1.一种IGBT欠压保护电路，其特征在于，包括：比较单元(11)、控制单元(12)和IGBT驱动单元(13)；
所述比较单元(11)的两个输入端分别与IGBT驱动电源(14)和参考电源(15)连接，所述比较单元(11)的输出端与所述控制单元(12)的控制端连接，所述控制单元(12)的输入端与所述IGBT驱动电源(14)连接，所述控制单元(12)的输出端与所述IGBT驱动单元(13)连接；
所述比较单元(11)用于在所述IGBT驱动电源(14)输出的IGBT驱动电压与所述参考电源(15)输出的参考电压的比值低于预设阈值时输出欠压保护控制信号，所述控制单元(12)用于在所述欠压保护控制信号的控制作用下控制所述IGBT驱动单元(13)关闭，使IGBT截止。
2.根据权利要求1所述的IGBT欠压保护电路，其特征在于，所述比较单元(11)还用于在所述IGBT驱动电压与所述参考电压的比值高于所述预设阈值时输出IGBT启动信号，所述控制单元(12)用于在所述IGBT启动信号的控制作用下输出所述IGBT驱动电压并控制所述IGBT驱动单元(13)开启，使所述IGBT导通。
3.根据权利要求2所述的IGBT欠压保护电路，其特征在于，还包括：与所述控制单元(12)和所述IGBT驱动单元(13)均连接的采集单元(21)；
所述采集单元(21)用于采集所述控制单元(12)的输出电压，并在所述输出电压等于所述IGBT驱动电压时输出脉冲信号，所述IGBT驱动单元(13)用于在接收到所述IGBT驱动电压和所述脉冲信号时开启，使所述IGBT导通。
4.根据权利要求1所述的IGBT欠压保护电路，其特征在于，所述比较单元(11)包括比较器(110)；
所述比较器(110)的反相输入端(1)与第一电阻(R1)和第二电阻(R2)连接，所述第一电阻(R1)与所述IGBT驱动电源(14)连接，所述第二电阻(R2)接地(GND)；
所述比较器(110)的同相输入端(2)与所述参考电源(15)连接。
5.根据权利要求4所述的IGBT欠压保护电路，其特征在于，在所述IGBT驱动电源(14)输出的IGBT驱动电压低于所述IGBT的安全电压时，所述比 较器(110)反相输入端(1)的输入电压低于所述参考电压。
6.根据权利要求4所述的IGBT欠压保护电路，其特征在于，所述比较单元(11)还包括连接在所述参考电源(15)与所述比较器(110)之间的电压维持单元(31)；
所述电压维持单元(31)包括第三电阻(R3)和第一电容(C1)，所述第三电阻(R3)和所述第一电容(C1)均与所述比较器(110)的同相输入端(2)连接，所述第三电阻(R3)与所述参考电源(15)连接，所述第一电容(C1)接地(GND)；
所述电压维持单元(31)用于在所述IGBT驱动电压下降至所述IGBT的安全电压之前维持所述参考电压不变。
7.根据权利要求1所述的IGBT欠压保护电路，其特征在于，所述控制单元(12)包括：PNP型三极管(32)；
所述PNP型三极管(32)的基极(b)与所述比较单元(11)的输出端连接，所述PNP型三极管(32)的发射极(e)与所述IGBT驱动电源(14)连接，所述PNP型三极管(32)的集电极(c)与所述IGBT驱动单元(13)连接，所述基极(b)与所述发射极(e)之间连接有用于保护所述PNP型三极管(32)的第四电阻(R4)。
8.根据权利要求1～7任一项所述的IGBT欠压保护电路，其特征在于，所述IGBT驱动电压为18V，所述参考电压为5V，所述IGBT的安全电压为15V。
9.根据权利要求8所述的IGBT欠压保护电路，其特征在于，所述预设阈值大于等于所述IGBT的安全电压与所述参考电压的比值，所述预设阈值等于3。
10.一种电磁炉，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的IGBT欠压保护电路。