感器L2、L3组成；其中高速整流碳化硅二极管D1、D2串联，电感器L2的输入端连接Y电容C2的一个脚，电感器L2的输出端连接高速整流碳化硅二极管D1串联高速整流碳化硅二极管D2的中点，金属-氧化物半导体场效应晶体管Ql、Q2串联，金属-氧化物半导体场效应晶体管Ql、Q2的中点连接Y电容C3的一个脚，高速整流碳化硅二极管D1的一个脚与金属-氧化物半导体场效应晶体管Ql的一个脚连接并连接到薄膜电容C4的输入端，高速整流碳化硅二极管D2的一个脚与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q2的一个脚连接并连接到电感器L3的一端，电感器L3的另一端连接到薄膜电容C4的输出端，高速整流碳化硅二极管D3的输入端连接到薄膜电容C4的输出端，高速整流碳化硅二极管D3的输出端连接到薄膜电容C5的一端，薄膜电容C5的另一端连接到电感器L3与高速整流碳化硅二极管D2、金属-氧化物半导体场效应晶体管Q2连接的一端；
[0026]所述直流转交流逆变电路由四个金属-氧化物半导体场效应晶体管Q3、Q4、Q5、Q6组成；其中金属-氧化物半导体场效应晶体管Q3与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q4串联，金属-氧化物半导体场效应晶体管Q5与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q6串联，金属-氧化物半导体场效应晶体管Q3的一端与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q5连接并连接到高速整流碳化硅二极管D3的输出端，金属-氧化物半导体场效应晶体管Q4与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q6的一端连接并连接到薄膜电容C5与电感器L3连接的一端;
[0027]所述补偿网络由电感Lf、电容Cf、C6组成；其电感Lf的输入端连接到金属_氧化物半导体场效应晶体管Q5与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q6串联的中点，电感Lf的输出端连接到C6的输入端，C6的输出端连接到发射线圈，电容Cf的一端连接到电感Lf的输出端，电容Cf的另一端连接到金属-氧化物半导体场效应晶体管Q3与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q4串联的中点并连到发射线圈；
[0028]所述发射线圈由电感L4组成；
[0029]所述接收线圈由电感L5组成；
[0030]所述补偿电容由电容C7组成；
[0031]所述全桥整流电路由4个二极管D4、D5、D6、D7组成；
[0032]所述滤波电路由电容C8、C9及电感L6组成。
[0033]实施例2:如图1-2所示，一种无线充电装置，由发射部分和接收部分两部分组成，发射部分由位于绝缘外壳中的TMS320F28035最小系统、NRF24L01无线数据传输模块1、电磁干扰滤波器、功率因数校正电路、直流转交流逆变电路、补偿网络和发射线圈构成，接收部分由STC12A5C60s2最小系统、NRF24L01无线数据传输模块I1、接收线圈、补偿电容器、全桥整流电路和滤波电路构成；
[0034]电磁干扰滤波器与功率因数校正电路连接，发射部分输入的电流由电流采样装置采样，采样的输出信号连接到TMS320F28035最小系统，功率因数校正电路的输出电压由电压采样装置采样，采样的输出信号连接到TMS320F28035最小系统，TMS320F28035最小系统发出的控制信号通过隔离驱动器直接连到功率因数校正电路的金属-氧化物半导体场效应晶体管上，直流转交流逆变电路中的4个金属-氧化物半导体场效应晶体管均与TMS320F28035最小系统连接的驱动器连接，直流转交流逆变电路与补偿网络连接，补偿网络再与发射线圈相连，NRF24L01无线数据传输模块I直接与TMS320F28035最小系统相连；
[0035]接收部分的电流由电流采样装置采样，采样的输出信号连接到STC12A5C60s2最小系统，NRF24L01无线数据传输模块II直接与STC12A5C60s2最小系统连接，接收线圈经过补偿电容与全桥整流电路相连，全桥整流电路另一端连接滤波电路，经滤波电路后的输出电压由电压采样装置采样，采样的输出信号连接到STC12A5C60s2最小系统，滤波电路后直接连接负载。
[0036]上面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】作了详细说明，但是本实用新型并不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。
【主权项】
