳二极管640用来将电容器638的电压调节成齐纳二极管640 的齐纳击穿电压。以此方式，从漏电流和开关噪声生成以次级接地482为基准的第一经调节DC输出正电压。当二极管632正向偏置时，二极管632允许电流经由电容器636、齐纳二极管 634 (假如超过齐纳击穿电压)，并且经由Y电容器418从次级接地482流到初级接地480。 当二极管632反向偏置时，二极管632阻断经由Y电容器418、齐纳二极管634和电容器636 从初级接地480流到次级接地482的电流。电容器636存储相对于次级接地482的负电荷， 电容器636还对从二极管632和电容器636之间取得的输出电压进行滤波。当电容器636 两端存在比齐纳二极管634的齐纳击穿电压大的电压时，齐纳二极管634准许电流从次级接地482流到二极管632、Y电容器418，并且继续流到初级接地480。由此，齐纳二极管634 用来将电容器636的电压调节成齐纳击穿电压。此外，相对于次级接地，齐纳二极管634与齐纳二极管640反向偏置。以此方式，从漏电流和开关噪声生成以次级接地482为基准的第二经调节DC输出负电压。以此方式，电流可经由二极管630在第一电流路径中流动、或经由二极管632在第二电流路径中流动。两个电流路径允许对电容器638和636充电，从而来自初级接地480 和次级接地482之间的电势差的两个电压是可用的。由此，根据图6所示的电路，以次级接地为基准的多个经调节电压可由将漏电流和开关噪声转换成DC的电压调节电路提供。此外，相对于次级接地，从漏电流和开关噪声转换的至少一个经调节电压可以是正电压。此外，相对于次级接地，从漏电流和开关噪声转换的至少一个经调节电压可以是负电压。现在参考图7，示出了初级接地和次级接地之间的电势差、以及将漏电流和开关噪声转换成双电平DC输出的电压源的输出的示例预示图。具体而言，图7的信号表示图6的电路。具体而言，信号702表示图6电路的初级接地480和次级接地482之间的电势差。信号704表示相对于次级接地482的、将漏电流和开关噪声转换成DC输出的电压源(例如， 图6的元件630、638和640)的正输出。Y轴表示电压电平，而X轴表示时间。X轴上方的电压电平为正，而X轴下方的电压电平为负。由此，与图3 —样，图7示出初级接地和次级接地之间的电势差在振幅和时间上改变。信号704是在来自图6所示电路的电容器638和二极管630之间取得的。信号706 表示相对于次级接地482的、将漏电流和开关噪声转换成DC输出的电源(例如，图6的元件630、634和636)的负输出。在该示例中，信号706是在来自图6所示电路的电容器636 和二极管632之间取得的。信号702、704和706以不同的比例示出，并且未示出以供电压电平比较，但是相反示出了可从信号702的电压生成信号704和706。现在参考图8，示出了用于将漏电流和开关噪声转换成以初级接地为基准的双电平DC输出的示例电路。数字标识符与图4的元件相同的图8的元件与图4所描述的元件相同地操作。因此，为了简洁起见，在图4中已经描述的元件的描述不再赘述，但是数字标识符与图4中的元件相同的图8的元件应当被理解为结构和操作是相同的。二极管830、二极管840、齐纳二极管834、齐纳二极管838、电容器836和电容器 832电耦合成包括两个输出电压调节电路，由此初级接地480和次级接地482之间的电势差被转换成以初级接地480为基准的两个经调节电压。第一输出电压在二极管830和电容器 836之间可用。第二输出电压在二极管840和电容器832之间可用。当二极管830正向偏置时，二极管830允许电流经由Y电容器818从次级接地482 流到电容器836和齐纳二极管834。当二极管830反向偏置时，二极管830阻断经由Y电容器818从电容器836和齐纳二极管834流到次级接地482的电流。电容器836存储相对于初级接地480的正电荷，电容器836还对从二极管830和电容器836之间取得的输出电压进行滤波。在齐纳二极管834在比齐纳二极管834的齐纳击穿电压小的电压下反向偏置时，齐纳二极管834准许电流经由Y电容器818和二极管830从次级接地482流出。但是， 由于齐纳二极管834与电容器836并联，因此当次级接地482处于比初级接地480高的电势时、且当齐纳二极管834两端的电压比齐纳二极管834的齐纳击穿电压小时，可对电容器 834充电。当电容器836两端存在比齐纳二极管834的齐纳击穿电压大的电压时、且当齐纳二极管834反向偏置时，齐纳二极管834允许电流经由Y电容器818绕过电容器836从次级接地482流到初级接地480。由此，齐纳二极管834用来将电容器836的电压调节成齐纳二极管834的齐纳击穿电压。