用于等离子体蚀刻腔室的tcct匹配电路的制作方法
【专利摘要】本发明涉及用于等离子体蚀刻腔室的TCCT匹配电路，具体而言，本发明公开了匹配电路，其包括以下部分：功率输入电路，其与RF源耦合；内线圈输入电路，其耦合在功率输入电路和内线圈的输入端子之间，所述内线圈输入电路包括电感器和与所述电感器串联地耦合的电容器，电感器与功率输入电路连接，并且电容器与内线圈的输入端子连接，第一节点限定在功率输入电路和内线圈输入电路之间；内线圈输出电路，其耦合在内线圈的输出端子和地之间，内线圈输出电路限定与地的直接贯通连接；外线圈输入电路，其耦合在第一节点和外线圈的输入端子之间；以及外线圈输出电路，其耦合在外线圈的输出端子和地之间。
【专利说明】用于等离子体蚀刻腔室的TCCT匹配电路
优先权要求
[0001]本申请要求递交于2012年12月31日且名称为“TCCT Match Circuit for PlasmaEtch Chambers”的申请号为61/747,919的美国临时申请的优先权。本申请作为递交于 2012 年 10 月 23 日且名称为 “Faraday Shield Having Plasma Density DecouplingStructure Between TCP Coiling Zones”申请号为13/658，652的美国专利申请的部分连续案要求优先权，而该美国专利申请13/658，652作为递交于2011年8月4日且名称为“Internal Faraday Shield Having Distributed Chevron Patterns and CorrelatedPositioning Relative to External Inner and Outer TCP Coil，，申请号为 13/198,683的美国专利申请的部分连续案要求优先权，而该申请13/198，683要求递交于2011年4月28 日且名称为 “ Internal Faraday Shield Having Distributed Chevron Patterns andCorrelated Positioning Relative to External Inner and outer TCP Coil，，申请号为61/480，314的美国临时专利申请的优先权。这些申请的全部公开内容为所有目的通过引用合并于本文中。
【技术领域】
[0002]本发明总体涉及半导体制造，并且更特别地涉及用于等离子体蚀刻腔室的TCCT匹配电路。
【背景技术】
[0003]在半导体制造中，蚀刻工艺通常重复地实施。如本领域技术人员所公知的，存在两种类型的蚀刻工艺:湿法蚀刻和干法蚀刻。一种类型的干法蚀刻是使用感应耦合式等离子体蚀刻装置执行的等离子体蚀刻。
[0004]等离子体包含各种类型的自由基以及正离子和负离子。各种自由基、正离子和负离子的化学反应用于蚀刻晶片的特征、表面和材料。在蚀刻处理期间，腔室线圈执行与变压器中的初级线圈的功能类似的功能，而等离子体执行与变压器中的次级线圈的功能类似的功能。
[0005]现有的变压器耦合电容调谐(TCCT)匹配设计遭遇若干问题，尤其当用于对磁电阻随机存取存储器(MRAM)执行制造工艺时。问题包括有限的TCCT范围、有限的变压器耦合等离子体(TCP)功率、高的线圈电压和线圈电弧放电。结果，电抗器腔室的处理窗会极其有限，意味着不能适应各种配方。如果处理窗之外的配方被迫运行，其可能由于过电压和/或过电流互锁而中止，并且甚至更坏地，会导致TPC线圈的电弧放电以及陶瓷窗和陶瓷十字架(cross)的破坏。此外，当端子电压不太均衡时，由于通过TCP线圈的电容耦合引起的陶瓷窗的溅射效应会随时间而发展。其结果是，颗粒从陶瓷窗溅射出，随后沉积在晶片上，会导致产量损失。该效应会将电抗器的操作寿命限制为例如500RF操作小时。
[0006]鉴于上述情况，对于用于等离子体蚀刻腔室的改进的TCCT匹配电路存在需求。
【发明内容】