1.一种无线充电装置，其特征在于:由发射部分和接收部分两部分组成，发射部分由位于绝缘外壳中的TMS320F28035最小系统、NRF24L01无线数据传输模块1、电磁干扰滤波器、功率因数校正电路、直流转交流逆变电路、补偿网络和发射线圈构成，接收部分由STC12A5C60s2最小系统、NRF24L01无线数据传输模块I1、接收线圈、补偿电容器、全桥整流电路和滤波电路构成； 电磁干扰滤波器与功率因数校正电路连接，发射部分输入的电流由电流采样装置采样，采样的输出信号连接到TMS320F28035最小系统，功率因数校正电路的输出电压由电压采样装置采样，采样的输出信号连接到TMS320F28035最小系统，TMS320F28035最小系统发出的控制信号通过隔离驱动器直接连到功率因数校正电路的金属-氧化物半导体场效应晶体管上，直流转交流逆变电路中的4个金属-氧化物半导体场效应晶体管均与TMS320F28035最小系统连接的驱动器连接，直流转交流逆变电路与补偿网络连接，补偿网络再与发射线圈相连，NRF24L01无线数据传输模块I直接与TMS320F28035最小系统相连；接收部分的电流由电流采样装置采样，采样的输出信号连接到STC12A5C60s2最小系统，NRF24L01无线数据传输模块II直接与STC12A5C60s2最小系统连接，接收线圈经过补偿电容与全桥整流电路相连，全桥整流电路另一端连接滤波电路，经滤波电路后的输出电压由电压采样装置采样，采样的输出信号连接到STC12A5C60s2最小系统，滤波电路后直接连接负载。2.根据权利要求1所述的无线充电装置，其特征在于: 所述电磁干扰滤波器由X电容Cl，Y电容C2、C3，共模电感LI组成；其中X电容Cl连接到共模电感LI的输入端，共模电感LI的输出端分别连接到Y电容C2、C3的一个脚，Y电容C2、C3剩余的一个脚连接在一起并连接到大地； 所述功率因数校正电路由高速整流碳化硅二极管D1、D2、D3，金属-氧化物半导体场效应晶体管Ql、Q2，薄膜电容C4、C5，电感器L2、L3组成；其中高速整流碳化硅二极管Dl、D2串联，电感器L2的输入端连接Y电容C2的一个脚，电感器L2的输出端连接高速整流碳化硅二极管Dl串联高速整流碳化硅二极管D2的中点，金属-氧化物半导体场效应晶体管Ql、Q2串联，金属-氧化物半导体场效应晶体管Q1、Q2的中点连接Y电容C3的一个脚，高速整流碳化硅二极管Dl的一个脚与金属-氧化物半导体场效应晶体管Ql的一个脚连接并连接到薄膜电容C4的输入端，高速整流碳化娃二极管D2的一个脚与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q2的一个脚连接并连接到电感器L3的一端，电感器L3的另一端连接到薄膜电容C4的输出端，高速整流碳化硅二极管D3的输入端连接到薄膜电容C4的输出端，高速整流碳化硅二极管D3的输出端连接到薄膜电容C5的一端，薄膜电容C5的另一端连接到电感器L3与高速整流碳化硅二极管D2、金属-氧化物半导体场效应晶体管Q2连接的一端； 所述直流转交流逆变电路由四个金属-氧化物半导体场效应晶体管Q3、Q4、Q5、Q6组成；其中金属-氧化物半导体场效应晶体管Q3与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q4串联，金属-氧化物半导体场效应晶体管Q5与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q6串联，金属-氧化物半导体场效应晶体管Q3的一端与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q5连接并连接到高速整流碳化硅二极管D3的输出端，金属-氧化物半导体场效应晶体管Q4与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q6的一端连接并连接到薄膜电容C5与电感器L3连接的一端; 所述补偿网络由电感Lf、电容Cf、C6组成；其电感Lf的输入端连接到金属-氧化物半导体场效应晶体管Q5与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q6串联的中点，电感Lf的输出端连接到C6的输入端，C6的输出端连接到发射线圈，电容Cf的一端连接到电感Lf的输出端，电容Cf的另一端连接到金属-氧化物半导体场效应晶体管Q3与金属-氧化物半导体场效应晶体管Q4串联的中点并连到发射线圈； 所述发射线圈由电感L4组成； 所述接收线圈由电感L5组成； 所述补偿电容由电容C7组成； 所述全桥整流电路由4个二极管D4、D5、D6、D7组成； 所述滤波电路由电容C8、C9及电感L6组成。
【专利摘要】本实用新型涉及一种无线充电装置，属于无线充电应用技术领域。本实用新型由发射部分和接收部分两部分组成，发射部分由位于绝缘外壳中的TMS320F28035最小系统、NRF24L01无线数据传输模块Ⅰ、电磁干扰滤波器、功率因数校正电路、直流转交流逆变电路、补偿网络和发射线圈构成，接收部分由STC12A5C60s2最小系统、NRF24L01无线数据传输模块Ⅱ、接收线圈、补偿电容器、全桥整流电路和滤波电路构成。本实用新型能够安全、可靠、高效地对电池进行充电，充电装置体积小，传输效率高，能够根据电池负载大小自动调节输出功率。
【IPC分类】H02M1/42, H02J7/02, H02J50/12, H02J5/00
【公开号】CN204992720
【申请号】CN201520480740
【发明人】李思奇, 李得菘, 吴远密, 陈石毅, 舒文斌, 邓应开, 石瑶
【申请人】昆明理工大学
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年7月7日