一种电压提升装置的制作方法

文档序号:7448381阅读:582来源:国知局
专利名称:一种电压提升装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及自动控制技术领域,特别涉及一种电压提升装置。
背景技术
在电控制领域系统中,常常需要把某结点的对地电压提升到一定的数值,以便满足后续电路的控制需求。现有电压提升装置电路复杂、选用的电子元件多。

实用新型内容为解决上述问题,本实用新型提供了一种电压提升装置。只需增加一个元件,就可把该点的对地电压提升到要求的数值,以便后续的控制电路使用。为达到上述目的,本实用新型的技术方案如下一种电压提升装置,包括包括三极管Ql、mos场效应管Q2、发光二极管Dl、二极管D2、D3电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R5、继电器R4、电源VBB,电源VCC,电源VDD,被控电压VE连接至所述三极管Ql的基极,所述三极管Ql的发射极与所述mos场效应管Q2的源级及电阻R5的一端共同接地,所述电阻R5的另一端与所述mos场效应管Q2 的栅极电性连接在一起,电源VBB通过所述电阻Rl串接所述二极管Dl在A点与所述三极管Ql的集电极电性连接在一起,电源VCC通过所述电阻R2与所述三极管Ql的集电极电性连接在一起,所述发光二极管Dl的负极和所述二极管D2的正极及所述三极管Ql的集电极及所述电阻R2的一端在A点电性连接在一起,所述三极管Ql的集电极通过所述二极管D2、 所述电阻R3与所述mos场效应管Q2的栅极电性连接在一起,所述二极管D3的正极电性连接至控制信号VB,所述二极管D3的负极与所述二极管D2的负极电性连接在一起,所述电源 VDD通过所述电阻R4与所述mos场效应管Q2的漏级电性连接在一起。所述二极管Dl为发光二极管,所述二极管D2、D3为普通二极管,所述电源VCC的电平高于所述mos场效应管Q2的门级开启电压。所述电源VCC的电平高于所述电源VBB的电平。由于采用了上述技术方案,本实用新型具有以下显著特点1、电路结构简单,不用改变原来VBB的电源电压,易于组装。2、使用方便,应用范围广。

图1-本实用新型电气原理图。Ql-三极管,Q2-mos场效应管,Dl-发光二极管,RU R2、R3是普通电阻、R4-负载电阻,D2、D3-普通二极管,VBB、VCC、VDD-直流电源,VE-被控电压,VB-控制信号。
具体实施方式
本实用新型由三极管Ql,发光二极管Dl,二极管D2,二极管D3,电阻Rl,R2,R3,R4、R5,mos场效应管Q2,电源VBB,VCC, VDD等构成,用于在电路中把某结点的对地电压提升到
需要的数值。图中Ql是三极管,Q2是N型mos场效应管,R1、R2、R3、R5是普通电阻,电阻R4是 mos场效应管Q2的负载。发光二极管Dl的负极和二极管D2的正极及三极管Ql的集电极及电阻R2的一端接在一起,三极管的发射级和电阻R5的一端、mos场效应管Q2的源级接在一起,并接在低电平上;被控电压VE从三极管的基级输入;电源VBB通过电阻Rl接发光二极管Dl的正极;电源VCC接电阻R2的一端;二极管D2的负极和二极管D3的负极及电阻 R3的一端接在一起;控制信号VB接二极管D3的正极;电阻R3的另一端和电阻R5的一端及mos场效应管的栅极接在一起;mos的栅极通过负载R4接电源VDD。二极管D2和D3、电阻R3和R5组成一个或门电路,只要A点或控制信号VB的电平是高电平,在mos场效应管 Q2的栅极就是高电平,能使Q2导通,负载R4得电运行。在如图1所示的电路中,被控电压VE为高电平时,三极管Ql导通,A点为低电平, 发光二极管Dl被点亮。VE为低电平时,A点为高电平,这个电平通过二极管D2、电阻R3到 mos场效应管Q2的栅极,使Q2导通,负载R4得电运行,但是由于电路中的电源VBB的电压较低,A点的高电平经过二极管D2、电阻R3后到达Q2的栅极时已经变得较低,低于mos场效应管Q2的导通电压,不能使mos场效应管Q2导通,R4不能得电运行,使被控电压VE失去控制的功能。而电源VEE的电压又不便于改变,为此在A点增加一个电阻R2,电阻R2的另一端接一个电源VCC,并且VCC的电压较VEE的电压高,在被控电压VE为低电平,A点为高电平时,增加的电源VCC通过电阻R2使A点的电平得到提高,这个电平通过二极管D2、电阻R3后到达mos场效应管Q2的栅极时,仍能使其导通,负载R4得电运行。实施例请参见附图1。三极管Ql的型号可以为9013,mos场效应管Q2的型号可以为 kkl062,其栅极的开启电平在2. 5V左右;Dl可以为红色等多种颜色的发光二极管,R4是一个继电器,阻值为Ik欧,VBB为3. 3V,VCC为9V,VDD为9V。本实用新型具有电路简单、易于组装、使用方便,应用范围广等诸多优点,故极具良好的应用前景和市场前景。凡是未脱离本实用新型技术方案的内容或依据本实用新型的技术实质对以上方案所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型保护范围之内。
权利要求1.一种电压提升装置,包括包括三极管(Ql)、m0S场效应管(Q2)、发光二极管(Dl)、二极管(D2)、(D3)电阻(Rl)、电阻(R2)、电阻(R3)、电阻(R5)、继电器(R4)、电源VBB,电源 VCC,电源 VDD,其特征在于被控电压VE连接至所述三极管Oil)的基极,所述三极管Oil)的发射极与所述mos场效应管0^2)的源级及电阻(R5)的一端共同接地,所述电阻(R5)的另一端与所述mos场效应管的栅极电性连接在一起,电源VBB通过所述电阻(Rl)串接所述二极管(Dl)在A点与所述三极管Oil)的集电极电性连接在一起,电源VCC通过所述电阻(R2) 与所述三极管Oil)的集电极电性连接在一起,所述发光二极管(Dl)的负极和所述二极管 (D2)的正极及所述三极管Oil)的集电极及所述电阻(似)的一端在A点电性连接在一起, 所述三极管Oil)的集电极通过所述二极管(D2)、所述电阻(旧)与所述mos场效应管0^2) 的栅极电性连接在一起,所述二极管(D!3)的正极电性连接至控制信号VB,所述二极管(D3) 的负极与所述二极管(拟)的负极电性连接在一起,所述电源VDD通过所述继电器(R4)与所述mos场效应管⑴幻的漏级电性连接在一起。
2.如权利要求1所述的一种电压提升装置,其特征在于所述二极管(Dl)为发光二极管,所述二极管(Μ)、 ; )为普通二极管,所述电源VCC的电平高于所述mos场效应管0^2) 的门级开启电压。
3.如权利要求2所述的一种电压提升装置,其特征在于所述电源VCC的电平高于所述电源VBB的电平。
专利摘要本实用新型公开了一种电压提升装置。它由三极管,二极管,电阻、MOS场效应管、电源等电性连接构成,用于在控制电路中把某结点的对地电压提升到需要的数值。本实用新型具有电路简单、易于组装、使用方便,应用范围广等诸多优点,故极具良好的应用前景和市场前景。
文档编号H02M3/155GK202019300SQ20112008853
公开日2011年10月26日 申请日期2011年3月30日 优先权日2011年3月30日
发明者周顺祥 申请人:北京富盛星电子有限公司
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