[0007]公开了一种用于在半导体器件制造期间蚀刻半导体衬底以及形成在半导体衬底上的层的装置。该装置由TCCT匹配电路限定，其控制在其中执行蚀刻的等离子体处理腔室的TCP线圈的操作。
[0008]在一个实施例中，提供了一种耦合在RF源和等离子体腔室之间的匹配电路，所述匹配电路包括以下部分:功率输入电路，所述功率输入电路与RF源耦合；内线圈输入电路，其耦合在所述功率输入电路和内线圈的输入端子之间，所述内线圈输入电路包括电感器和与所述电感器串联地耦合的电容器，所述电感器与功率输入电路连接，并且电容器与内线圈的输入端子连接，第一节点限定在功率输入电路和内线圈输入电路之间；内线圈输出电路，其耦合在内线圈的输出端子和地之间，所述内线圈输出电路限定与地的直接贯通连接；外线圈输入电路，其耦合在第一节点和外线圈的输入端子之间；外线圈输出电路，其耦合在外线圈的输出端子和地之间。
[0009]在一个实施例中，电容器为具有在大约150pF至大约1500pF之间的值的可变电容器；并且所述电容器具有在大约0.3uH至大约0.5uH之间的值。
[0010]在一个实施例中,外线圈输入电路包括第二电容器。
[0011]在一个实施例中，第二电容器为具有在大约150pF至大约1500pF之间的额定值的
可变电容器。
[0012]在一个实施例中，夕卜线圈输出电路包括第二电容器。在一个实施例中，第二电容器具有在大约80pF至大约120pF之间的值。在另一实施例中，第二电容器具有大约IOOpF+/-大约1%的值。
[0013]在一个实施例中，功率输入电路包括:第二电容器，其与RF源稱合；第二电感器，其与内线圈输入电路耦合；第三电容器，其耦合在第二电容器和第二电感器之间，第二节点限定在第二电容器和第三电容器之间；以及第四电容器，其耦合在第二节点和地之间。在一个实施例中，第二电容器具有在大约5pF至大约500pF之间的额定值；第三电容器具有在大约50pF至大约500pF之间的额定值；第二电感器具有在大约0.3uH至大约0.5uH之间的值；并且第四电容器具有在大约200pF至大约300pF的值。在一个实施例中，第四电容器具有大约250pF+/_大约1%的值。
[0014]在另一实施例中，提供了一种匹配电路，其包括以下部分:功率输入电路，所述功率输入电路与RF源耦合；内线圈输入电路，其耦合在功率输入电路和内线圈的输入端子之间，内线圈输入电路包括电感器和与所述电感器串联地耦合的第一电容器，电感器与功率输入电路连接，并且第一电容器与内线圈的输入端子连接，第一节点限定在功率输入电路和内线圈输入电路之间；内线圈输出电路，其耦合在内线圈的输出端子和地之间，内线圈输出电路限定与地的直接贯通连接；外线圈输入电路，其耦合在第一节点和外线圈的输入端子之间；外线圈输出电路，其耦合在外线圈的输出端子和地之间，所述外线圈输出电路包括具有大于大约IOOpF的值的第二电容器。
[0015]在一个实施例中，第一电容器为具有在大约150pF至大约1500pF之间的值的可变电容器；并且电感器具有在大约0.3uH至大约0.5uH之间的值。
[0016]在一个实施例中，夕卜线圈输入电路包括第三电容器。在一个实施例中，第三电容器为具有在大约150pF至大约1500pF之间的额定值的可变电容器。[0017]在一个实施例中，功率输入电路包括:第三电容器，其与RF源稱合；第二电感器，其与内线圈输入电路耦合；第四电容器，其耦合在第三电容器和第二电感器之间，第二节点限定在第三电容器和第四电容器之间；以及第五电容器，其耦合在第二节点和地之间。在一个实施例中，第三电容器具有在大约5pF至大约500pF之间的额定值；第四电容器具有在大约50pF至大约500pF之间的额定值；第二电感器具有在大约0.3uH至大约0.5uH之间的值；并且第五电容器在具有大约200pF至大约300pF之间的值。在一个实施例中，第五电容器具有大约250pF+/_大约1%的值。
