带有绝缘栅装置的门驱动电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种带有绝缘栅装置的门驱动电路，包括：一个电容器，其第一终端与驱动电压相连，第二终端与绝缘栅装置相连，当驱动电压使保持绝缘栅装置处于“接通”状态时，储存电荷；一个回路，连接第一终端和绝缘栅装置的输出端，当绝缘栅装置由“接通”状态变为“断开”状态时，提供截止负偏压，避免绝缘栅装置出现假接通的状态；一个稳压二极管，与第二终端和绝缘栅装置的输出端相连，限制了驱动电压的正向的值，从而调整了截止负偏压；一个阻塞二极管与稳压二极管反向串联，当绝缘栅装置处于“断开”状态时，阻止稳压二极管连通。本实用新型的有益效果是：提供了一种驱动方法和一种应用此电路作为开关模式的方法。
【专利说明】带有绝缘栅装置的门驱动电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种门驱动电路，特别涉及一种带有绝缘栅装置的门驱动电路。
【背景技术】
[0002]绝缘栅装置，如金属氧化物半导体场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅两级晶体管、金属氧化物半导体控制晶闸管是常见的电学元件，在电路中有广泛的应用。而且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。
[0003]随着高功率密度的高效率的电源转换器的发展是电力电子领域的一个新目标，减小储能元件的型号和增加功率密度，能够高频转换的绝缘栅装置的电力转换电路中备受推崇。而绝缘栅装置的高频转换是依靠门电流来实现的。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种带有绝缘栅装置的门驱动电路。提供了一种驱动方法和一种应用此电路作为开关模式的方法。
[0005]为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案:
[0006]一种带有绝缘栅装置的门驱动电路，包括:一个电容器，其第一终端与驱动电压相连，第二终端与绝缘栅装置相连。当驱动电压使保持绝缘栅装置处于“接通”状态时，储存电荷；一个回路，连接第一终端和绝缘栅装置的输出端。当绝缘栅装置由“接通”状态变为“断开”状态时，提供截止负偏压，避免绝缘栅装置出现假接通的现象。一个稳压二极管，与第二终端和绝缘栅装置的输出端相连，限制了驱动电压的正向的值，从而调整了截止负偏压。一个阻塞二极管与稳压二极管反向串联，当绝缘栅装置处于“断开”状态时，阻止稳压二极管连通。
[0007]优选的是:还包括一个门驱动，连接在所述的驱动电压与第一终端之间，它可以保持所述的绝缘栅装置处于“接通”状态和绝缘栅装置由“接通”状态向“断开”状态转换时形成通路。
[0008]优选的是:还包括一个电阻，连接在所述的门驱动电路与绝缘栅装置的终端，为储存在门驱动电路中的电流提供放电的通路。
[0009]优选的是:所述的阻塞二极管是一个稳压二极管。
[0010]优选的是:还包括一个限流电阻，连接在驱动电压和第一终端之间，限制到达所述的稳压二极管的电流。
[0011]优选的是:还包括一个电阻，连接第二终端与所述的绝缘栅装置的输出端，起分压作用。
[0012]优选的是:所述的绝缘栅装置可以是场效应晶体管、绝缘栅两级晶体管或金属氧化物半导体控制晶闸管。
[0013]优选的是:所述的门驱动，有两个三极管组成，上管为NPN型三极管，下管为PNP
型三极管。
[0014]本实用新型的有益效果是:提供了一种驱动方法和一种应用此电路作为开关模式的方法。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是本实用新型带有绝缘栅装置的门驱动电路的示意图。
[0016]图中:NPN型三极管1，PNP型三极管2，限流电阻3，电容器4，稳压二极管5，稳压二极管6，电阻7，电阻8，绝缘栅装置的栅9，绝缘栅装置的输出端10，绝缘栅装置11，驱动电压12，门驱动装置13。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明:
[0018]图1是本实用新型带有绝缘栅装置的门驱动电路的示意图，电容器4具有两个终端。门驱动装置13是由一个NPN型三极管I与PNP型三极管串联而成；所述的电容器4的第一终端通过一个限流电阻3和NPN型三极管I与驱动电压12相连；第二终端通过一个电阻8与绝缘栅装置的栅9相连。
[0019]还设有一个回路，有所述的电容器4的第一终端到绝缘栅装置的输出端10。回路包括一个限流电阻3，PNP型三极管2。当绝缘栅装置11由“接通”状态向“断开”状态转换时，形成通路。
[0020]还设有一个电阻7，与绝缘栅装置的栅9和绝缘栅元件的输出端10相连，为存贮在所述的绝缘栅装置11中的电流放电，稳压二极管5和稳压二极管6是反向连接在电容器4第二终端与绝缘栅装置的输出端10之间。
[0021]所述的NPN型三极管I与驱动电压12连接，电流通过限流电阻3，达到所述的电容器4的第一终端。驱动电压12为电容器4充电，并且电阻8到达绝缘栅装置11的绝缘栅装置的栅9，由于绝缘栅装置11通过门驱动装置13的驱动处于“接通”状态，限流电阻3限制了到达稳压二极管5的电流。反过来所述的稳压二极管5限制了驱动电压12的负值，由此，调整了所述的电容器4的电压。
[0022]当绝缘栅装置11处于“接通”状态时，所述的电容器4收集了超出绝缘栅装置11额定电压的电压。
[0023]当绝缘栅装置11由“接通”状态向“断开”状态转换时，所述的NPN型三极管I关闭，所述的PNP型三极管2接通形成通路。随着所述的电容器4的第一终端处于接地电势，储存了电荷的电容器4形成了负偏压。截止负偏压的负值是通过稳压二极管6控制的。回路中的截止负偏压，通过电阻8达到绝缘栅装置的栅9，截止负偏压放电使绝缘栅装置11 “断开”。从而避免了绝缘栅装置11的假连接现象。
[0024]尽管本实用新型的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本实用新型的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本实用新型并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
【权利要求】
1.一种带有绝缘栅装置的门驱动电路，其特征在于:一个电容器，其第一终端与驱动电压相连，第二终端与绝缘栅装置相连，当驱动电压使保持绝缘栅装置处于“接通”状态时，储存电荷；一个回路，连接第一终端和绝缘栅装置的输出端，当绝缘栅装置由“接通”状态变为“断开”状态时，提供截止负偏压，避免绝缘栅装置出现假接通的现象；一个稳压二极管，与第二终端和绝缘栅装置的输出端相连，限制了驱动电压的正向值，从而调整了截止负偏压；一个阻塞二极管与稳压二极管反向串联，当绝缘栅装置处于“断开”状态时，阻止稳压二极管连通。
2.根据权利要求1所述的带有绝缘栅装置的门驱动电路，其特征在于:还包括一个门驱动，连接在所述的驱动电压与第一终端之间，它可以保持所述的绝缘栅装置处于“接通”状态和绝缘栅装置由“接通”状态向“断开”状态转换时形成通路。
3.根据权利要求1中所述的带有绝缘栅装置的门驱动电路，其特征在于:还包括一个电阻，连接在所述的门驱动电路与绝缘栅装置的终端，为储存在门驱动电路中的电流提供放电的通路。
4.根据权利要求1中所述的带有绝缘栅装置的门驱动电路，其特征在于:所述的阻塞二极管是一个稳压二极管。
5.根据权利要求1中所述的带有绝缘栅装置的门驱动电路，其特征在于:还包括一个限流电阻，连接在驱动电压和第一终端之间，限制到达所述的稳压二极管的电流。
6.根据权利要求1中所述的带有绝缘栅装置的门驱动电路，其特征在于:还包括一个电阻，连接第二终端与所述的绝缘栅装置的输出端，起分压作用。
7.根据权利要求1中所述的带有绝缘栅装置的门驱动电路，其特征在于:所述的绝缘栅装置可以是金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅两级晶体管或金属氧化物半导体控制晶闸管。
8.根据权利要求2所述的带有绝缘栅装置的门驱动电路，其特征在于:所述的门驱动，有两个三极管组成，上管为NPN型三极管，下管为PNP型三极管。
【文档编号】H02M1/08GK204156717SQ201420676539
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年11月13日 优先权日:2014年11月13日
【发明者】李飞 申请人:李飞