一种电压倍增电路的制作方法

技术特征：

1.一种电压倍增电路，包括反相器、充电电容、低压充电电路、高压充放电电路，其特征在于：该电压倍增电路还包括一隔离电路，所述隔离电路一端接电源，另一端接充电电容与所述低压充电电路、高压充放电电路之间的节点(VDDx21)，以减弱所述充电电容与所述低压充电电路、高压充放电电路之间的高压节点(VDDx21)向电源漏电；该隔离电路包括一第七PMOS管，所述第七PMOS管源极接该低压充电电路，所述第七PMOS管漏极接该电源，所述第七PMOS管衬底接所述充电电容与所述高压充放电电路之间的高压节点，所述第七PMOS管栅极接所述反相器的输出节点。

2.如权利要求1所述的一种电压倍增电路，其特征在于：所述高压充放电电路包括第四NMOS管及第六PMOS管，所述第四NMOS管栅极与所述第六PMOS管栅极接时钟信号，所述第四NMOS管源极接地，所述第四NMOS管漏极与所述第六PMOS管源极、该低压充电电路相连组成节点B1。

3.如权利要求2所述的一种电压倍增电路，其特征在于：该高压充放点电路还包括一滤波电容，该滤波电容一端接该节点B1，另一端接地。

4.如权利要求3所述的一种电压倍增电路，其特征在于：该低压充电电路包括一第五PMOS管，所述第五PMOS管栅极接该节点B1，所述第五PMOS管漏极接所述第七PMOS管源极，所述第六PMOS管漏极及衬底与所述第五PMOS管源极及衬底相连组成节点(VDDx21)，所述第五PMOS管漏极接所述第七PMOS管源极。

5.如权利要求4所述的一种电压倍增电路，其特征在于：所述充电电容连接在所述反相器与所述节点(VDDx21)之间。

6.如权利要求5所述的一种电压倍增电路，其特征在于：所述充电电容为PMOS管形式的MOS型电容。

7.如权利要求5所述的一种电压倍增电路，其特征在于：所述MOS型电容栅极接所述反相器的输出端，其源、漏、衬底相接与所述节点(VDDx21)相连。

8.如权利要求5所述的一种电压倍增电路，其特征在于：所述反相器采用由PMOS管和NMOS管组成的反相器。

9.如权利要求8所述的一种电压倍增电路，其特征在于：所述反相器输入端接该时钟信号。