[0018]在另一实施例中，提供一种匹配电路，其包括以下部分:功率输入电路，所述功率输入电路与RF源f禹合；内线圈输入电路,其I禹合在功率输入电路和内线圈的输入端子之间，所述内线圈输入电路包括电感器和与所述电感器串联地耦合的第一电容器，所述电感器与功率输入电路连接，并且所述第一电容器与内线圈的输入端子连接，第一节点限定在功率输入电路和内线圈输入电路之间；内线圈输出电路，其耦合在内线圈的输出端子和地之间，内线圈输出电路限定与地的直接贯通连接；外线圈输入电路，其耦合在第一节点和外线圈的输入端子之间，所述外线圈输入电路包括第二电容器；外线圈输出电路，其耦合在外线圈的输出端子和地之间，外线圈输出电路包括第三电容器。
[0019]在一个实施例中，第一电容器为具有在大约150pF至大约1500pF之间的额定值的可变电容器；并且其中所述电感器具有在大约0.3uH至大约0.5uH之间的值。
[0020]在一个实施例中，第二电容器为具有在大约150pF至大约1500pF之间的额定值的
可变电容器。
[0021]在一个实施例中，第三电容器具有在大约80pF至大约120pF之间的值。在一个实施例中，第三电容器具有大约IOOpF+/-大约1%的值。
[0022]在一个实施例中，功率输入电路包括:第四电容器，其与RF源耦合；第二电感器，其与内线圈输入电路耦合；第五电容器，其耦合在第四电容器和第二电感器之间，第二节点限定在第四电容器和第五电容器之间；以及第六电容器，其耦合在第二节点和地之间。在一个实施例中，第四电容器具有在大约5pF至大约500pF之间的额定值；其中所述第五电容器具有在大约50pF至大约500pF之间的额定值；第二电感器具有在大约0.3uH至大约0.5uH之间的值；并且第六电容器具有在大约200pF至大约300pF之间的值。在一个实施例中，第六电容器具有大约250pF+/_大约1%的值。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]通过参照下面结合附图给出的说明，可以最佳地理解本发明及其进一步的优点。
[0024]图1示出了根据本发明的一个实施例的用于蚀刻操作的等离子体处理系统。
[0025]图2是根据本发明的实施例的等离子体处理腔室的剖视图。
[0026]图3示出了根据本发明的一个实施例的俯视图，示意性地表示出内线圈和外线圈。
[0027]图4A是示出根据本发明的实施例的TCCT匹配电路的电路拓扑结构的示意图。
[0028]图4B是示出根据本发明的实施例的TCCT匹配电路的部件的简化示意图。
[0029]图5是示出根据本发明的实施例的用于各种顶端配置的离子密度与TCP功率的关系曲线图。[0030]图6示出了根据本发明的实施例的分别示出离子密度与径向距离的关系的四个曲线图。
【具体实施方式】
[0031]公开了一种TCCT匹配电路，其在半导体器件制造期间用于蚀刻半导体衬底以及形成在半导体衬底上的层。TCCT匹配电路控制TCP线圈的操作，TCP线圈布置于在其中执行蚀刻的腔室的介电窗的上方。
[0032]在下面的说明中，为了提供对本发明的全面理解，阐述了多个具体的细节。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，可以在不具有这些具体细节中的一些细节的情况下来实施本发明。在其它实例中，为了避免不必要地使本发明不清楚，没有详细地说明公知的处理操作和实现细节。
[0033]图1示出了根据本发明的一个实施例的用于蚀刻操作的等离子体处理系统。该系统包括腔室102和介电窗106，腔室102包括卡盘104。卡盘104可以为用于当衬底存在时支撑衬底的静电卡盘。
[0034]还示出了偏置RF发生器160，其可由一个或多个发生器限定。如果提供多个发生器，则不同的频率能够用于实现各种调谐特性。偏置匹配器162耦合在RF发生器160和限定卡盘104的组件的导电板之间。卡盘104还包括使能晶片的卡紧和去卡紧的静电电极。广义地讲，可以提供滤波器和DC箝位电源。还能够设置用于提升晶片使其离开卡盘104的其它控制系统。尽管未示出，泵与腔室102连接以使能在操作等离子体处理期间进行真空控制以及从腔室中去除气态副产物。