以此方式，从漏电流和开关噪声生成以初级接地480为基准的第一经调节DC输出正电压。当二极管840正向偏置时，二极管840允许电流经由电容器832、齐纳二极管 838 (假若超过齐纳击穿电压)，并且经由Y电容器818从初级接地480流到次级接地482。 当二极管840反向偏置时，二极管840阻断经由Y电容器818、齐纳二极管838和电容器832 从次级接地482流到初级接地480的电流。电容器832存储相对于初级接地480的负电荷， 电容器832还对从二极管840和电容器832之间取得的输出电压进行滤波。当电容器838 反向偏置时、且当电容器832两端存在比齐纳二极管838的齐纳击穿电压大的电压时，齐纳二极管838准许电流经由二极管840、Y电容器818从初级接地480流出，并且继续流到次级接地482。由此，齐纳二极管838用来将电容器832的电压调节成齐纳二极管838的齐纳击穿电压。以此方式，从漏电流和开关噪声生成以初级接地480为基准的第二经调节DC输出负电压。以此方式，电流可经由二极管830在第一电流路径中流动、或经由二极管840在第二电流路径中流动。两个电流路径允许对电容器836和832充电，从而来自初级接地480 和次级接地482之间的电势差的两个电压是可用的。由此，根据图8所示的电路，以初级接地为基准的多个经调节电压可由将漏电流和开关噪声转换成DC的电压调节电路提供。此外，相对于初级接地480，从漏电流和开关噪声转换的至少一个经调节电压可以是正电压。此外，相对于初级接地480，从漏电流和开关噪声转换的至少一个经调节电压可以是负电压。现在参考图9，示出了一种用于将漏电流和开关噪声转换成DC输出的方法。图9 的方法可应用于图4、6和8的电路、以及其他预期的电路变体。在902，方法900将电压施加到变压器的输入。例如，在图4的输入端子460和输入端子462之间提供电压。在一些示例中，AC输入可在施加到变压器的初级侧绕组之前被整流。在其他示例中，DC输入可被施加到变压器的初级侧绕组。方法900在电压被施加到变压器之后前进到904。在904，变压器的初级绕组被切换到变压器的初级侧的初级接地。变压器可经由 FET、双极晶体管、M0SFET、或其他已知类型的晶体管切换到初级接地。晶体管可以变化的频率或变化的脉宽开关。例如，如图4的电路所示，开关晶体管414将变压器406的初级绕组 408切换到初级接地480。方法900在变压器切换开始之后前进到906。在906，方法900从经切换变压器的次级绕组输出电压。当变压器的初级绕组接通时，初级绕组耦合到初级接地，由此生成将能量存储在变压器内的磁场。当变压器的初级绕组关断时，初级绕组与初级接地解耦、且磁场坍缩，从而在变压器的次级绕组中感生出电流。所感生的电流在变压器的次级绕组处提供从变压器输出的电压。方法900在变压器开始输出电压之后前进到908。在908，方法900生成从转换漏电流和开关噪声输出的经调节第二电压，该转换造成初级接地和次级接地之间的电势差。初级接地位于变压器的初级侧，而次级接地位于变压器的次级侧。初级接地和次级接地可彼此电隔离。此外，在一些示例中，Y电容器可置于初级接地和次级接地之间。在一个示例中，从图4的电路输出经调节第二电压。在其他示例中，可根据图6和8的电路提供具有不同极性且以次级接地或初级接地为基准的多个电压。由此，经调节电压可以初级接地或次级接地为基准。方法900在将漏电流和开关噪声转换成经调节DC输出之后前进到910。在910，方法900判定是否将电压从变压器的次级绕组输出到系统的电负载。在一个示例中，该方法响应于操作人员输入(例如，按钮输入)将电压从变压器的次级绕组输出到电负载。如果操作人员请求向系统供电，则方法900前进到912。否则，方法900前进到退出，并且来自变压器次级绕组的电力不被输出到系统电负载。在912，方法900用第二电压激活晶体管，该第二电压通过将漏电流和开关噪声转换成DC输出来生成。激活晶体管使变压器次级绕组的输出耦合到系统电负载。在一个示例中，晶体管是FET，并且当将相对于次级接地的、比输出次级电压高的正电压施加到FET的栅极时，FET开始导通。例如，将来自图4的二极管430和电容器432之间的电压施加到 FET 452的栅极。当将第二电压施加到FET时，FET开始导通。以此方式，第二电压电平的第二电压(该第二电压通过将漏电流和开关噪声转换成DC来生成)激活FET，从而响应于操作人员输入将来自变压器次级绕组的第一电压输出耦合到系统电负载。方法900在输出变压器次级绕组的电压之后前进到退出。通过利用电源的初级接地和次级接地之间的电势差，可提供第二电压源。在一个示例中，第二电压源从漏电流和开关噪声获取电力。