专利名称：适用于低电源电压的正高压电平转换电路的制作方法
技术领域：
本发明属于集成电路设计技术领域，特别涉及适用于低电源电压的正高压电平转换电路。
背景技术：
快闪存储器(Flash memory)具有非挥发的特性，掉电后数据仍然能够保持，因此广泛应用于智能手机、数码相机、平板电脑等便携式设备中。快闪存储器的存储单元利用FN(Fowler-Nordheim)隧穿效应进行编程、擦除操作。
图1是FN遂穿注入示意图。表1是SONOS型存储单元进行编程和擦除时控制栅极、漏极、源极上的典型电压值。表 权利要求
1.适用于低电源电压的正高压电平转换电路，其特征在于，它的连接关系如下倍压电路的输入端与VIN输入电压连接，电压转换电路0 的输入端连接倍压电路Gl) 的输出端，电压转换电路0 的输出端与VOUT输出电压连接。
2.根据权利要求1所述的适用于低电源电压的正高压电平转换电路，所述倍压电路 (41)的连接关系如下VIN输入电压分别连接反相器0109)的输入端、第一电容(4103)、 第四PMOS晶体管0107)的栅极和第六NMOS晶体管0108)的栅极，第二电容0104)分别连接反相器G109)的输出端、第三PMOS晶体管0105)的栅极和第五NMOS晶体管0106) 的栅极，第七NMOS晶体管020 的栅极分别连接第三PMOS晶体管010 的漏极和第五 NMOS晶体管0106)的漏极，第八NMOS晶体管0204)的栅极分别连接第四PMOS晶体管 (4107)的漏极和第六NMOS晶体管0108)的漏极，第三PMOS晶体管0105)的源极和衬底均连接第一电容(4103)、第四NMOS晶体管0102)的栅极和第三NMOS晶体管0101)的漏极的公共节点，第四PMOS晶体管0107)的源极和衬底均连接第二电容(4104)、第三NMOS 晶体管G101)的栅极和第四NMOS晶体管0102)的漏极的公共节点，VSS地电位分别连接第五NMOS晶体管0106)的源极和衬底、第六NMOS晶体管0108)的源极和衬底、第三NMOS 晶体管(4101)的衬底和第四NMOS晶体管0102)的衬底，VDD电源电压分别连接第三NMOS 晶体管(4101)的源极和第四NMOS晶体管0102)的源极。
3.根据权利要求1所述的适用于低电源电压的正高压电平转换电路，其特征在于，所述电压转换电路的连接关系如下第六PMOS晶体管的栅极连接第五PMOS晶体管 (4201)的漏极和第七NMOS晶体管0202)的漏极的公共节点，VOUT输出电压连接第五PMOS 晶体管0201)的栅极、第六PMOS晶体管的漏极和第八NMOS晶体管0204)的漏极的公共节点，VSS地电位分别连接第七NMOS晶体管020 的源极和衬底以及第八NMOS晶体管0204)的源极和衬底，VPH正高压分别连接第五PMOS晶体管0201)的源极和衬底以及第六PMOS晶体管的源极和衬底。
全文摘要
本发明公开了属于集成电路设计技术领域的适用于低电源电压的正高压电平转换电路。本发明的连接关系如下倍压电路与VIN输入电压连接，电压转换电路分别连接倍压电路和VOUT输出电压。本发明的有益效果为倍压电路将低压逻辑控制信号的摆幅增大一倍，从而增强了电压转换电路中两个NMOS晶体管的驱动能力，从而减小了电压转换电路在电压转换过程中由交叉耦合结构所导致的下拉NMOS晶体管与上拉PMOS晶体管间的竞争，提高了高压转换的速度，降低了高压转换的功耗，并使所述正高压电平转换电路在低电源电压下仍然能够正常工作。
文档编号H03K19/0185GK102340305SQ201110195870
公开日2012年2月1日 申请日期2011年7月13日 优先权日2011年7月13日
发明者刘培军, 潘立阳, 王雪强 申请人:清华大学