[0035]介电窗106能够由陶瓷类型的材料限定。其它介电材料也是可能的，只要它们能够承受半导体蚀刻腔室的条件即可。典型地，腔室在范围在大约50摄氏度和大约120摄氏度之间的高温下工作。温度将取决于蚀刻工艺操作和具体配方。腔室102也将在大约I毫托(mT)和大约100毫托(mT)之间的范围内的真空条件下工作。尽管未示出，但当设施安装在清洁室或制造设施中时，腔室102典型地与设施联接。设施包括管道，管道提供处理气体、真空、温度控制和环境粒子控制。
[0036]当这些设施安装在目标制造设施中时，这些设施与腔室102联接。另外，腔室102可以与转移腔室联接，转移腔室使机器人能够利用常规的自动化技术将半导体晶片转入和转出腔室102。
[0037]图2为根据本发明的实施例的等离子体处理腔室的剖视图。TCP线圈被显示为包括内线圈(IC) 122和外线圈(OC) 120。TCP线圈被放置和布置在介电窗106的上方。
[0038]TCCT匹配电路124使能对提供给内线圈和外线圈的功率进行动态调谐。TCP线圈与TCCT匹配电路124耦合，TCCT匹配电路124包括与内线圈120和外线圈122的连接。在一个实施例中，TCCT匹配电路124被配置为对TCP线圈进行调谐以向内线圈122提供比外线圈120更多的功率。在另一实施例中，TCCT匹配电路124被配置为对TCP线圈进行调谐以向内线圈122提供比外线圈120更少的功率。在另一实施例中，提供给内线圈和外线圈的功率将提供均匀的功率分布和/或控制衬底(即，晶片，当存在时)上方径向分布中的离子密度。在又一实施例中，将基于为对布置在卡盘104上的半导体晶片执行蚀刻而限定的处理参数来调节外线圈和内线圈之间的功率调谐。[0039]在一种实现中，具有可变电容器的TCCT匹配电路(如下文更详细讨论的)能够被配置为自动地调节以在两个线圈中实现预定的电流比。应当理解，此处所图示的电路提供了对期望电流比的调谐和调节。在一个实施例中，电流比的范围能够为在0.1至1.5之间。通常，该比值被称为变压器耦合电容调谐(TCCT)比。然而，TCCT比的设定是基于对于一个或多个特定的晶片所期望的处理。
[0040]应当理解，通过提供可调谐的TCP线圈，腔室102能够提供根据所要执行的处理操作来控制离子密度与TCP功率的关系以及径向离子密度分布的灵活性。
[0041]另外，应当注意的是，尽管在本公开中称为TCCT匹配电路，但是该术语的使用不应限制被限定为实现期望的匹配功能以及提供调谐的电路的范围。在其它实施例中，可构思的是依照本文所描述的原理和实施例的匹配电路能够用于实现用于不具有TCCT功能或具有固定TCCT比的等离子体处理系统的期望匹配功能。
[0042]图3示出了根据本发明的一个实施例的俯视图，其示意性地表示出内线圈122和外线圈120。所示的俯视图表示与之前所描述的作为一个示例的包括外线圈120和内线圈122的线圈的连接。内线圈122包括内线圈I (IC1)和内线圈2 (IC2)0外线圈120包括外线圈I (OC1)和外线圈2 (OC2)0线圈端之间的连接相对于在TCCT匹配电路124中设置的电路而示出。提供图3中的图示以显示根据本发明的一个实施例的与在腔室102中使用的TCP线圈的内线圈和外线圈中的每个相关联的圆形绕组。如图所示，内线圈IC1和IC2被设置为彼此交错的平行螺旋状件。如图所示，IC1和IC2类似于基本相同形状的一对算术或阿基米德螺旋线，但是一个相对于另一个绕其轴线旋转大约180度。IC1的输入端子300与IC2的输入端子302定位完全相对。另外，IC1的输出端子304与IC2的输出端子306定位完全相对。夕卜线圈OC1和OC2的构造与内线圈IC1和IC2的类似，限定了彼此交错的基本上相似的平行螺旋形，并且相对于彼此旋转近似180度。OC1的输入端子308与OC2的输入端子310完全相对，而OC1的输出端子312与OC2的输出端子314完全相对。在一个实施例中，内线圈和外线圈的输入和输出端子以大致线性的构造布置。应当理解的是，其它类型隙的线圈构造是可能的。例如，可以具有提供圆顶型结构以及除了平坦线圈分布之外的其它线圈类型结构的维度线圈。