由此，可以其他方式定向到接地以减少电噪声的电力被转换成系统组件可使用的第二电压源，这些系统组件可在与电源变压器所输出的电压电平不同的电压电平下操作。本描述可提供若干优点。具体而言，由于第二电压源利用漏电流和开关噪声、而非从电源变压器的次级绕组直接汲取，因此该方法可减少功耗。此外，由于第二电源不是由辅助变压器绕组生成的，因此该方法可减少系统成本和重量。应该理解，本文中所述的配置和/或方法在本质上是示例性的，并且这些具体实施例或示例不是限制意义的，因为多个变体是可能的。本文中所述的具体例程或方法可表示任意数量的处理策略中的一个或多个。由此，所示的各个动作可按所示的顺序执行、按其他顺序执行、并行地执行、或者在某些情况下省略。同样，可改变上述过程的次序。本公开的主题包括各个过程、系统和配置的所有新颖和非显而易见的组合和子组合、和本文中所公开的其他特征、功能、动作和/或特性、以及其任何和全部等效物。
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权利要求
1.一种用于提供初级电源和次级电源的方法，所述方法包括经由变压器(406)生成第一电压，所述变压器(406)包括初级接地(480)和次级接地 (482)；以及通过所述初级接地(480)和次级接地(48 之间的电势差生成经调节第二电压。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述经调节第二电压实质上是齐纳击穿电压，并且其中所述电势差与漏电流和电开关噪声相关。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述变压器(406)的初级绕组(408)经由开关晶体管G14)与所述初级接地G80)周期性地电连通，并且其中Y电容器G18)置于所述初级接地(480)和次级接地(48 之间。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电压经由通过所述经调节第二电压激活和停用的晶体管(45 与电负载电耦合和解耦；其中所述晶体管(45 是场效应晶体管052)，其中所述经调节第二电压经由操作人员激活的开关G50)电耦合到所述场效应晶体管052)，并且还包括经调节第三电压，所述经调节第三电压通过所述初级接地(480)和次级接地之间的漏电流和电开关噪声生成，所述经调节第三电压即对应于所述次级接地G82)的负电压。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述经调节第二电压向电负载供电，所述电负载以所述初级接地(480)或次级接地(48 为基准。
6.一种用于提供多个电压的系统，所述系统包括变压器006)，所述变压器(406)包括初级绕组(408)和次级绕组010)，所述初级绕组(408)至少有时电耦合到初级接地G80)，所述次级绕组(410)耦合到经隔离的次级接地 (482)；以及提供经调节电压的电压调节电路，所述电压调节电路置于所述初级接地(480)和经隔离的次级接地(482)之间。
7.如权利要求6所述的系统，其特征在于，所述电压调节电路由至少第一二极管 030)、第一齐纳二极管(434)和第一电容器(432)构成，并且以所述经隔离的次级接地 (482)或初级接地(480)为基准。
8.如权利要求7所述的系统，还包括Y电容器018)，所述Y电容器(418)和所述第一电容器串联，所述第一二极管置于所述Y电容器(418)和所述第一电容器之间，所述第一齐纳二极管与所述第一二极管和所述第一电容器并联。
9.如权利要求6所述的系统，其特征在于，所述电压调节电路的输出是与晶体管052) 选择性电连通，所述晶体管(45 被配置成将电压输出从所述次级绕组(410)供应给电负载。
10.如权利要求7所述的系统，其特征在于，还包括Y电容器和第二二极管，所述Y电容器与第一电流路径和第二电流路径串联，所述第一电流路径与所述第二电流路径并联，所述第一电流路径包括所述第一二极管、所述第一电容器和所述第一齐纳二极管，所述第二电流路径包括所述第二二极管、所述第二电容器和所述第二齐纳二极管，所述电压调节电路以所述初级接地为基准。
全文摘要
公开了一种能够供电以操作系统的电子设备的电源。在一个示例中，电源利用初级接地和次级接地之间的电势差。电源可降低系统成本和功耗。
文档编号H02M3/335GK102545623SQ201110409188
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月30日 优先权日2010年12月1日
发明者C·K·冯, P·S·斯塔尔茨, S·F·廷 申请人:微软公司