[0043]已经提到，TCP线圈与TCCT匹配电路124耦合，TCCT匹配电路124包括与内线圈120和外线圈122的连接。如图所示，外线圈120的输入端子308和310与节点146耦合，节点146进而与TCCT输入电路320连接。外线圈120的输出端子与节点142连接，节点142与TCCT输出电路324连接。内线圈122使其输入端子300和302与节点140连接，节点140则与TCCT输入电路320连接。内线圈122的输出端子304和306与节点148连接，节点148与TCCT输出电路324连接。TCCT输入电路接收来自RF功率源322的功率。TCCT输出电路接地。
[0044]图4A是示出根据本发明的实施例的TCCT匹配电路的电路拓扑结构的示意图。RF源322提供功率到功率输入电路400。可变电容器C1耦合在RF源322和节点410之间。节点410与电容器C2连接，电容器C2进而接地。节点410还与可变电容器C3连接，可变电容器C3进而与电感器L5连接。电感器L5与节点412耦合。在一个实施例中，功率输入电路400由可变电容器C1、节点410、接地的电容器C2、可变电容器C3和电感器L5限定，它们按已描述的方式布置。[0045]节点412与内线圈输入电路402和外线圈输入电路404中的每个耦合。在一个实施例中，内线圈输入电路402由彼此耦合的电感器L3和可变电容器C5限定。电感器L3-合在节点412和可变电容器C5之间。可变电容器C5与节点140连接(在图3中示出)，节点140进而与内线圈的输入端子连接。
[0046]继续参照图4A，节点412还与外线圈输入电路404连接。在一个实施例中，外线圈输入电路404由与节点412耦合的可变电容器C4限定。可变电容器C4还与节点146连接(在图3中示出)，节点146进而与外线圈的输入端子连接。
[0047]另外在图4A中示出了 TCCT输出电路324，其由内线圈输出电路406和外线圈输出电路408限定。内线圈输出电路406与节点148连接(在图3中示出)，节点148进而与内线圈的输出端子连接。在一个实施例中，内线圈输出电路406由贯通接地限定。外线圈输出电路408与节点142连接(在图3中示出)，节点142进而与外线圈的输出端子连接。在一个实施例中，外线圈输出电路由耦合在节点142和地之间的电容器C7限定。
[0048]在一个实施例中，可变电容器C1额定为在约5pF至500pF之间。在一个实施例中，可变电容器C2额定为约250pF。在一个实施例中，可变电容器C3定为在大约5pF至500pF之间。在一个实施例中，电感器L5额定为约0.3uH。在一个实施例中，可变电容器C4额定为在约150pF至1500pF之间。在一个实施例中，电感器L3额定为约0.55uH。在一个实施例中，可变电容器C5额定为在约150pF至1500pF之间。在一个实施例中，电容器C7额定为约 IOOpF。
[0049]TCCT匹配电路124使能动态调谐可变电容器C1、C3> C4和C5以调谐提供给内线圈和外线圈的功率。在一个实施例中，通过与腔室102的电子板连接的处理控制器来控制可变电容器Cp C3、C4和C5。电子板能够与联网系统耦合，联网系统将根据在具体循环中所期望的处理操作来操作具体处理例程。因此，电子板能够控制在腔室102中执行的蚀刻操作，以及控制可变电容器Cp C3、C4和C5的具体设定。
[0050]图4B是根据本发明的实施例的图解TCCT匹配电路的部件的简化示意图。如图所示，功率输入电路400接收来自RF功率源322的功率。功率输入电路400与节点412连接。内线圈输入电路402耦合在节点412和内线圈122之间。外线圈输入电路404耦合在节点412和外线圈120之间。内线圈122与接地的内线圈输出电路406连接。外线圈120与接地的外线圈输出电路408连接。
[0051]广义地讲，当前所描述的TCCT匹配电路设计实现了功率效率的提高。认为这是由于设计优化而使得线圈上的寄生电容对于等离子体的影响最小化来实现的。在通过引用合并于本文的 Maolin Long 发表的 “Power Efficiency Oriented Optimal Design of HighDensity CCP and ICP Sources for Semiconductor RF Plasma Processing Equipment，，(IEEE Transaction on Plasma Science, 2006 年 4 月，第 34 卷第 2 期)中研究且描述了寄生电容对RF功率效率的影响。
[0052]关于内线圈，现有的TCCT匹配电路设计已经包括了输出侧电感器，其增加了寄生电容并且因此降低了功率效率。然而，在本文提供的实施例中，内线圈输出电路被配置为贯通接地，而内线圈输入电路被配置为包括电感器l3。这减小了寄生电容，因此提高了功率效率并且有利于内线圈上的较低电压。
[0053]关于外线圈，现有的TCCT匹配电路设计已经提供了相对低的输出侧电容。然而，在本文提供的实施例中，外线圈输出电路被配置为提供较高的电容，这对于既定频率降低了阻抗并且提供了较低的电压降。
[0054]下文示出的表1提供了根据本发明的实施例的RF特性数据，其将原始顶端RF设计与修改顶端RF设计进行比较。
表1
【权利要求】
1.一种耦合在RF源和等离子体腔室之间的匹配电路，所述匹配电路包括: 功率输入电路，所述功率输入电路与RF源耦合； 内线圈输入电路，其耦合在所述功率输入电路和内线圈的输入端子之间，所述内线圈输入电路包括电感器和与所述电感器串联地耦合的电容器，所述电感器连接至所述功率输入电路，并且所述电容器连接至所述内线圈的所述输入端子，第一节点限定在所述功率输入电路和所述内线圈输入电路之间； 内线圈输出电路，其耦合在所述内线圈的输出端子和地之间，所述内线圈输出电路限定与地的直接贯通连接； 外线圈输入电路，其耦合在所述第一节点和外线圈的输入端子之间； 外线圈输出电路，其耦合在所述外线圈的输出端子和地之间。
2.如权利要求1所述的匹配电路， 其中所述电容器为具有在大约150pF至大约1500pF之间的额定值的可变电容器；并且 并且所述电感器具有在大约0.3uH至大约0.5uH之间的值。
3.如权利要求1所述的匹配电路，其中所述外线圈输入电路包括第二电容器。
4.如权利要求3所述的匹配电路，其中所述第二电容器为具有在大约150pF至大约1500pF之间的额定值的可变电容器。
5.如权利要求1所述的匹配电路，其中所述外线圈输出电路包括第二电容器。
6.如权利要求5所述的匹配电路，其中所述第二电容器具有在大约SOpF至大约120pF之间的值。`
7.如权利要求1所述的匹配电路，其中所述功率输入电路包括:第二电容器，其与所述RF源耦合；第二电感器，其与所述内线圈输入电路耦合；第三电容器，其耦合在所述第二电容器和所述第二电感器之间；第二节点，其限定在所述第二电容器和所述第三电容器之间；以及第四电容器，其耦合在所述第二节点和地之间。
8.如权利要求7所述的匹配电路， 其中所述第二电容器具有在大约5pF至大约500pF之间的额定值； 其中所述第三电容器具有在大约50pF至大约500pF之间的额定值； 其中所述第二电感器具有在大约0.3uH至大约0.5uH之间的值； 其中所述第四电容器具有在大约200pF至大约300pF之间的值。
9.一种匹配电路，其包括: 功率输入电路，所述功率输入电路与RF源耦合； 内线圈输入电路，其耦合在所述功率输入电路和内线圈的输入端子之间，所述内线圈输入电路包括电感器和与所述电感器串联地耦合的第一电容器，所述电感器与所述功率输入电路连接，并且所述第一电容器与所述内线圈的所述输入端子连接，第一节点限定在所述功率输入电路和所述内线圈输入电路之间； 内线圈输出电路，其耦合在所述内线圈的输出端子和地之间，所述内线圈输出电路限定与地的直接贯通连接； 外线圈输入电路，其耦合在所述第一节点和外线圈的输入端子之间； 外线圈输出电路，其耦合在所述外线圈的输出端子和地之间，所述外线圈输出电路包括具有大于85pF的值的第二电容器。
10.如权利要求9所述的匹配电路， 其中所述第一电容器为具有在大约150pF至大约1500pF之间的额定值的可变电容器；并且 其中所述电感器具有在大约0.3uH至大约0.5uH之间的值。
11.如权利要求9所述的匹配电路，其中所述外线圈输入电路包括第三电容器。
12.如权利要求11所述的匹配电路，其中所述第三电容器为具有在大约150pF至大约1500pF之间的额定值的可变电容器。
13.如权利要求9所述的匹配电路，其中所述功率输入电路包括:第三电容器，其与所述RF源耦合；第二电感器，其与所述内线圈输入电路耦合；第四电容器，其耦合在所述第三电容器和所述第二电感器之间；第二节点，其限定在所述第三电容器和所述第四电容器之间；以及第五电容器，其耦合在所述第二节点和地之间。
14.如权利要求13所述的匹配电路， 其中所述第三电容器具有在大约5pF至大约500pF之间的额定值； 其中所述第四电容器具有在大约50pF至大约500pF之间的额定值； 其中所述第二电感器具有在大约0.3uH至大约0.5uH之间的值； 其中所述第五电容器具有在大约200pF至大约300pF之间的值。
15.—种匹配电路`,包括: 功率输入电路，所述功率输入电路与RF源耦合； 内线圈输入电路，其耦合在所述功率输入电路和内线圈的输入端子之间，所述内线圈输入电路包括电感器和与所述电感器串联地耦合的第一电容器，所述电感器与所述功率输入电路连接，并且所述第一电容器与所述内线圈的所述输入端子连接，第一节点限定在所述功率输入电路和所述内线圈输入电路之间； 内线圈输出电路，其耦合在所述内线圈的输出端子和地之间，所述内线圈输出电路限定与地的直接贯通连接； 外线圈输入电路，其耦合在所述第一节点和外线圈的输入端子之间，所述外线圈输入电路包括第二电容器； 外线圈输出电路，其耦合在所述外线圈的输出端子和地之间，所述外线圈输出电路包括第三电容器。
16.如权利要求15所述的匹配电路， 其中所述第一电容器为具有在大约150pF至大约1500pF之间的额定值的可变电容器；并且 其中所述电容器具有在大约0.3uH至大约0.5uH之间的值。
17.如权利要求15所述的匹配电路，其中所述第二电容器为具有在大约150pF至大约1500pF之间的额定值的可变电容器。
18.如权利要求15所述的匹配电路，其中所述第三电容器具有在大约SOpF至大约120pF之间的值。
19.如权利要求15所述的匹配电路，其中所述功率输入电路包括:第四电容器，其与所述RF源耦合；第二电感器，其与所述内线圈输入电路耦合；第五电容器，其耦合在所述第四电容器和所述第二电感器之间；第二节点，其限定在所述第四电容器和所述第五电容器之间；以及第六电容器，其耦合在所述第二节点和地之间。
20.如权利要求19所述的匹配电路， 其中所述第四电容器具有在大约5pF至大约500pF之间的额定值； 其中所述第五电容器具有在大约50pF至大约500pF之间的额定值； 其中所述第二电感器具有在大约0.3uH至大约0.5uH之间的值； 其中所述第六电 容器具有在大约200pF至大约300pF之间的值。
【文档编号】H03K19/00GK103780241SQ201310503860
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年10月23日 优先权日:2012年10月23日
【发明者】龙茂林, 里基·马士, 亚历克斯·帕特森 申请人:朗姆研究公司